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张庚宇

作品数:3 被引量:2H指数:1
供职机构:天津理工大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金天津市科技支撑计划天津市自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇学位论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇多层膜
  • 2篇声表面波
  • 2篇声表面波器件
  • 2篇ALN
  • 2篇IDT
  • 2篇叉指换能器
  • 1篇射频
  • 1篇微结构
  • 1篇滤波器
  • 1篇溅射
  • 1篇反应溅射
  • 1篇薄膜微结构
  • 1篇SAW滤波器
  • 1篇AIN
  • 1篇磁控

机构

  • 3篇天津理工大学

作者

  • 3篇张庚宇
  • 1篇苏林
  • 1篇杨保和
  • 1篇尹涛涛
  • 1篇王进
  • 1篇李翠平

传媒

  • 1篇光电子.激光

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
靶基距对反应溅射AlN薄膜微结构和性能的影响被引量:2
2012年
采用射频(RF)磁控反应溅射法在Si基底上制备了氮化铝(AlN)薄膜,利用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和纳米力学测试系统研究靶基距对AlN薄膜取向性、微结构、形貌和力学性能的影响。结果表明,靶基距较大时,形成的AlN薄膜为非晶态,薄膜表面较疏松;随着靶基距的减少,AlN薄膜变为多晶态,且具有(100)择优取向;随着靶基距的进一步减少,薄膜结晶质量变好,晶粒变大,薄膜变得更致密,择优取向也由(100)逐渐向(002)转变;靶基距较小时,AlN压电薄膜与基底结合得更牢固,而压电薄膜与基底结合的紧密程度对多层膜声表面波(SAW)器件性能优劣的影响至关重要。
王进李翠平杨保和张庚宇尹涛涛苏林
IDT/AIN/Diamond声表面波多层膜的模拟与制备
为了研制高频(2.5GHz)大功率SAW滤波器所需的基底材料-“IDT/AlN/Diamond”多层膜结构,本文建立了“IDT/AlN”结构和“IDT/AlN/Diamond”结构的几何模型,通过有限元分析软件ANSYS...
张庚宇
关键词:声表面波器件叉指换能器SAW滤波器
文献传递
IDT/A1N/Diamond声表面波多层膜的模拟与制备
为了研制高频(2.5GHz)大功率SAW滤波器所需的基底材料---“IDT/AlN/Diamond”多层膜结构,本文建立了“IDT/AlN”结构和“IDT/AlN/Diamond”结构的几何模型,通过有限元分析软件ANS...
张庚宇
关键词:声表面波器件ALN叉指换能器多层膜
文献传递
共1页<1>
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