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王鹏飞

作品数：273 被引量：75H指数：6
供职机构：复旦大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金高等学校骨干教师资助计划国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学医药卫生更多>>

合作作者

文献类型

  • 239篇专利
  • 24篇期刊文章
  • 5篇会议论文
  • 3篇学位论文
  • 2篇科技成果

领域

  • 48篇电子电信
  • 11篇自动化与计算...
  • 8篇医药卫生
  • 8篇理学
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇机械工程
  • 2篇电气工程
  • 2篇文化科学
  • 1篇哲学宗教
  • 1篇环境科学与工...

主题

  • 66篇电路
  • 66篇半导体
  • 65篇晶体管
  • 60篇集成电路
  • 45篇存储器
  • 44篇淀积
  • 32篇自对准
  • 31篇场效应
  • 29篇场效应晶体管
  • 28篇原子层淀积
  • 28篇芯片
  • 28篇互连
  • 26篇漏电流
  • 25篇漏电
  • 24篇隧穿
  • 24篇沟道
  • 23篇介电常数
  • 23篇二极管
  • 22篇介电
  • 19篇纳米

机构

  • 273篇复旦大学
  • 2篇同济大学
  • 2篇首都医科大学...
  • 1篇上海市疾病预...
  • 1篇洛阳职业技术...
  • 1篇上海华虹宏力...

作者

  • 273篇王鹏飞
  • 238篇张卫
  • 130篇孙清清
  • 54篇丁士进
  • 44篇周鹏
  • 34篇林曦
  • 26篇臧松干
  • 25篇刘晓勇
  • 19篇王季陶
  • 13篇王玮
  • 11篇卢红亮
  • 11篇刘晗
  • 11篇吴东平
  • 10篇刘昕彦
  • 10篇房润辰
  • 9篇顾晶晶
  • 8篇张剑云
  • 8篇杨雯
  • 8篇吴俊
  • 7篇陈琳

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 2篇复旦学报（自...
  • 2篇功能材料
  • 2篇固体电子学研...
  • 2篇微电子学
  • 2篇微细加工技术
  • 1篇金属学报
  • 1篇北京医学
  • 1篇无机化学学报
  • 1篇高技术通讯
  • 1篇材料研究学报
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇微电子技术
  • 1篇首都医科大学...
  • 1篇自然科学进展...
  • 1篇中国艾滋病性...
  • 1篇阿尔茨海默病...
  • 1篇中国科学：物...
  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 2篇2024
  • 5篇2023
  • 4篇2022
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 5篇2017
  • 13篇2016
  • 10篇2015
  • 24篇2014
  • 34篇2013
  • 65篇2012
  • 39篇2011
  • 46篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2006
  • 1篇2003
  • 13篇2001
  • 5篇2000
  • 1篇1999
共 273 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
广谱的抗冠状病毒的单克隆抗体的制备和应用
本发明提供了广谱的抗冠状病毒的单克隆抗体的制备和应用，具体地，本发明公开了3株针对新冠病毒SARS‑CoV和/或SARS‑CoV‑2的受体结合域(RBD)蛋白的单克隆抗体、编码抗体和抗体片段的核酸序列及其制备方法。体外实...
王鹏飞曹志伟赵晓宇裘天颐乔芮李嘉言
一种能与人体结合的微生物燃料电池
本发明属于再生能源技术领域，具体公开了一种微生物燃料电池。该微生物燃料电池包括一个腔体以及包含在所述腔体内依次排列的阴极、质子交换膜、阳极和多孔膜。该微生物燃料电池利用微生物对血糖的催化进行分解，在分解过程中产生二氧化碳...
刘晗周立人王鹏飞张卫
文献传递
一种适用于铜互连的Ru/WHfN抗铜扩散阻挡层及其制备方法
本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种适用于铜互连的Ru/WHfN抗铜扩散阻挡层及其制备方法。本发明中，抗铜扩散阻挡层采用Ru/WHfN双层结构。由于在WN中加入了Hf，大大提高了WHfN薄膜的结晶温度，使得...
丁士进胡龙龙杨春晓张卫王鹏飞
一种基于金属-绝缘体-半导体结构的量子效应器件
本发明属于量子效应器件技术领域，具体涉及一种基于金属-绝缘体-半导体（MIS）结构的量子效应器件。本发明包括：一个半导体衬底，位于半导体衬底之上的源极、漏极、隧穿绝缘体层、金属层；所述的金属层、隧穿绝缘体层与半导体衬底构...
林曦王玮王鹏飞孙清清张卫
文献传递
一种自对准的垂直式非挥发性半导体存储器件
本发明属于半导体存储器件技术领域，具体涉及一种自对准的垂直式非挥发性半导体存储器件。包括：一个半导体衬底,一个具有第一种掺杂类型的漏区,两个具有第二种掺杂类型的源区,一个用于捕获电子的堆叠栅;其中，漏区和两个源区和堆叠栅...
王鹏飞林曦孙清清张卫
文献传递
一种空气隙石墨烯晶体管及其制备方法
本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体为一种空气隙石墨烯晶体管及其制备方法。先在硅衬底上生长栅电极、栅介质，并形成源、漏图形，再将石墨烯转移到已经形成的源、漏图形上，从而实现石墨烯与栅介质的隔离。利用空气隙将石墨烯和栅...
孙清清江婷婷王鹏飞张卫江安全
文献传递
一种低介电常数介质与铜互连的结构及其集成方法
本发明属于半导体器件技术领域，具体公开了一种低介电常数介质与铜互连的结构及其集成方法。包括：采用铜互连与气隙结合起来降低电容；用特定支撑结构来支撑铜导线以在去除介质后维持铜导线的形状。本发明的优点在于可以实现全气隙结构而...
王鹏飞张卫
文献传递
一种在单块芯片上集成高性能器件与低功耗器件的制造方法
本发明属于半导体器件制造技术领域，具体涉及一种在单块芯片上集成碰撞电离场效应晶体管（IMOS）与隧穿场效应晶体管（TFET）的制造方法，其中通过控制第三次离子注入的剂量，不仅可以制造出相同沟道类型的TFET和与IMOS，...
臧松干王鹏飞张卫
低介电常数含氟氧化硅薄膜的研究被引量：11
2000年
综述了近十年来低介电常数含氟氧化硅薄膜的研究状况 ,详细介绍了该薄膜在化学键结构、热性质、湿稳定性以及介电常数四个方面的特性 ,同时也简单介绍了薄膜的台阶覆盖度、填隙能力和漏电流特性 ,指出含氟氧化硅薄膜是一种可用于集成电路中的极富应用前景的低介电常数材料。
丁士进张卫王鹏飞张剑云刘志杰王季陶
关键词：低介电常数硅薄膜氧化硅漏电流覆盖度热性质
全文增补中
一种应用于MOSFETs器件的超高速I<Sub>d</Sub>-V<Sub>g</Sub>测试方法
本发明属于金属氧化物半导体晶体管测试技术领域，具体涉及一种用于高性能MOSFET晶体管器件的I<Sub>d</Sub>-V<Sub>g</Sub>测试方法。该方法是在测试回路中用一个接近晶体管开态电阻阻值的片状电阻代替待...
王晨卢红亮孙清清周鹏王鹏飞张卫
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