李瑛
- 作品数：12 被引量：56H指数：4
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：北京市优秀人才培养资助北京市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>
- 集成电路芯片级的热分析方法被引量：10
- 2006年
- 文章在研究分析了集成电路中功耗的主要来源以及温度对集成电路性能的影响后,详细总结了近年来集成电路芯片级的几种热分析方法,并从实际应用角度对这几种方法进行了分析和比较,讨论了各个方法的优点及其适用范围。
- 孙静莹冯士维李瑛杨集张跃宗
- 关键词：集成电路热分析功耗
- 半导体功率发光二极管温升和热阻的测量及研究被引量：22
- 2006年
- 通过电学测量方法得到了半导体功率发光二极管温升与热阻的加热响应曲线.曲线出现一个或多个台阶,反映了其内部的热阻构成与器件物理结构.同时采用遮光法对器件温升及热阻进行了修正.还应用瞬态加热响应原理对功率管的封装结构进行了监测.
- 张跃宗冯士维谢雪松李瑛杨集孙静莹吕长志
- 关键词：温升热阻工作寿命可靠性发光效率
- 电学法测量结型半导体发光管或激光器热阻前遮光方法
- 电学法测量结型半导体发光管或激光器热阻前遮光方法属半导体光电子学器件参数的测量领域。它包括以下步骤：将被测器件即结型半导体发光管或激光器，其管座面均匀涂上导热脂粘在恒温平台上；将被测器件的导线引出以备测量；将反光材料(6...
- 冯士维谢雪松吕长志张小玲杨集李瑛
- 文献传递
- InP/InGaAs PIN红外探测器增透膜的研究被引量：3
- 2006年
- 简单介绍了单层增透膜的基本工作原理,并理论计算了增透膜为SiO2和Si3N4时InP/InGaAsPIN探测器的透射率。计算结果表明Si3N4的增透效果要优于SiO2,通过测试淀积有Si3N4增透膜的探测器的响应度,并和理论计算的透射率进行比较,研究了不同的淀积工艺对响应度的影响和探测器在不同应用时膜厚的设计方法。
- 杨集冯士维王承栋张跃宗李瑛孙静莹
- 关键词：探测器增透膜淀积
- 数控机床计算机辅助调试专家系统
- 李瑛
- ZnO单晶薄膜光电响应特性被引量：5
- 2006年
- 对采用MOCVD方法沉积的ZnO单晶薄膜的欧姆接触特性、光电特性进行了研究,并对比研究了射频溅射沉积Si O2抗反射膜对ZnO薄膜I-V、光电特性的影响.实验结果表明,非合金Al/ZnO金属体系与n型ZnO形成了良好的欧姆接触,溅射沉积Si O2在ZnO表面引入了载流子陷阱,影响I-V特性,延长了光响应下降时间.ZnO单晶薄膜光电导也具有时间退化现象.
- 李瑛冯士维杨集张跃宗谢雪松吕长志卢毅成
- 光纤气体传感器研究进展被引量：9
- 2005年
- 光纤气体传感器较传统气体传感器有诸多优点,特别是在恶劣环境检测等方面。它越来越引起人们的广泛关注,并得到了深入的研究和广泛的实用化。本文对新兴出现的几种常见的光纤气体传感器类型的原理和现状以及发展的方向进行了论述。
- 李瑛杨集冯士维
- 关键词：光纤气体传感器吸收光谱折射率变化荧光淬灭
- InP层对正面及背面入光PIN探测器响应度影响研究被引量：3
- 2006年
- InP盖层对光的吸收及入射光在探测器多界面间的多次反射,使InP层对InGaAs/InPPIN探测器的响应度产生了很大的影响。本文测量了正面和背面入光PIN探测器的响应度,并与测量的InP晶片透射率及模拟的透射率进行比较,分析了InP层对正面及背面入光PIN探测器响应度的影响。结果表明,随着InP层厚度的增加,响应度峰与峰的间隔Δλ不断减小,波形越来越密集。所以正面入光探测器的响应度起伏比较明显,且随着InP层厚度的增加,响应度极值对应的波长发生红移。背面入光探测器的响应度非常密集而成为准连续的带状。
- 杨集冯士维李瑛吕长志谢雪松张小玲
- 关键词：INGAAS/INPPIN探测器响应度
- 电学法测量结型半导体发光管或激光器热阻前遮光方法
- 电学法测量结型半导体发光管或激光器热阻前遮光方法属半导体光电子学器件参数的测量领域。它包括以下步骤：将被测器件即结型半导体发光管或激光器，其管座面均匀涂上导热脂粘在恒温平台上；将被测器件的导线引出以备测量；将反光材料(6...
- 冯士维谢雪松吕长志张小玲杨集李瑛
- 文献传递
- 北京通信交换网管系统数据采集的研究和实现
- 随着通信技术的迅猛发展，行业竞争也日益加剧，电信运营商必须不断提高网络服务质量、维护管理水平才可能在竞争中胜出。电话交换网技术虽然不是近年来通信网络发展的热点，但是它是固网运营商当前最基本、最重要的网络，也是企业收入的最...
- 李瑛
- 关键词：北京通信数据采集
- 文献传递
