潘群峰
- 作品数：5 被引量：11H指数：2
- 供职机构：上海大学理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金福建省自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- MOCVD材料生长的在位反射谱监测与表面不均衡平整度的模拟计算
- 2004年
- 介绍了MOCVD在位反射谱监测的原理,利用高斯分布模拟GaN材料生长过程中表面不均衡平整度,计算其对反射谱的影响。
- 潘群峰
- 关键词：反射谱平整度反射率
- p型GaN欧姆接触的研究进展被引量：5
- 2004年
- 宽带隙的GaN作为半导体领域研究的热点之一,近年来发展得很快。p型GaN的欧姆接触问题一直阻碍高温大功率GaN基器件的研制。本文讨论了金属化方案的选择、表面预处理和合金化处理等几个问题,回顾了近年来p型GaN欧姆接触的研究进展。
- 潘群峰刘宝林
- 关键词：宽带隙GAN欧姆接触合金化处理
- 掺硅InGaN和掺硅GaN的光学性质的研究被引量：5
- 2004年
- 采用光致发光方法研究了采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)在蓝宝石衬底上生长的掺硅InGaN和掺硅GaN材料的光学性质。在室温下,InGaN材料带边峰位置为437.0nm,半高宽为14.3nm;GaN材料带边峰位置为363.4nm,半高宽为9.5nm。进行变温测量发现,随温度的升高,两种材料的发光强度降低,半高宽增大;GaN材料的带边峰值能量位置出现红移现象,与Varshini公式符合较好;InGaN材料的带边峰值能量位置则出现红移 蓝移 红移现象,这与InGaN材料的局域态、热效应以及由于电子 空穴对的形成而造成的无序程度增加有关,对大于140K的峰值能量位置的红移用Varshini公式拟合,符合较好。
- 康凌刘宝林蔡加法潘群峰
- 关键词：INGANGAN红移蓝移
- La,Nb共掺杂BiFeO_3薄膜中的光致应变效应及应力调控被引量：1
- 2014年
- 本文利用反射式飞秒抽运-探测技术,系统研究了飞秒激光诱导La和Nb共掺杂的铁酸铋(Bi0.8La0.2Fe0.99Nb0.01O3)薄膜中纵向声学声子的动力学过程,声学声子的产生源于光致应变效应.实验发现不同的衬底(ZrO2和PbMg1/3Nb2/3-PbTiO3)可以调制外延生长的Bi0.8La0.2Fe0.99Nb0.01O3薄膜的面外弹性系数C⊥.此外,通过对压电晶体衬底PbMg1/3Nb2/3-PbTiO3外加电压,实现了对薄膜应力的调制.
- 徐悦张泽宇金钻明潘群峰林贤马国宏程振祥
- 关键词：BI0声学声子
- C掺杂FePt铁磁薄膜光诱导超快退磁动力学研究
- 2016年
- FePt合金薄膜由于具有较强的磁各向异性而在磁信息和磁光信息存储中具有重要的应用.C掺杂可精确调控薄膜的磁各向异性,从而可有效地改变薄膜的矫顽场.通过超短激光脉冲与铁磁薄膜相互作用,可以获得非平衡状态下电子、自旋和晶格等自由度之间的动态耦合参数,这是研究超快磁记录材料的物理基础.本文基于瞬态磁光Kerr效应,研究了两种C掺杂浓度下FePt薄膜的超快磁光响应.实验结果表明:瞬态Kerr信号与外加磁场正相关,磁场反向,Kerr信号反号,而瞬态反射率与外加磁场无关;不同C掺杂的FePt薄膜的矫顽场不同,软磁的退磁时间显著小于硬磁薄膜的退磁时间.我们还观测到超快激光在铁磁薄膜中诱导频率约为49 GHz的相干声学声子,该声子的频率与外加磁场无关.实验结果为设计和研制新型磁光薄膜提供了实验依据.
- 潘群峰张泽宇王会真林贤金钻明程振祥马国宏
