仲涛
- 作品数：8 被引量：9H指数：2
- 供职机构：清华大学更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 用正交试验方法确定SiO2干法刻蚀菜单
- 本文介绍用正交试验方法确定二氧化硅干法刻蚀工艺菜单.还介绍了用该工艺菜单进行刻蚀可得到良好的片内均匀性、片间均匀性及批间重复性.
- 付玉霞仲涛林发永
- 关键词：正交试验均匀性SIO2干法刻蚀
- 文献传递
- 新型嵌入式BeNOR结构Flash存贮器
- 2002年
- 提出了一种能根据嵌入式应用系统容量的不同而灵活选择字节擦除和块擦除两种不同擦除模式的 Be NOR阵列结构 ,该结构采用沟道热电子注入进行“写”操作 ,采用分离电压法负栅压源极 F- N隧道效应进行擦除 .对分离电压法负栅压源极 F- N隧道效应擦除的研究表明 ,采用源极电压为 5 V,栅极电压为 - 10 V的擦除条件 ,不仅能很好地控制擦除后的阈值电压 ,而且当字线宽度小于等于 6 4时 ,源极电压导致的串扰效应能得到很好的抑制 .研究表明该结构具有编程速度高、读取速度高、可靠性高及系统应用灵活的特点 ,非常适宜于在 1M位以下的嵌入式系统中应用 .
- 潘立阳刘楷朱钧仲涛鲁勇傅玉霞
- Al-Si合金RIE参数选择被引量：3
- 2004年
- 采用正交试验法对二手RIE刻Al设备A-360进行工艺参数选择试验,并以均匀性、刻蚀速率、对PR选择比为评价指标。试验中发现RF功率是影响各评价指标的最主要因素。通过进一步优化工艺,制定出了均匀性小于3%,刻蚀速率高于300nm/min,对PR选择比好于1.8的刻Al实用工艺。
- 李希有周卫张伟仲涛刘志弘
- 关键词：反应离子刻蚀正交试验刻蚀速率
- 统计技术在集成电路生产中应用
- 本文扼要介绍统计过程控制在集成电路生产中应用,对理论的经验和控制图做了比较,详细介绍了层别法和散布图相结合研究改善IC生产工艺,减少产品某些特性的离散率应用工作.
- 林发永刘志弘刘爱华张伟郭英姿仲涛付玉霞鲁勇夏苏
- 关键词：集成电路生产工艺统计技术控制图
- 文献传递
- 铝-RIE刻蚀工艺被引量：8
- 2000年
- 干法刻铝中 ,BCl3添加 Cl2 、CHCl3和 N2 ,可改变 Al的刻蚀速率、Al对 Si O2 和胶的选择性、线宽和胶膜质量 ,其中 Cl2 流量影响最大。此外 ,本文还给出 RF功率和气压的影响。采用适当的气体组合、不太高的功率和不太低的气压 (BCl3∶ Cl2 ∶ CHCl3∶ N2 =70 sccm∶ 1 5 sccm∶ 1 0 sccm∶ 0～ 5 0 sccm,2 0 0 m Torr,2 0 0 W)可以实现细线条 (0 .6μm) Al的刻蚀。
- 付玉霞刘志弘刘荣华仲涛李希有
- 关键词：刻蚀工艺VLSI集成电路
- 双光源的激光退火装置和方法
- 本发明公开了属于半导体制造设备和技术范围的一种双光源的激光退火装置和方法。该双光源激光退火装置包含用于退火的激光光源和波长在亚微米至微米量级，用于辅助性加热的光源，光学镜头系统和承片台。加工方法是辅助加热光束斜入射到衬底...
- 严利人周卫刘志弘仲涛
- 文献传递
- α-200台阶仪重复性和再现性研究
- 本文研究了α-200台阶仪测试系统重复性和再现性(R&R).详细介绍了R&R分析的统计方法,样本的制备,测试方案及测试结果,还就结果进行了讨论.
- 付玉霞刘志弘张伟仲涛郭英姿夏苏林发永
- 关键词：分辨率
- 文献传递
- 二氧化硅刻蚀实验模型参数优化提取
- 本文研究了在PE8310全自动二氧化硅刻蚀的实验模型基础上,通过最小二乘法优化提取了模型参数,从而求得被刻蚀二氧化硅厚度与主要工艺参数的定量关系.借助于在较宽的工艺条件范围内建立的经验公式实现了对被刻蚀二氧化硅厚度的精确...
- 殴阳毅刘志弘刘荣华乔忠林仲涛付玉霞刘爱华林发永
- 关键词：二氧化硅刻蚀工艺参数
- 文献传递
