申君君
- 作品数：5 被引量：4H指数：1
- 供职机构：重庆邮电大学光电工程学院更多>>
- 发文基金：重庆市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 6H-SiC埋沟MOSFET的C-V解析模型研究被引量：1
- 2009年
- 研究了6H-SiC埋沟MOSFET器件的电容-电压特性,建立了解析模型。具体分析了埋沟MOSFET各种工作模式下的电容与栅电压之间的关系,考虑了SiO2/SiC界面态及pn结对电容-电压特性的影响。对模型进行了仿真分析验证,结果表明:在假设界面态密度分布均匀条件下,由于对界面态做了简化处理,因而在耗尽模式及夹断模式下的C-V特性计算结果与实验结果有所差异。
- 王巍王玉青申君君唐政维秘俊杰
- 关键词：碳化硅埋沟MOSFET界面态
- 4H-SiC肖特基二极管温度传感器模型分析被引量：1
- 2008年
- 在4H-SiC肖特基二极管正向电流热电子发射理论基础上,得出了理想因子、势垒高度及串联电阻随温度变化的特性值,并结合考虑三者随温度变化的特性提出了一种计算正向电流密度的理论模型通过对肖特基二极管的正向特性在300～500K的温度范围内的电流电压曲线模拟,表明温度升高对正向特性的影响比较显著,肖特基二极管适合于高温工作。
- 申君君王巍王玉青
- 关键词：4H-碳化硅肖特基二极管温度传感器
- 6H-SiC埋沟NMOSFET耗尽模式的电流特性分析
- 2008年
- 在考虑杂质不完全离化的作用下,建立了6H-SiC埋沟NMOSFET耗尽模式下的电流解析模型。并通过模型,仿真分析了器件电流随温度的变化情况。在温度达到600k以上时,杂质的不完全离化作用对器件的影响不明显。常温下电流特性模型的仿真结果与实验结果的一致性,说明了本模型的准确性。
- 王玉青申君君孙燕斌
- 关键词：SIC
- MISiC肖特基二极管式氢敏传感器模型研究
- 2008年
- 在结合考虑6H—SiC肖特基二极管正向热电子发射理论和氢吸附效应的基础上，研究了MIS氢敏传感器的敏感机理，建立了传感器模型，具体分析了绝缘层厚度、灵敏度对传感器特性的影响。利用MATLAB对传感器的电流一电压响应特性、灵敏度、电流分辨率与绝缘层之间的关系进行了仿真，结果表明绝缘层厚度、灵敏度是影响传感器性能的重要因素，并确定了在300℃时传感器最佳绝缘层厚度为2—2．35nm，从而有效地提高了传感器灵敏度。
- 申君君王巍王玉青
- 关键词：6H-SIC肖特基二极管氢敏传感器
- 6H-SiC埋沟MOSFET的C-V特性研究被引量：2
- 2009年
- 研究了6H-SiC埋沟MOSFET器件的电容-电压解析模型,分析了埋沟MOSFET各种工作模式下的电容与电压之间的关系。在建模过程中考虑了SiO2/SiC界面态及PN结的影响,并仿真分析了耗尽模式、夹断模式下器件总的C-V特性的模型。由于在假设界面态密度分布均匀条件下,对界面态做了简化处理,因而计算结果与实验结果有所差异。
- 王玉青王巍申君君
- 关键词：SIC埋沟MOSFET界面态
