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曹金荣

作品数:3 被引量:2H指数:1
供职机构:南京电子器件研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇振荡器
  • 2篇微带
  • 2篇耿氏振荡器
  • 1篇砷化镓
  • 1篇稳频
  • 1篇谐振器
  • 1篇介质稳频
  • 1篇介质谐振
  • 1篇介质谐振器
  • 1篇MESFET

机构

  • 3篇南京电子器件...
  • 1篇西安交通大学

作者

  • 3篇曹金荣
  • 2篇邓衍茂
  • 2篇秦洪桂
  • 1篇周宗闽
  • 1篇林金庭
  • 1篇张闻辉
  • 1篇罗晋生
  • 1篇汤炳谦

传媒

  • 1篇科学通报
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇1996
  • 1篇1994
  • 1篇1992
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
6毫米微带耿氏振荡器
1992年
一种高Q介质稳频6mm GaAs Gunn振荡器及微带一波导转换器已经研制成功。使用管壳转换阻抗与GaAs Gunn器件的最佳阻抗相结合方法进行优化设计。初步实验结果为:在42.7GHz下,输出功率高达71 mW。该振荡器具有较好的电性能及可靠性,有良好的应用前景。
赵大德秦洪桂邓衍茂曹金荣
关键词:振荡器微带
6mm介质稳频微带耿氏振荡器被引量:1
1994年
报道了一种使用介质谐振器稳频的高性能和高稳定的6m全微带GaAs耿氏振荡器.频率在44.6GHz时,输出功率为102mW;频率温度系数为4.8ppm/℃.
赵大德曹金荣邓衍茂秦洪桂汤炳谦张闻辉
关键词:介质谐振器稳频
一种MESFET变电容解析模型被引量:1
1996年
随着通讯系统小型化的需要,很多微波有源电路需要单片集成(MMIC)。在MMIC中变容二极管与GaAs MESFET工艺不兼容,无法在一块GaAs半绝缘衬底上同时集成两种类型的器件。为了解决这一难题,我们在MMIC有源压控滤波器设计中提出了一种GaAs MESFET三端变容管结构。并建立了分析这类器件的变电容模型。由于一般用于调频作用的变容管,要求它具有较大的变电容比(Cmax/Cmin)。因此,对于GaAs MESFET三端变容管就要使得栅压工作在正偏状态,以获得较大的变容比。栅压在正偏下,分析C-V特性时用到的耗尽层模型近似就要产生较大的误差。我们在模型中考虑了自由载流子运动对C-V特性的影响,使得理论模型分析结果与实验测试结果吻合得很好。
孙晓玮罗晋生周宗闽曹金荣林金庭
关键词:MESFET砷化镓
共1页<1>
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