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刘莉

作品数：46 被引量：27H指数：3
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家部委预研基金教育部科学技术研究重点项目更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 28篇专利
  • 14篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 2篇会议论文

领域

  • 24篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 13篇外延片
  • 9篇SIC
  • 8篇MOSFET
  • 7篇态密度
  • 7篇界面态
  • 7篇界面态密度
  • 6篇桥臂
  • 5篇碳膜
  • 5篇驱动电路
  • 5篇漏极
  • 5篇6H-SIC
  • 5篇MOS器件
  • 5篇串扰
  • 4篇电容
  • 4篇淀积
  • 4篇运算放大器
  • 4篇栅极
  • 4篇微电子
  • 4篇功率MOS器...
  • 4篇放大器

机构

  • 46篇西安电子科技...
  • 2篇西安电子科技...

作者

  • 46篇刘莉
  • 28篇杨银堂
  • 8篇李浩
  • 4篇马晓华
  • 4篇柴常春
  • 3篇王德君
  • 2篇刘毅
  • 2篇朱樟明
  • 1篇吴振宇
  • 1篇刘帘曦
  • 1篇彭杰
  • 1篇徐昌发
  • 1篇曹寒梅
  • 1篇魏经天
  • 1篇曾凯

传媒

  • 4篇物理学报
  • 2篇固体电子学研...
  • 2篇微电子学
  • 2篇第十三届全国...
  • 1篇科学通报
  • 1篇西北大学学报...
  • 1篇西南交通大学...
  • 1篇北京理工大学...
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇浙江大学学报...

年份

  • 5篇2024
  • 2篇2023
  • 7篇2022
  • 2篇2021
  • 3篇2019
  • 1篇2018
  • 3篇2017
  • 3篇2016
  • 3篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2012
  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 2篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 2篇2005
  • 3篇2004
  • 1篇2002
共 46 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
SiC/SiO_2界面形貌对SiC MOS器件沟道迁移率的影响被引量：1
2016年
为了研究SiC/SiO_2界面粗糙度对SiC MOS器件构道迁移率的影响,在离子注入后高温退火过程中采用碳膜保护SiC表面以减小退火过程中产生的表面粗糙度,碳膜的形成通过对光刻胶在600℃下前烘30min实现.研究结果表明:微结构分析所得的微米量级的横向表面粗糙度(峰对峰,谷对谷)不会影响电子平均自由程为纳米数量级的沟道电子在SiC MOS器件沟道中的迁移运动,在高温退火过程中,碳膜的是否存在对表面粗糙度和NMOS电容SiC/SiO_2界面态密度没有影响,而且NMOSFET器件的场效应迁移率没有发生太大的变化.
刘莉杨银堂
关键词：界面态密度场效应迁移率
叠栅SiC-MIS电容的制作方法
本发明公开了一种叠栅SiC-MIS电容的制作方法，主要解决SiC功率MIS器件栅泄漏电流过大、SiC和SiO<Sub>2</Sub>界面态密度过高以及击穿特性较差的问题。其制作过程是：对N型SiC外延片进行标准湿法清洗；...
刘莉王德君马晓华杨银堂
文献传递
耗尽型6H-SiC埋沟PMOSFET电流解析模型被引量：1
2006年
在考虑到杂质的不完全离化作用时，建立了SiC埋沟PMOSFET在发生表面多子耗尽时的电流解析模型。实验结果和模拟结果的一致性说明了此模型的准确性。在300～600K温度范围表面弱电场的条件下．由于杂质不完全离化作用得到充分体现．因此器件的工作状态有不同于常规模型下的特性；当温度升高时离化率的增大使得杂质的不完全离化作用得不到体现，所以文中模型的结果向常规模型的结果靠近．且都与实验结果接近。同时为了充分利用埋沟器件体内沟道的优势．对埋沟掺杂的浓度和深度也进行了合理的设计。
刘莉杨银堂
关键词：碳化硅
一种降低栅极沟槽处电场的SiC功率MOS器件结构
一种降低栅极沟槽处电场的SiC功率MOS器件结构，包括自下而上的漏区、衬底以及漂移区，在漂移区上方设置栅极多晶硅，在栅极多晶硅左右两侧设置对称的半元胞结构，每个半元胞结构包括位于漂移区上方边沿的源级金属，源级金属下方设置...
李浩钟铭浩刘莉
分区复合栅结构SiC DMISFET器件的制作方法
本发明公开了一种分区复合栅结构SiC DMISFET器件的制作方法，其步骤依次为对N‑/N+型SiC外延片表面清洗；刻出P‑base区并高温Al离子注入；刻出N+掺杂源区并高温N离子注入；刻出P型掺杂接触区域并P型掺杂高...
刘莉杨银堂
文献传递
一种改善SiC与SiO<Sub>2</Sub>界面态密度的方法
本发明提供一种改善SiC与SiO<Sub>2</Sub>界面态密度的方法，涉及一种微电子技术领域。该发明包括SiC外延片表面清洗；SiO<Sub>2</Sub>栅介质层生长；SiO<Sub>2</Sub>栅介质层的NO原...
刘莉杨银堂
文献传递
一种GaN HEMT多级异质缓冲层结构
本发明公开了一种GaN HEMT多级异质缓冲层结构，布置于衬底与GaN沟道层之间，所述多级异质缓冲层结构为：沿源极向漏极方向依次紧邻布置的第一缓冲层至第N缓冲层，各缓冲层为Al含量不同的AlGaN；其中第N缓冲层的Al含...
曾凯刘莉师毅恒李刚朋郭靖祺
网络漏洞扫描器的设计与实现
随着计算机网络的日益普及，安全漏洞导致的网络安全事件频繁发生，可以利用漏洞扫描技术检测网络系统中存在的安全隐患，从而为加固系统、抵御攻击提供帮助。本文介绍了网络漏洞扫描的关键技术，如传统扫描技术、端口扫描技术和操作系统辨...
刘莉
关键词：网络漏洞网络安全漏洞扫描插件技术
文献传递
一种面向车规芯片的故障注入仿真方法
本发明公开了一种面向车规芯片的故障注入仿真方法，包括以下步骤；步骤1：故障注入节点提取，用于读取设计模块、快速分析设计层级和节点信息，输出符合车规芯片故障仿真的故障注入节点；步骤2：故障注入仿真管理，将步骤1提取符合车规...
马鸿博刘莉刘毅
分区复合栅结构SiC DMISFET器件的制作方法
本发明公开了一种分区复合栅结构SiC DMISFET器件的制作方法，其步骤依次为对N-/N+型SiC外延片表面清洗；刻出P-base区并高温Al离子注入；刻出N+掺杂源区并高温N离子注入；刻出P型掺杂接触区域并P型掺杂高...
刘莉杨银堂
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