王进
- 作品数：4 被引量：5H指数：2
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- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 靶基距对反应溅射AlN薄膜微结构和性能的影响被引量：2
- 2012年
- 采用射频(RF)磁控反应溅射法在Si基底上制备了氮化铝(AlN)薄膜,利用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和纳米力学测试系统研究靶基距对AlN薄膜取向性、微结构、形貌和力学性能的影响。结果表明,靶基距较大时,形成的AlN薄膜为非晶态,薄膜表面较疏松;随着靶基距的减少,AlN薄膜变为多晶态,且具有(100)择优取向;随着靶基距的进一步减少,薄膜结晶质量变好,晶粒变大,薄膜变得更致密,择优取向也由(100)逐渐向(002)转变;靶基距较小时,AlN压电薄膜与基底结合得更牢固,而压电薄膜与基底结合的紧密程度对多层膜声表面波(SAW)器件性能优劣的影响至关重要。
- 王进李翠平杨保和张庚宇尹涛涛苏林
- 适合体声波器件的多层膜的制备与性能研究
- 为了研制高频大功率的BAW器件所需的基底材料，本文构建制备了“AlN/Al/Si”和“ZnO/Al/Si”的多层膜结构。氮化铝（AlN）是一种重要的宽带隙Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体材料，为纤锌矿性晶体结构,并且具有许多优异的物...
- 王进
- 关键词：BAW衬底温度
- 文献传递
- (100)取向AlN薄膜的制备及其压电性能研究被引量：3
- 2012年
- 采用射频磁控溅射法,在Si(100)衬底(含Au导电层)上制备了(100)取向的AlN薄膜并研究了工作压强和溅射功率对制备的AlN薄膜性能的影响。利用X射线衍射仪(XRD)分析了薄膜结构特性,结果表明,在一定范围内,工作压强的增加和溅射功率的减小更有利于AlN(100)晶面择优取向的生长。利用压电力显微镜(PFM)对AlN薄膜的形貌和压电性能进行了表征,发现(100)择优取向的AlN薄膜的压电性主要表现在薄膜面内方向上。
- 尹涛涛杨保和李翠平王进
- 关键词：ALN薄膜射频磁控溅射压电性能
- 适合体声波器件的多层膜的制备与性能
- 为了研制高频大功率的BAW器件所需的基底材料，本文构建制备了“A1N/Al/Si”和“ZnO/Al/Si”的多层膜结构。氮化铝(AlN)是一种重要的宽带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，为纤锌矿性晶体结构，并且具有许多优异的物...
- 王进
- 关键词：体声波滤波器衬底温度多层膜结构
- 文献传递
