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王德君

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇淀积
  • 3篇原子层淀积
  • 3篇外延片
  • 3篇介质膜
  • 2篇电容
  • 2篇态密度
  • 2篇界面态
  • 2篇界面态密度
  • 2篇金属
  • 1篇等离子体处理
  • 1篇FET器件
  • 1篇MIS

机构

  • 3篇西安电子科技...

作者

  • 3篇刘莉
  • 3篇杨银堂
  • 3篇马晓华
  • 3篇王德君

年份

  • 2篇2014
  • 1篇2012
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
复合栅介质SiC MISFET器件的制作方法
本发明公开了一种复合栅结构SiC MISFET器件的制作方法，对P型SiC外延片进行标准湿法清洗；通过高温离子注入形成源漏N+掺杂；通过干氧氧化方法生长一层SiO2薄膜，形成底层栅介质；在ECRPE-MOCVD系统中对生...
刘莉王德君马晓华杨银堂
文献传递
叠栅SiC-MIS电容的制作方法
本发明公开了一种叠栅SiC-MIS电容的制作方法，主要解决SiC功率MIS器件栅泄漏电流过大、SiC和SiO<Sub>2</Sub>界面态密度过高以及击穿特性较差的问题。其制作过程是：对N型SiC外延片进行标准湿法清洗；...
刘莉王德君马晓华杨银堂
文献传递
叠栅SiC-MIS电容的制作方法
本发明公开了一种叠栅SiC-MIS电容的制作方法，主要解决SiC功率MIS器件栅泄漏电流过大、SiC和SiO<Sub>2</Sub>界面态密度过高以及击穿特性较差的问题。其制作过程是：对N型SiC外延片进行标准湿法清洗；...
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