王旺平
- 作品数：12 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 负电子亲和势冷阴极X射线管
- 本发明为一种负电子亲和势冷阴极X射线管，其特征在于：冷阴极由电发射型的负电子亲和势冷阴极构成，其中冷阴极材料含有P‑N结，无须外加光源即可产生真空电子发射；X射线管靶材位于管壳阳极；冷阴极和阳极靶材采用冷铟封接，整管真空...
- 王旺平马建一申屠军
- 文献传递
- 可见-近红外响应InGaAs光电倍增管
- 2015年
- 光电倍增管,在单光子探测应用中,有独特优势,其有效面积大,暗电流低,且倍增系数大。基于三代负电子亲和势阴极技术研究了InGaAs光电倍增管,利用GaAs衬底外延InGaAs,将三代光电阴极截止波长从920nm拓展至1100nm,阴极积分灵敏度340uA/lm,光谱峰值830nm,1000nm辐射灵敏度6.2mA/W,InGaAs性能达到日本滨松公司V8071U-76产品水平。在内置2块微通道板后,整管电子倍增系数大于105。
- 王旺平马建一
- 关键词：GAASINGAAS光电倍增管
- 一种电子轰击型雪崩二极管
- 本发明公开了一种电子轰击型雪崩二极管，其结构从下到上依次是背面电极，此电极为Ti/Pt/Au电极；衬底，此衬底为n型Si；p型Si外延层；p型Si重掺杂层；正面电极，此电极为Ti/Pt/Au电极；SiO<Sub>2</S...
- 徐鹏霄王霄周剑明唐家业王旺平戴丽英唐光华赵文锦钟伟俊汪述猛
- 文献传递
- 一种基于半导体致冷片的InGaAs光电阴极致冷装置
- 本发明是一种基于半导体致冷片的InGaAs光电阴极致冷装置，利用InGaAs阴极与金属封接环的电气连接和导热特性，半导体致冷片通过金属散热片以及与之紧贴的金属封接环对InGaAs阴极进行有效致冷，而半导体致冷片热面的散热...
- 杨杰王旺平赵文锦
- 文献传递
- 一种增强热稳定性的透射式光电阴极材料的变掺杂结构
- 本发明是一种增强热稳定性的透射式光电阴极材料的变掺杂结构，在GaAs100衬底材料层往上依次为AlGaAs腐蚀阻挡层，GaAs锌重掺杂层，GaAs锌低掺杂层，GaAs 碳梯度掺杂层，GaAs间隔层，AlGaAs窗口层。优...
- 王旺平马建一
- 文献传递
- 负电子亲和势冷阴极X射线管
- 本发明为一种负电子亲和势冷阴极X射线管，其特征在于：冷阴极由电发射型的负电子亲和势冷阴极构成，其中冷阴极材料含有P-N结，无须外加光源即可产生真空电子发射；X射线管靶材位于管壳阳极；冷阴极和阳极靶材采用冷铟封接，整管真空...
- 王旺平马建一申屠军
- 文献传递
- 一种电子轰击型雪崩二极管
- 本发明公开了一种电子轰击型雪崩二极管，其结构从下到上依次是背面电极，此电极为Ti/Pt/Au电极；衬底，此衬底为n型Si；p型Si外延层；p型Si重掺杂层；正面电极，此电极为Ti/Pt/Au电极；SiO<Sub>2</S...
- 徐鹏霄王霄周剑明唐家业王旺平戴丽英唐光华赵文锦钟伟俊汪述猛
- 近红外响应的Ⅲ-V族半导体光电阴极材料及工艺被引量：4
- 2013年
- 随着GaAs负电子亲和势(NEA)半导体光电阴极在我国的成熟和应用,半导体光电阴极的进一步研究将往更长波的近红外发展。针对透射式半导体光电阴极器件,系统总结了近红外波段响应良好的GaAs、InGaAs、InGaAsP Ⅲ-V族外延材料特性及相应商业化产品的应用领域和性能。通过文献调研本文进一步归纳了不同波段NEA光电阴极和转移电子光阴极适用的材料结构,并结合传统GaAs NEA光电阴极工艺讨论了InGaAs、InGaAsP材料及阴极工艺的难点。
- 王旺平马建一
- 关键词：GAASINGAASINGAASP
- 一种电子轰击型雪崩二极管
- 本实用新型公开了一种电子轰击型雪崩二极管，其结构从下到上依次是背面电极，此电极为Ti/Pt/Au电极；衬底，此衬底为n型Si；p型Si外延层；p型Si重掺杂层；正面电极，此电极为Ti/Pt/Au电极；SiO<Sub>2<...
- 徐鹏霄王霄周剑明唐家业王旺平戴丽英唐光华赵文锦钟伟俊汪述猛
- 文献传递
- 一种基于半导体致冷片的InGaAs光电阴极致冷装置
- 本发明是一种基于半导体致冷片的InGaAs光电阴极致冷装置，利用InGaAs阴极与金属封接环的电气连接和导热特性，半导体致冷片通过金属散热片以及与之紧贴的金属封接环对InGaAs阴极进行有效致冷，而半导体致冷片热面的散热...
- 杨杰王旺平赵文锦
- 文献传递
