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林发永

作品数:8 被引量:0H指数:0
供职机构:清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
发文基金:国家科技攻关计划更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 7篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 7篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 3篇电路
  • 3篇刻蚀
  • 3篇集成电路
  • 2篇氧化硅
  • 2篇质量管理
  • 2篇均匀性
  • 2篇控制图
  • 2篇计算机
  • 2篇计算机辅助制...
  • 2篇二氧化硅
  • 2篇干法刻蚀
  • 1篇淀积
  • 1篇淀积速率
  • 1篇折射率
  • 1篇正交
  • 1篇正交试验
  • 1篇生产工艺
  • 1篇统计技术
  • 1篇工艺参
  • 1篇工艺参数

机构

  • 7篇清华大学
  • 1篇北京大学

作者

  • 8篇林发永
  • 5篇刘志弘
  • 4篇付玉霞
  • 4篇仲涛
  • 2篇乔忠林
  • 2篇刘爱华
  • 2篇朱小琳
  • 2篇向采兰
  • 2篇曾莹
  • 1篇仲涛
  • 1篇鲁勇
  • 1篇鲁勇
  • 1篇夏苏
  • 1篇殴阳毅
  • 1篇郭英姿
  • 1篇张伟
  • 1篇刘荣华
  • 1篇张伟

传媒

  • 4篇第十二届全国...
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇第十四届全国...
  • 1篇第十一届全国...
  • 1篇第十一届全国...

年份

  • 1篇2005
  • 1篇2002
  • 5篇2001
  • 1篇1999
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
新一代IC-CAM系统中的质量管理
2002年
文章介绍了新一代集成电路计算机辅助制造(IC-CAM)系统质量管理部分的设计。该系统的质量控制部分实现了由实测数据计算控制图的控制限,能自动判读并标识控制图中的异常点。使用该IC-CAM系统后,可以有效地提高生产工艺稳定性和产品质量。
朱小琳向采兰曾莹林发永
关键词:集成电路计算机辅助制造控制图
用正交试验方法确定SiO2干法刻蚀菜单
本文介绍用正交试验方法确定二氧化硅干法刻蚀工艺菜单.还介绍了用该工艺菜单进行刻蚀可得到良好的片内均匀性、片间均匀性及批间重复性.
付玉霞仲涛林发永
关键词:正交试验均匀性SIO2干法刻蚀
文献传递
PECVD SiON淀积工艺实验研究
本文应用C-1 PECVD系统从实验上研究了各种工艺条件对SiON淀积速率、折射率及其片内均匀性影响,并从中确定出优化的工艺菜单.
林发永刘志弘刘荣华张伟付玉霞刘爱华仲涛鲁勇石永维
关键词:淀积速率折射率
文献传递
IC-CAM中的质量管理
本文介绍了一个新型集成电路计算机辅助制造(IC-CAM)系统.该系统的质量控制部分实现了由实测数据计算控制图控制限,并能自动检出并标识控制图中的异常点.使用该IC-CAM系统后,可望提高流水进度,大大缩短生产流水周期.
朱小琳向采兰刘志弘曾莹林发永
关键词:集成电路计算机辅助制造质量管理
文献传递
α-200台阶仪重复性和再现性研究
本文研究了α-200台阶仪测试系统重复性和再现性(R&R).详细介绍了R&R分析的统计方法,样本的制备,测试方案及测试结果,还就结果进行了讨论.
付玉霞刘志弘张伟仲涛郭英姿夏苏林发永
关键词:分辨率
文献传递
二氧化硅干法刻蚀工艺实验研究
该文研究了影响被刻蚀二氧化硅厚度,二氧化硅/光刻胶蚀选择比的工艺因素。在实验基础上,通过曲线拟合法求得被刻蚀二氧化硅厚度与主要工艺参数的定量关系。文中还介绍了在给定工艺条件下单片内,片间以及批间被刻蚀二氧化硅厚度的均匀性...
林发永刘志弘乔忠林仲涛鲁勇
关键词:二氧化硅干法刻蚀厚度均匀性
文献传递网络资源链接
统计技术在集成电路生产中应用
本文扼要介绍统计过程控制在集成电路生产中应用,对理论的经验和控制图做了比较,详细介绍了层别法和散布图相结合研究改善IC生产工艺,减少产品某些特性的离散率应用工作.
林发永刘志弘刘爱华张伟郭英姿仲涛付玉霞鲁勇夏苏
关键词:集成电路生产工艺统计技术控制图
文献传递
二氧化硅刻蚀实验模型参数优化提取
本文研究了在PE8310全自动二氧化硅刻蚀的实验模型基础上,通过最小二乘法优化提取了模型参数,从而求得被刻蚀二氧化硅厚度与主要工艺参数的定量关系.借助于在较宽的工艺条件范围内建立的经验公式实现了对被刻蚀二氧化硅厚度的精确...
殴阳毅刘志弘刘荣华乔忠林仲涛付玉霞刘爱华林发永
关键词:二氧化硅刻蚀工艺参数
文献传递
共1页<1>
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