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张彦军

作品数:8 被引量:12H指数:2
供职机构:西安电子科技大学更多>>
相关领域:机械工程自动化与计算机技术经济管理环境科学与工程更多>>

文献类型

  • 4篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇机械工程
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇经济管理
  • 1篇电子电信
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇文化科学

主题

  • 4篇氧化层
  • 4篇栅氧化
  • 4篇栅氧化层
  • 3篇栅压
  • 3篇漏极
  • 3篇漏极电流
  • 3篇MOSFET...
  • 2篇电容
  • 2篇噪声
  • 2篇TRIZ
  • 1篇信噪比
  • 1篇正交
  • 1篇正交实验设计
  • 1篇制造业
  • 1篇软件系统
  • 1篇三维图
  • 1篇三维图像
  • 1篇散射
  • 1篇散射机理
  • 1篇图像

机构

  • 8篇西安电子科技...

作者

  • 8篇张彦军
  • 4篇何亮
  • 4篇陈华
  • 3篇温正忠
  • 3篇陈首峰
  • 2篇李金龙

传媒

  • 1篇机电一体化
  • 1篇机械制造
  • 1篇计算机仿真

年份

  • 1篇2024
  • 3篇2022
  • 3篇2004
  • 1篇2003
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
基于田口法的产品质量工程优化系统开发被引量:4
2004年
产品质量工程是提高产品质量与可靠性、降低研制成本、缩短研制周期的重要途径 ,是目前研究的热点 ,田口法是它的核心技术 ;该文简要介绍了田口法的核心理论 -在线与脱线质量工程理论 ,质量损失模型和分析工具 (信噪比和正交试验设计 ) ;基于田口法 ,以JAVA编程语言为工具 ,对田口法的脱线质量工程进行了可视化应用软件系统的开发 ;本文介绍了该软件系统的作用、特点及运行过程 ,并对软件的系统功能模块和总体设计作了详细说明 。
陈首峰温正忠张彦军
关键词:软件系统参数设计信噪比正交实验设计
一种基于MOSFETs弱反型区噪声的栅氧化层陷阱表征方法
本发明涉及一种MOSFETs弱反型区噪声的栅氧化层陷阱表征方法,包括:步骤1:对待测MOSFETs器件的转移特性和不同栅压下的漏极电流噪声功率谱进行测量;步骤2:获取待测MOSFETs器件的弱反型区的漏极电流的范围;步骤...
陈华李金龙张彦军王佳硕李仲阳马琪辉何亮
一种考虑库伦散射的MOSFETs栅氧化层陷阱随位置分布的表征方法
一种考虑库伦散射的MOSFETs栅氧化层陷阱随位置分布的表征方法,选取漏极电压,对待测MOSFETs器件的转移特性和不同栅压下的漏极电流噪声功率谱进行测量;通过迭代方法确定除氧化层陷阱库伦散射之外其它所有散射机理决定的沟...
陈华杨济宁何亮张彦军汪显宇
制造业的绿色工程与环境会计
2003年
绿色设计与环境会计是目前研究的热点。文章介绍了环境会计的一些基本概念,并就绿色设计与环境会计的关系和我国引入环境会计的必要性进行了论述。此外,还就我国的情况给出了环境成本的分类方法和统计策略。
陈首峰张彦军温正忠
关键词:制造业环境会计绿色设计环境成本环境报告
一种MOSFETs栅氧化层陷阱分布的噪声表征方法
本发明涉及一种MOSFETs的栅氧化层陷阱表征方法,其步骤如下:1)测量转移特性提取阈值电压,在线性区测试器件噪声功率谱密度S<Sub>id</Sub>;2)根据测量数据绘制双y轴图,判断噪声涨落机理;3)计算在某一栅压...
陈华张彦军杨济宁何亮
文献传递
基于QFD与TRIZ的机械产品概念设计研究
作为该文的理论基础,文章首先对QFD和TRIZ理论作了简要的介绍,讲座了TRIZ理论的几个不完善的地方,指出了TRIZ理论以后发展的几个方向,并对TRIZ理论中的工具、概念、方法应用于QFD中作了分析和说明.其次在介绍凯...
张彦军
关键词:TRIZQFD概念设计
文献传递
一种基于MOSFETs弱反型区噪声的栅氧化层陷阱表征方法
本发明涉及一种MOSFETs弱反型区噪声的栅氧化层陷阱表征方法,包括:步骤1:对待测MOSFETs器件的转移特性和不同栅压下的漏极电流噪声功率谱进行测量;步骤2:获取待测MOSFETs器件的弱反型区的漏极电流的范围;步骤...
陈华李金龙张彦军王佳硕李仲阳马琪辉何亮
文献传递
基于TRIZ的计算机辅助创新系统研究
2004年
该文分析了当前CBR系统的不足之处。针对这些不足,提出了可以用TRIZ理论中的工具来作 为构建实例库的规则,并据此开发了一个全新的基于TRIZ与实例的计算机辅助创新系统。
张彦军陈首峰温正忠
关键词:CBRTRIZCAD人工智能
共1页<1>
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