刘忠立
- 作品数：132 被引量：267H指数：9
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划武器装备预研基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学电气工程更多>>
- 用多孔硅作牺牲层制备硅基电容式微传声器
- 提出了一种新的硅基电容式微传声器的制备方法,即采用多孔硅牺牲层技术制备声学孔,采用聚酰亚胺膜作声学振膜.采用该方法制备出的电容式微传声器器件,开路灵敏度为-107.8dB,在400~10kHz之间,频率响应较为平坦,可以...
- 宁瑾刘焕章葛永才刘忠立
- 关键词：多孔硅牺牲层聚酰亚胺
- 文献传递
- 硅基光波导及光波导开关的研究进展被引量：13
- 1999年
- ＳｉＯ２ 光波导、重掺杂光波导、ＳＯＩ光波导、合金光波导及聚合物光波导等低损耗硅基光波导的研究已取得了很大的进展，随着这些波导的硅基光开关不断研制出来，各种光开关结构也不断提出来了。为了解决硅的线性电光系数为零的问题，采用了多种方法，以获得强的线性电光效应，实现高速光开关。文章回顾了近十年来硅基光波导及光开关的研究进展。
- 魏红振余金中刘忠立王启明
- 关键词：光电集成光开关
- 一种新材料结构的RTD器件的设计及实现(英文)被引量：1
- 2005年
- 设计了一种带有Al0 .2 2 Ga0 .78As/In0 .15Ga0 .85As/GaAs发射极空间层和GaAs/In0 .15Ga0 .85As/GaAs量子阱的共振隧穿二极管 (RTD)材料结构 ,并且成功地制作了相应的RTD器件 .在室温下 ,测试了RTD器件的直流特性 ,计算了RTD器件的峰谷电流比和可资电流密度 .在分析器件特性的基础上 。
- 王建林王良臣曾一平刘忠立杨富华白云霞
- 关键词：共振隧穿二极管量子效应直流特性
- 岛式FPGA手动布局布线的实现
- 2012年
- 针对一款岛式FPGA芯片VS1000开发了布局布线工具VA,并实现了图形界面。为了使得FPGA芯片能够更灵活地满足实际电路设计的需求及实现用户对电路的人为控制,在VA中加入了手动布局布线功能,使得使用者可以灵活地移动逻辑单元,逻辑模块及其他模块并实现局部布线功能。
- 李明李艳陈亮于芳刘忠立
- 关键词：现场可编程门阵列布线图形用户界面
- 估算SOI单模脊形弯曲波导最小弯曲半径的简单方法被引量：4
- 2001年
- 采用有效折射率方法计算了 SOI弯曲波导由于辐射损耗引起模式截止的最小弯曲半径 。
- 魏红振余金中张小峰刘忠立王启明史伟房昌水
- 关键词：集成光学SOI辐射损耗弯曲波导
- 信息领域中的主要新型元器件(上)
- 2000年
- 刘忠立
- 关键词：无源元件有源元件电子元件
- SOI及GeSi/Si脊形光波导的模式与波导几何结构被引量：13
- 2001年
- 用有效折射率方法对SOI(绝缘体上硅 )及GeSi Si脊形光波导的单模条件进行了模拟 ,与Soref的单模条件进行了比较 ,将两者与实验结果进行了比较 ,得到了与实验结果符合得非常好的单模条件。同时对多模波导进行了模拟 。
- 魏红振余金中张小峰韩伟华刘忠立王启明史伟房昌水
- 关键词：集成光学脊形光波导SOIGESI/SI
- 高速全耗尽CMOS/SOI 2000门门海阵列
- 2001年
- 本文对全耗尽CMOS/SOI 2 0 0 0门门海进行了研究 ,阵列采用宏单元结构 ,每个宏单元包括 2× 8个基本单元和 8条布线通道 ,其尺寸为 :92 μm× 86 μm .2 0 0 0门门海阵列采用 0 8μm全耗尽工艺 ,实现了 10 1级环形振荡器和 4～ 12 8级分频器电路 ,在工作电压为 5V时 ,0 8μm全耗尽CMOS/SOI 10 1级环振的单级延迟为
- 刘新宇孙海峰海朝和刘忠立吴德馨
- 关键词：薄膜全耗尽SOICMOSSOI集成电路
- 一种用于FPGA的跨平台多层次集成设计系统
- 本发明公开了一种用于FPGA的跨平台多层次集成设计系统，该系统包括用户图形界面模块、FPGA芯片生成模块、FPGA设计模块、FPGA系统应用模块和FPGA验证模块，其中用户图形界面模块用于将FPGA芯片生成模块、FPGA...
- 张峰于芳李艳韩小炜李明张倩莉陈亮吴利华张国全刘贵宅郭旭峰杨波赵岩王剑李建忠刘忠立陈陵都
- 文献传递
- 快速响应SOI马赫曾德热光调制器被引量：10
- 2002年
- 给出了 Y分支 MZI热光调制器的模型 ,实验研制了基于 SOI( silicon- on- insulator)的 MZI热光调制器 ,调制器的消光比为 - 16.5 d B,开关的上升时间为 10 μs,下降时间为 2 0 μs,相应的功耗为 0 .3
- 魏红振余金中夏金松严清峰刘忠立房昌水
- 关键词：集成光学调制器SOI热光开关
