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文献类型

  • 3篇中文专利

领域

  • 1篇经济管理

主题

  • 3篇光刻
  • 2篇树脂
  • 2篇树脂层
  • 2篇酸性
  • 2篇酸性溶液
  • 2篇自对准
  • 2篇金属膜
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体材料
  • 1篇鹰嘴
  • 1篇图形分辨率
  • 1篇显影液
  • 1篇胶层
  • 1篇光刻胶
  • 1篇分辨率

机构

  • 3篇中国电子科技...

作者

  • 3篇王雯
  • 2篇李理
  • 2篇柏松
  • 2篇陈刚
  • 1篇任春江
  • 1篇陈堂胜
  • 1篇陈谷然

年份

  • 1篇2014
  • 2篇2013
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
用树脂层制造密集台阶型器件自对准金属图形的转移方法
本发明是用树脂层制造密集台阶型器件自对准金属图形的转移方法,其工艺包括:一、制成密集台阶结构;二、使用酸性溶液清洗经过部分工艺的半导体材料;三、在半导体材料上形成一层金属膜;四、在半导体材料上涂覆粘附剂、树脂层;五、树脂...
陈刚李理王雯柏松
文献传递
一种应用于金属剥离的单层正性光刻胶光刻方法
本发明提出了一种应用于金属剥离的单层正性光刻胶光刻方法,包括如下步骤:1)在半导体基板1上涂覆正性光刻胶层2;2)对光刻胶层2进行涂胶后烘焙处理去除部分溶剂;3)对光刻胶层2进行正性光刻胶显影液处理;4)对光刻胶层2进行...
陈谷然王雯任春江陈堂胜
文献传递
用树脂层制造密集台阶型器件自对准金属图形的转移方法
本发明是用树脂层制造密集台阶型器件自对准金属图形的转移方法,其工艺包括:一、制成密集台阶结构;二、使用酸性溶液清洗经过部分工艺的半导体材料;三、在半导体材料上形成一层金属膜;四、在半导体材料上涂覆粘附剂、树脂层;五、树脂...
陈刚李理王雯柏松
共1页<1>
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