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王玉青

作品数:9 被引量:10H指数:2
供职机构:重庆邮电大学光电工程学院更多>>
发文基金:重庆市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 9篇中文期刊文章

领域

  • 9篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 4篇6H-SIC
  • 3篇光传输
  • 2篇碳化硅
  • 2篇肖特基
  • 2篇肖特基二极管
  • 2篇埋沟MOSF...
  • 2篇界面态
  • 2篇光放大
  • 2篇光放大器
  • 2篇二极管
  • 2篇放大器
  • 2篇感器
  • 2篇OTU
  • 2篇SIC
  • 2篇DWDM
  • 2篇传感
  • 2篇传感器
  • 2篇V
  • 2篇C-V
  • 2篇FEC

机构

  • 9篇重庆邮电大学
  • 1篇北京信息科技...
  • 1篇电子科技大学

作者

  • 9篇王玉青
  • 5篇王巍
  • 5篇申君君
  • 4篇孙燕斌
  • 3篇刘波
  • 1篇龚云贵
  • 1篇兰中文
  • 1篇孙江宏
  • 1篇唐政维
  • 1篇秘俊杰

传媒

  • 3篇重庆邮电大学...
  • 2篇山西电子技术
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇微电子学
  • 1篇广东通信技术
  • 1篇数字通信世界

年份

  • 3篇2009
  • 6篇2008
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
4H-SiC肖特基二极管温度传感器模型分析被引量:1
2008年
在4H-SiC肖特基二极管正向电流热电子发射理论基础上,得出了理想因子、势垒高度及串联电阻随温度变化的特性值,并结合考虑三者随温度变化的特性提出了一种计算正向电流密度的理论模型通过对肖特基二极管的正向特性在300~500K的温度范围内的电流电压曲线模拟,表明温度升高对正向特性的影响比较显著,肖特基二极管适合于高温工作。
申君君王巍王玉青
关键词:4H-碳化硅肖特基二极管温度传感器
6H-SiC埋沟NMOSFET耗尽模式的电流特性分析
2008年
在考虑杂质不完全离化的作用下,建立了6H-SiC埋沟NMOSFET耗尽模式下的电流解析模型。并通过模型,仿真分析了器件电流随温度的变化情况。在温度达到600k以上时,杂质的不完全离化作用对器件的影响不明显。常温下电流特性模型的仿真结果与实验结果的一致性,说明了本模型的准确性。
王玉青申君君孙燕斌
关键词:SIC
MISiC肖特基二极管式氢敏传感器模型研究
2008年
在结合考虑6H—SiC肖特基二极管正向热电子发射理论和氢吸附效应的基础上,研究了MIS氢敏传感器的敏感机理,建立了传感器模型,具体分析了绝缘层厚度、灵敏度对传感器特性的影响。利用MATLAB对传感器的电流一电压响应特性、灵敏度、电流分辨率与绝缘层之间的关系进行了仿真,结果表明绝缘层厚度、灵敏度是影响传感器性能的重要因素,并确定了在300℃时传感器最佳绝缘层厚度为2—2.35nm,从而有效地提高了传感器灵敏度。
申君君王巍王玉青
关键词:6H-SIC肖特基二极管氢敏传感器
基于OES的等离子体刻蚀过程被引量:3
2008年
光学发射光谱(OES)诊断技术是高密度等离子体刻蚀工艺过程的关键技术,OES信号作为一种实时信号可以用来预测刻蚀过程的进展程度和判断刻蚀性能的好坏。在自行研发的等离子体刻蚀机平台上,采用美国海洋公司的OES传感器系统,采集多晶硅刻蚀工艺中所产生的OES信号,利用主元素分析法(PCA)对OES数据进行压缩处理,提高了实时信号的快速处理能力。对实验数据的分析表明:波长为405nm的OES谱线可以明确显示出等离子体刻蚀进程,是一条表征等离子体刻蚀过程的状态检测及终点检测控制的特征谱线。在此基础之上,提出了基于PCA法的终点检测算法,用以判断刻蚀终点。
王巍王玉青孙江宏兰中文龚云贵
关键词:等离子体刻蚀OES
长途高速骨干网光传输系统的优化设计被引量:3
2008年
为了改善长途高速骨干网光传输系统的传输性能,对其系统器件进行了优化配置,主要包括提出一种新的光放大器的配置方案,在光传送单元(OTU)中引入FEC技术。以便实现在确保低成本的条件下实现高效、高质量传输要求的目的。
孙燕斌刘波王玉青
关键词:DWDM光放大器OTUFEC
6H-SiC埋沟MOSFET的C-V解析模型研究被引量:1
2009年
研究了6H-SiC埋沟MOSFET器件的电容-电压特性,建立了解析模型。具体分析了埋沟MOSFET各种工作模式下的电容与栅电压之间的关系,考虑了SiO2/SiC界面态及pn结对电容-电压特性的影响。对模型进行了仿真分析验证,结果表明:在假设界面态密度分布均匀条件下,由于对界面态做了简化处理,因而在耗尽模式及夹断模式下的C-V特性计算结果与实验结果有所差异。
王巍王玉青申君君唐政维秘俊杰
关键词:碳化硅埋沟MOSFET界面态
长途高速骨干网光传输系统的优化设计
2008年
为了改善长途高速骨干网光传输系统的传输性能,对其系统结构进行了优化设计,并对系统器件进行了优化配置,主要包括提出一种新的光放大器的配置方案,在光传送单元(OTU)中引入FEC技术以及对光接收器进行了优化设计。以便在确保低成本的条件下实现高效、高质量传输要求的目的。
孙燕斌刘波王玉青
关键词:DWDM光放大器OTUFEC光接收器
6H-SiC埋沟MOSFET的C-V特性研究被引量:2
2009年
研究了6H-SiC埋沟MOSFET器件的电容-电压解析模型,分析了埋沟MOSFET各种工作模式下的电容与电压之间的关系。在建模过程中考虑了SiO2/SiC界面态及PN结的影响,并仿真分析了耗尽模式、夹断模式下器件总的C-V特性的模型。由于在假设界面态密度分布均匀条件下,对界面态做了简化处理,因而计算结果与实验结果有所差异。
王玉青王巍申君君
关键词:SIC埋沟MOSFET界面态
长途高速骨干网光传输系统的优化设计
2009年
随着因特网中数据业务流量的日益膨胀.迫使运营商不断扩张长途高速骨干网光传输系统的数据传输容量。密集波分复用(DWDM)技术就是一种实现扩张带宽的灵活、快捷且成本低的手段,它可以利用现有的光纤基础设施将网络传输容量提高到原来的80甚至160倍。但是.DWDM系统是一个十分复杂的光传输系统.如何实现高效、低成本的光传送网络,以及如何优化设计网络结构和有效配置网络设备。就成为光网络研究的核心问题。
孙燕斌刘波王玉青
关键词:光传输系统骨干网光传送网络密集波分复用DWDM系统
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