林揆训
- 作品数：68 被引量：327H指数：11
- 供职机构：汕头大学理学院物理系更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金广东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信电气工程一般工业技术更多>>
- 优质多晶硅薄膜的低温制备技术
- 多晶硅薄膜是集晶体材料和非晶硅氢合金薄膜优点于一体,在能源科学、信息科学的微电子技术中有广泛应用的一种新型功能材料.本文综述低温(＜600℃)制备高质量多晶硅薄膜技术的研究进展及其应用,着重讨论用等离子体化学气相沉积硅基...
- 林璇英黄创君林揆训余楚迎姚若河
- 关键词：多晶硅金属诱导
- 文献传递
- 氢化非晶硅薄膜中氢含量及键合模式的红外分析被引量：34
- 2003年
- Fourier红外透射 (FTIR)谱技术是研究氢化非晶硅 (a Si∶H)薄膜中氢的含量 (CH)及硅—氢键合模式 (Si Hn)最有效的手段 .对用等离子体化学气相沉积 (PCVD)方法在不同的衬底温度 (Ts)下制备出的氢化非晶硅薄膜 ,通过红外透射光谱的基线拟合、高斯拟合分析 ,得到了薄膜中的氢含量 ,硅氢键合模式及其组分 ,并分析了这些参量随衬底温度变化的规律 .
- 罗志林璇英林舜辉余楚迎林揆训余云鹏谭伟锋
- 关键词：氢化非晶硅薄膜红外吸收谱氢含量
- 用SiCl4/H2沉积纳米晶硅薄膜过程中氢稀释量对SiCln(n=0～2)密度的影响
- 2008年
- 用质谱、朗缪尔探针诊断技术研究了氢稀释的SiCl4作为源气体,用等离子体增强化学气相方法进行纳米晶硅薄膜的生长。进一步研究了氢稀释比率对SiCl4等离子体中SiCln（n=0-2）基团浓度的影响。等离子体中,平均电子能量和电子密度分别随着氢稀释比率的增加而达到9.25eV和3.7×10^9cm^-3。结果发现,在0.4-0.67范围的氢稀释比率对于形成SiCln（n=0-2）基团很有利。在这个范围,平均电子能量和电子密度都有较大的值。生成较多的SiCln（n=0-2）基团将有利于提高薄膜沉积速率和薄膜质量。
- 娄艳辉王照奎林揆训林璇英
- 关键词：纳米硅薄膜
- 用质谱法测量SiH4辉光放电中性基团的空间分布
- 本文设计了一个取样位置能在电极间自由调节的取样装置,用质谱法首次测量了SiH(n=0-3)基团的空间相对丰度分布。SiH的消耗率是计算中性基团的关键参量,一种线性拟合的方法被提出来计算SiH的消耗率。SiH(n=0-3)...
- 王照奎林揆训林璇英邱桂明祝祖送
- 关键词：质谱法
- 射频辉光放电等离子体的电探针诊断及数据处理被引量：15
- 2000年
- Langmuir探针是等离子体诊断的一个重要方法 .对探针I V曲线进行求解二次微商是获得等离子体中的电子能量分布函数的关键 .由Fourier变换导出一个求解微商的数值解方法 .克服了现有方法所存在的缺点 .实现了对探针I V曲线求解二次微商的精确、自动运算 .测量了硅烷射频辉光放电等离子体的平均电子能量 (温度 )和浓度随放电功率的变化 .
- 姚若河池凌飞林璇英石旺舟林揆训
- 关键词：数据处理
- SnO_2：Sb电热膜的性能及应用被引量：12
- 1995年
- 用化学纯原料制备了大功率密度的ＳｎＯ２：Ｓｂ电热度．并分析其结构研究了掺杂量、溶液浓度和退火处理对电阻及电阻温度特性的影响．用喷涂法制备的大面积、性能稳定的ＳｎＯ２：Ｓｂ电热流功率角度高达４０Ｗ．
- 符史流林揆训刘育洲陈斯任林璇英
- 关键词：电热膜二氧化锡锑
- 溅射共沉积GaAs-SiO_2复合薄膜的XPS研究被引量：2
- 1997年
- 采用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）研究了由ＧａＡｓ和ＳｉＯ２组成的复合靶共溅射沉积的ＧａＡｓ－ＳｉＯ２复合薄膜的Ｇａ、Ａｓ和Ｓｉ的化学结合状态及其沉积时的基片温度对其影响。结果表明：Ｇａ、Ａｓ和Ｓｉ分别主要是以ＧａＡｓ和ＳｉＯ２的化学组态存在于复合薄膜之中，但当沉积时基片温度上升到一定值后（我们实验中为４００℃），有部分的Ｇａ和Ａｓ被氧化，其氧化量随着基片温度的进一步升高而上升。沉积的ＳｉＯ２中存在着少量的缺氧缺位。
- 石旺舟林揆训林璇英
- 关键词：砷化镓XPS
- 氩直流辉光放电等离子体中电子运动及能量的模拟被引量：5
- 2004年
- 采用自动调节时间步长的蒙特卡罗模拟,对平行板放电系统中的氩气直流辉光放电系统中的等离子体区内电子的运动过程进行了跟踪和抽样。统计结果表明:在我们的实验条件下,等离子体中的电子在电场作用下出现明显的轴向漂移;在40000次抽样中,出现能量为E的电子数目随能量E增大呈下降趋势,场强增大将引起能量分布展宽和电子平均能量增加;即使场强达到15V·cm-1,等离子体激发和电离仍是很少的;场强和气压都能明显改变电子的平均自由程。
- 余云鹏林舜辉林旭升池凌飞林璇英林揆训
- 关键词：辉光放电等离子体电子运动电子能量蒙特卡罗模拟
- Langmuir单探针诊断射频辉光放电等离子体及其数据处理被引量：50
- 2001年
- Langmuir探针是诊断等离子体参数的重要手段 .报道了在氩气射顿 (13 5 6MHz)辉光放电等离子体中使用调谐单探针进行诊断 ,对探针I V特性曲线的统计噪声进行了数字滤波的光滑化处理 ,而后求二次微商 .在相同的放电条件下 ,使用自行设计的微分电路 ,对探针特性二次微商进行在线测量 .这两种方法得到的二次微商结果能够较好地符合 .
- 池凌飞林揆训姚若河林璇英余楚迎余云鹏
- 关键词：LANGMUIR探针微分电路数据处理等离子体
- 等离子体化学气相沉积参量对Ar等离子体电子特性的影响被引量：2
- 2004年
- 采用加热的调谐单探针技术,研究了射频辉光放电Ar等离子体空间电子能量分布函数,电子平均能量和电子密度,并系统分析了等离子体增强化学气相沉积工艺参量对等离子体空间电子特性的影响。
- 魏俊红林璇英赵韦人池凌飞余云鹏林揆训黄锐王照奎余楚迎
- 关键词：等离子体化学气相沉积
