何亮
- 作品数：46 被引量：120H指数：6
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 实际纳米MOSFET电流噪声及其相关特性分析被引量：2
- 2014年
- 实际纳米MOSFET电流噪声为散粒噪声和热噪声,且散粒噪声受到费米作用和库仑作用的抑制.而现有文献研究实际纳米MOSFET电流噪声时,采取了完全不考虑其散粒噪声的抑制,或者只是强调抑制的存在而并未给出具体的抑制分析.本文基于Navid模型推导了实际纳米MOSFET电流噪声,并考虑费米作用和库仑作用对散粒噪声的抑制.在此基础上,对电流噪声随沟道长度、温度、源漏电压和栅极电压的变化特性进行了分析,其变化规律与文献中已有的实验和理论变化相一致.沟道长度越短,温度越低,源漏电压越大和栅极电压越低,电流噪声主要以散粒噪声为主.
- 贾晓菲何亮
- 关键词：纳米MOSFET散粒噪声
- 一种室温制备P25型二氧化钛的固相合成方法
- 本发明公开了一种室温制备P25型二氧化钛的固相合成方法，该方法是以普通锐钛矿二氧化钛为原材料，在室温下采用反应球磨法对普通锐钛矿二氧化钛进行球磨，制得平均粒径为17纳米以下的P25型二氧化钛粉体材料，其晶相分布为锐钛矿/...
- 胡英何亮成博伟
- 文献传递
- 氩离子轰击对四面体非晶碳膜内应力和摩擦系数影响的研究被引量：4
- 2012年
- 利用磁过滤真空阴极电弧技术制备了sp^3键大于80%的四面体非晶碳(ta-C)薄膜,通过冷阴极离子源产生keV能量的氩离子轰击ta-C薄膜,研究了氩离子轰击能量对ta-C薄膜结构,内应力以及耐磨性的影响.通过X射线光电子能谱和原子力显微镜研究了氩离子轰击对薄膜结构与表面形貌的改性,研究表明,氩离子轰击诱导了ta-C薄膜中sp^3键向sp^2键的转化,并且随着氩离子轰击能量的增大,薄膜中sp^2键的含量逐渐增多,薄膜内应力随着氩离子轰击能量的增大逐渐减小.氩离子轰击对薄膜的表面形貌有较大影响,在薄膜表面形成刻蚀坑,并且改变了薄膜的表面粗糙度,随着氩离子轰击能量的增大,薄膜的表面粗糙度也会逐渐增大.通过摩擦磨损仪的测试结果,氩离子轰击对薄膜的初始摩擦系数影响较大,但是对薄膜的稳定摩擦系数影响较小,经过氩离子轰击前后的ta-C薄膜的摩擦系数为0.1左右,并且具有优异的耐磨性.
- 韩亮宁涛刘德连何亮
- 关键词：X射线光电子能谱内应力
- 基于低频噪声的薄膜电阻器可靠性表征方法被引量：2
- 2014年
- 薄膜电阻的低频噪声同器件的损伤程度密切相关。文中采用两级低噪声放大器和高速高精度PCI数据采集卡构建的测试系统测量了一组1.5 kΩ镍铬薄膜电阻老化试验前后的低频噪声,结合显微分析发现电迁移是薄膜电阻可靠性退化的主导机制,电迁移损伤发生前后低频噪声的幅值、频率指数和转折频率等参量均会发生异常波动。分析表明,低频噪声能更敏感地反映薄膜电阻的损伤程度,可作为此类器件可靠性无损的筛选依据。
- 吴勇马中发杜磊何亮
- 关键词：低频噪声电迁移可靠性
- 金属互连电迁移噪声的非高斯性模型研究
- 2012年
- 根据电子散射理论,多晶互连中,电阻主要起源于晶界处空位与空洞对电子的散射作用.通过引入自由体积的概念,模拟了晶界处电子的散射过程,建立了基于自由体积的噪声非高斯性表征模型.该模型表明,电迁移前期的噪声信号以高斯噪声为主,随电迁移过程将发生噪声信号从高斯性向非高斯性的突变,表明噪声产生机制发生了转变,并通过双相干系数对信号的非高斯性进行了定量表征.最终,通过实验初步证明了理论结果的正确性.
- 何亮杜磊黄晓君陈华陈文豪孙鹏韩亮
- 关键词：电迁移噪声
- 硅单结晶体管γ射线辐照电阻变化规律研究被引量：3
- 2010年
- 对在γ射线辐照条件下的单结晶体管基区阻值进行了多点测量和实时监测。结果发现:单结晶体管基区电阻值随γ射线辐照剂量的增加,具有先减小后增大的规律。对比国内外相关实验结果,从γ射线与物质作用微观分析,证明位移效应是单结晶体管基区电阻在γ射线辐照下的主要效应,但它较电离效应具有一定滞后性。
- 赵鸿飞杜磊何亮包军林
- 关键词：Γ射线实时监测基区电阻
- 一种考虑库伦散射的MOSFETs栅氧化层陷阱随位置分布的表征方法
- 一种考虑库伦散射的MOSFETs栅氧化层陷阱随位置分布的表征方法，选取漏极电压，对待测MOSFETs器件的转移特性和不同栅压下的漏极电流噪声功率谱进行测量；通过迭代方法确定除氧化层陷阱库伦散射之外其它所有散射机理决定的沟...
- 陈华杨济宁何亮张彦军汪显宇
- 基于Monte Carlo模拟的实际纳米MOSFET散粒噪声抑制研究被引量：2
- 2013年
- 实验测量和理论结果均表明,随着MOS器件尺寸缩小到纳米尺度,其过剩噪声的主要成分将从以热噪声为主转变为以散粒噪声为主,且散粒噪声受费米抑制作用和库仑抑制作用.而目前对纳米MOSFET散粒噪声抑制的研究时,采取了完全不考虑其抑制,或者只是强调抑制的存在而并未给出具体的抑制分析.本文将采用蒙特卡罗(Monte Carlo)模拟方法对实际纳米MOSFET电流噪声进行数值模拟研究,并考虑费米作用和库仑作用对散粒噪声的抑制影响,分别得到费米抑制因子和费米与库仑共同作用时的抑制因子.在此基础上,重点考察栅极电压、源漏电压、温度和掺杂浓度对散粒噪声抑制的影响及其关系的理论分析,得到的模拟结果与文献给出的实验结果和介观理论结果相吻合.
- 贾晓菲何亮
- 关键词：MONTECARLO模拟纳米MOSFET
- 超大规模集成电路互连电迁移自由体积电阻模型被引量：12
- 2005年
- 将晶核析出的Avrami方程应用于描述超大规模集成电路中金属Al薄膜互连电迁移过程中电阻的演变.根据电子散射理论,晶界电阻主要起源于晶界处空位或者空洞对电子的散射.为了描述这些离子的特征,引入了自由体积的概念,将晶界处电子散射这个复杂的过程简化用自由体积的有效散射截面来描述,从而建立了自由体积与电阻变化的定量关系,统一描述了电迁移过程中不同阶段的电阻变化.数值模拟结果表明,在第一个空洞成核时刻电阻会发生急剧变化,这一结果已被实验所证实.
- 宗兆翔杜磊庄奕琪何亮吴勇
- 关键词：电迁移电阻变化
- 基于界面材料损伤的晶体管辐射噪声表征模型被引量：2
- 2009年
- 在双极晶体管界面材料辐照损伤机理及缺陷产生微观机制分析的基础上,结合缺陷与电参量及1/f噪声参量之间的关系,建立了辐照损伤的1/f噪声模型。通过讨论噪声与晶体管可靠性之间的关系,探讨所建立的噪声模型用于双极晶体管辐射表征的方法的可靠性。结果表明此方法为晶体管的可靠性筛选,提供了理论依据。
- 张雪杜磊何亮陈伟华
- 关键词：晶体管辐照损伤
