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林曦

作品数：38 被引量：0H指数：0
供职机构：复旦大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术政治法律哲学宗教更多>>

合作作者

文献类型

  • 32篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 10篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇政治法律
  • 1篇经济管理
  • 1篇哲学宗教

主题

  • 13篇晶体管
  • 12篇存储器
  • 10篇栅控
  • 9篇隧穿
  • 8篇绝缘
  • 8篇二极管
  • 7篇量子
  • 7篇漏电
  • 7篇漏电流
  • 7篇绝缘体
  • 7篇半导体存储
  • 7篇半导体存储器
  • 6篇自对准
  • 6篇芯片
  • 6篇沟道
  • 6篇浮栅
  • 6篇摆幅
  • 6篇衬底
  • 5篇电子隧穿
  • 5篇栅控二极管

机构

  • 38篇复旦大学

作者

  • 38篇林曦
  • 34篇王鹏飞
  • 33篇张卫
  • 23篇孙清清
  • 9篇王玮
  • 4篇刘伟
  • 2篇刘昕彦
  • 2篇刘晓勇
  • 1篇陈帆
  • 1篇丁士进
  • 1篇季伟
  • 1篇刘梅
  • 1篇姚尧
  • 1篇徐向明
  • 1篇臧松干

传媒

  • 1篇微电子学
  • 1篇中国政法大学...
  • 1篇韩国研究论丛

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2019
  • 2篇2016
  • 5篇2014
  • 4篇2013
  • 12篇2012
  • 10篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2006
  • 1篇2004
共 38 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种用于制造大功率器件的半导体衬底的制造方法
本发明属于高压大功率器件技术领域，具体为一种用于制造大功率器件的半导体衬底的制造方法。该方法先对区熔硅片的正面进行离子注入，然后采用耐高温金属作为中间媒介将倒扣后的区熔硅片和高掺杂直拉硅片进行键合形成半导体衬底。键合后，...
王鹏飞林曦张卫
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一种由隧穿场效应晶体管组成的光探测器及其制造方法
本发明属于光互连技术领域，具体涉及一种由隧穿场效应晶体管（TFET）组成的光探测器。本发明将隧穿场效应晶体管和光纤整合在一起，采用垂直沟道的隧穿场效应晶体管作为探测器来对光进行检测，所需偏压低，降低了能耗，并且提高了光探...
王鹏飞林曦王玮刘晓勇张卫
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一种基于金属-绝缘体-半导体结构的量子效应器件
本发明属于量子效应器件技术领域，具体涉及一种基于金属-绝缘体-半导体（MIS）结构的量子效应器件。本发明包括：一个半导体衬底，位于半导体衬底之上的源极、漏极、隧穿绝缘体层、金属层；所述的金属层、隧穿绝缘体层与半导体衬底构...
林曦王玮王鹏飞孙清清张卫
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一种自对准的垂直式非挥发性半导体存储器件
本发明属于半导体存储器件技术领域，具体涉及一种自对准的垂直式非挥发性半导体存储器件。包括：一个半导体衬底,一个具有第一种掺杂类型的漏区,两个具有第二种掺杂类型的源区,一个用于捕获电子的堆叠栅;其中，漏区和两个源区和堆叠栅...
王鹏飞林曦孙清清张卫
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一种U型结构的半浮栅器件及其制造方法
本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种U型结构的半浮栅器件及其制造方法。本发明在U形凹槽形成后，保留原先的硬掩膜层；先通过淀积第一层多晶硅并回刻来定义出器件浮栅开口区域的位置，然后淀积第二层多晶硅；在对多晶硅进行刻蚀...
王鹏飞林曦孙清清张卫
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一种半导体存储器结构及其制造方法
本发明属于微电子器件技术领域，具体为一种半导体存储器结构及其制造方法。该半导体存储器采用隧穿场效应晶体管对相变存储器或阻变存储器进行比如擦写操作和读操作的控制，一方面，隧穿场效应晶体管的正向偏置p-n结电流可以满足相变存...
王鹏飞林曦孙清清张卫
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一种垂直结构的半导体存储器及其制造方法
本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种垂直结构的半导体存储器及其制造方法。本发明的存储器是垂直沟道型双金属浮栅存储器，它包括至少一个衬底区、一个漏区、一个源区、两个浮栅区和一个控制栅极，所述存储器的浮栅区用于存储电荷...
王鹏飞林曦张卫
垂直沟道的隧穿晶体管的制造方法
本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种垂直沟道的隧穿晶体管的制造方法。围栅型的栅极结构增强了栅极的控制能力，窄禁带宽度材料的源极使得器件的驱动电流得到提升。采用本发明所提出的垂直沟道的型隧穿晶体管的制造方法，可以精确...
王鹏飞林曦刘伟孙清清张卫
一种栅控二极管半导体存储器器件的制造方法
本发明属于半导体存储器器件制造技术领域，具体公开了一种栅控二极管半导体存储器器件的制造方法。本发明采用低温工艺制备栅控二极管半导体存储器器件，工艺过程简单、制造成本低，而且所制造的栅控二极管存储器器件具有大驱动电流、小亚...
王鹏飞林曦孙清清张卫
一种用于制造大功率器件的半导体衬底的制造方法
本发明属于高压大功率器件技术领域，具体为一种用于制造大功率器件的半导体衬底的制造方法。该方法先对区熔硅片的正面进行离子注入，然后采用耐高温金属作为中间媒介将倒扣后的区熔硅片和高掺杂直拉硅片进行键合形成半导体衬底。键合后，...
王鹏飞林曦张卫
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