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张小峰

作品数:7 被引量:35H指数:3
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 7篇电子电信

主题

  • 5篇集成光学
  • 5篇光学
  • 3篇SOI
  • 3篇波导
  • 2篇多模
  • 2篇多模干涉
  • 2篇耦合器
  • 2篇脊形
  • 1篇单模
  • 1篇电子器件
  • 1篇多模干涉型
  • 1篇多模干涉耦合...
  • 1篇弯曲波导
  • 1篇马赫-曾德尔...
  • 1篇模块库
  • 1篇绝缘
  • 1篇绝缘体
  • 1篇集成光电子器...
  • 1篇脊形光波导
  • 1篇光波

机构

  • 7篇中国科学院
  • 4篇山东大学

作者

  • 7篇张小峰
  • 6篇余金中
  • 6篇魏红振
  • 4篇刘忠立
  • 4篇房昌水
  • 4篇史伟
  • 4篇王启明
  • 1篇严清峰
  • 1篇夏金松
  • 1篇韩伟华

传媒

  • 2篇光学学报
  • 1篇Journa...
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇半导体光电
  • 1篇中国科学院研...

年份

  • 1篇2003
  • 1篇2002
  • 5篇2001
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
BPM方法在SOI结构中的应用被引量:1
2002年
采用交错隐式算子分裂 (ADI)算法 ,设计、实现了一种高速、高精度的波束传播方法 (BPM)来模拟 SOI波导中不同偏振态的光传输 ,研究了 PML 边界层的选取对虚传播计算基模和基模传播常数的影响 ,给出了大光腔
张小峰余金中王启明魏红振
关键词:SOI结构波导
SOI集成光电子器件被引量:3
2001年
Silicon -on -insulator(SOI)集成光电子器件的工艺与标准CMOS工艺完全兼容 ,采用SOI技术可以实现低成本的整片集成光电子回路。文章回顾了近几年来SOI集成光电子器件的发展以及一些最新的研究进展。
魏红振余金中张小峰刘忠立史伟房昌水
关键词:SOI集成光学光电集成光电子器件
估算SOI单模脊形弯曲波导最小弯曲半径的简单方法被引量:4
2001年
采用有效折射率方法计算了 SOI弯曲波导由于辐射损耗引起模式截止的最小弯曲半径 。
魏红振余金中张小峰刘忠立王启明史伟房昌水
关键词:集成光学SOI辐射损耗弯曲波导
SOI及GeSi/Si脊形光波导的模式与波导几何结构被引量:13
2001年
用有效折射率方法对SOI(绝缘体上硅 )及GeSi Si脊形光波导的单模条件进行了模拟 ,与Soref的单模条件进行了比较 ,将两者与实验结果进行了比较 ,得到了与实验结果符合得非常好的单模条件。同时对多模波导进行了模拟 。
魏红振余金中张小峰韩伟华刘忠立王启明史伟房昌水
关键词:集成光学脊形光波导SOIGESI/SI
BPM方法和二维微机械转镜的研究
该论文在MATLAB平台上实现了与操作平台无关BPM方法核心程序模块库.该模块库包括了2维TE和TM波的BPM算法和3维BPM方法.实现了了基于磁矢量的形式的BPM方法,消除了通常在高拆射率差界面上存在的数值误差.所有的...
张小峰
关键词:模块库
采用绝缘体上的半导体技术制备集成的多模干涉型光耦合器和光开关(英文)被引量:1
2003年
在光学系统中,SOI(绝缘体上的半导体)上制备集成的MMI(多模干涉)型光耦合器已成为一种愈来愈引人注目的无源器件.由于Si和SiO2 之间具有大的折射率差,在SOI波导中可以采用SiO2 薄膜( <1.0 μm)作限制层,这与超大规模集成电路工艺相兼容.描述了采用SOI技术制备集成的MMI型光耦合器和光开关的设计和制造结果.业已证实,2× 2MMI MZI(多模干涉 麦赫 曾德干涉)型热光开关的开关时间小于 2 0 μs.
余金中魏红振严清峰夏金松张小峰
关键词:绝缘体多模干涉光耦合器集成光学SOI技术
多模干涉马赫-曾德尔光开关模型被引量:14
2001年
根据N×N多模干涉耦合器的基本原理 ,确定了多模干涉耦合器的结构参数。通过分析多模干涉耦合器的输入光场与其映像间的相位关系 ,提出了模传输矩阵的分析方法 ,并用此方法分析了N×N普通干涉多模干涉耦合器、N×N相移器以及N×N普通干涉多模干涉马赫 曾德尔光开关 ,得到了它们的模场传输方程 ,分析了光开关在光场从任一输入端输入 ,从任一输出端输出时开关的驱动条件。用上面的方法分析了 4×
魏红振余金中张小峰刘忠立王启明史伟房昌水
关键词:多模干涉耦合器集成光学光开关马赫-曾德尔干涉仪
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