马建一
- 作品数：10 被引量：22H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 可见-近红外响应InGaAs光电倍增管
- 2015年
- 光电倍增管,在单光子探测应用中,有独特优势,其有效面积大,暗电流低,且倍增系数大。基于三代负电子亲和势阴极技术研究了InGaAs光电倍增管,利用GaAs衬底外延InGaAs,将三代光电阴极截止波长从920nm拓展至1100nm,阴极积分灵敏度340uA/lm,光谱峰值830nm,1000nm辐射灵敏度6.2mA/W,InGaAs性能达到日本滨松公司V8071U-76产品水平。在内置2块微通道板后,整管电子倍增系数大于105。
- 王旺平马建一
- 关键词：GAASINGAAS光电倍增管
- 透紫玻璃与蓝宝石的热压粘结工艺研究被引量：2
- 2010年
- 透射式GaN阴极组件是GaN紫外日盲型探测器的最关键部件之一。介绍了制备透射式GaN阴极组件的工艺难点,主要报道了透紫玻璃与蓝宝石的热压粘结工艺的原理和研制过程,并着重分析了热压粘结工艺中出现的问题,同时提出了拟定的解决方案。
- 石吟馨戴丽英钟伟俊马建一王远阳
- 关键词：蓝宝石
- 负电子亲和势氮化镓光电阴极被引量：10
- 2007年
- 负电子亲和势GaN光电阴极在紫外探测技术领域具有诱人的应用前景。本文在介绍和分析负电子亲和势GaN光电阴极的特点、工作原理及其能带结构的基础上,设计了GaN外延材料的结构和阴极制作工艺。指出负电子亲和势GaN光电阴极制备的关键在于材料的生长、与输入光窗的融焊、衬底的减薄及彻底的去气处理和超高真空状态下的铯、氧激活。
- 李慧蕊申屠军戴丽英马建一
- 关键词：超高真空负电子亲和势GAN光电阴极光电探测
- 一种增强热稳定性的透射式光电阴极材料的变掺杂结构
- 本发明是一种增强热稳定性的透射式光电阴极材料的变掺杂结构，在GaAs100衬底材料层往上依次为AlGaAs腐蚀阻挡层，GaAs锌重掺杂层，GaAs锌低掺杂层，GaAs 碳梯度掺杂层，GaAs间隔层，AlGaAs窗口层。优...
- 王旺平马建一
- 文献传递
- 透射式GaAs光电阴极研究被引量：4
- 2010年
- 介绍了透射式GaAs光电阴极部件的制作技术和Cs、O激活机理;对Cs、O激活的GaAs光电阴极测试结果进行了分析,并指出了存在的问题和原因;讨论了提高GaAs光电阴极灵敏度的重要途径;提出了GaAs光电阴极灵敏度提高的技术方法以及进一步研究的方向。
- 马建一孙键
- 负电子亲和势冷阴极X射线管
- 本发明为一种负电子亲和势冷阴极X射线管，其特征在于：冷阴极由电发射型的负电子亲和势冷阴极构成，其中冷阴极材料含有P‑N结，无须外加光源即可产生真空电子发射；X射线管靶材位于管壳阳极；冷阴极和阳极靶材采用冷铟封接，整管真空...
- 王旺平马建一申屠军
- 文献传递
- 负电子亲和势冷阴极X射线管
- 本发明为一种负电子亲和势冷阴极X射线管，其特征在于：冷阴极由电发射型的负电子亲和势冷阴极构成，其中冷阴极材料含有P-N结，无须外加光源即可产生真空电子发射；X射线管靶材位于管壳阳极；冷阴极和阳极靶材采用冷铟封接，整管真空...
- 王旺平马建一申屠军
- 文献传递
- 负电子亲和势Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体光电阴极及其发展被引量：3
- 1996年
- 阐明了负电子亲和势Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体光电阴极的卓越光电性能，论述了关于其物理机制的四种理论模型见解，介绍了阴极材料生长技术和制作工艺以及拓展的应用领域并展望了趋势和前景。
- 马建一顾肇业申屠浩
- 关键词：负电子亲和势光电阴极化合物半导体
- 近红外响应的Ⅲ-V族半导体光电阴极材料及工艺被引量：4
- 2013年
- 随着GaAs负电子亲和势(NEA)半导体光电阴极在我国的成熟和应用,半导体光电阴极的进一步研究将往更长波的近红外发展。针对透射式半导体光电阴极器件,系统总结了近红外波段响应良好的GaAs、InGaAs、InGaAsP Ⅲ-V族外延材料特性及相应商业化产品的应用领域和性能。通过文献调研本文进一步归纳了不同波段NEA光电阴极和转移电子光阴极适用的材料结构,并结合传统GaAs NEA光电阴极工艺讨论了InGaAs、InGaAsP材料及阴极工艺的难点。
- 王旺平马建一
- 关键词：GAASINGAASINGAASP
- 一种增强热稳定性的透射式光电阴极材料的变掺杂结构
- 本发明是一种增强热稳定性的透射式光电阴极材料的变掺杂结构，在GaAs100衬底材料层往上依次为AlGaAs腐蚀阻挡层，GaAs锌重掺杂层，GaAs锌低掺杂层，GaAs碳梯度掺杂层，GaAs间隔层，AlGaAs窗口层。优点...
- 王旺平马建一
- 文献传递
