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张利学

作品数：16 被引量：17H指数：3
供职机构：中国航空工业集团公司中国空空导弹研究院更多>>
发文基金：国家自然科学基金西北工业大学基础研究基金国际科技合作与交流专项项目更多>>
相关领域：电子电信理学金属学及工艺一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 7篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇兵器科学与技...

主题

  • 10篇探测器
  • 7篇红外
  • 5篇红外探测
  • 5篇红外探测器
  • 5篇半导体
  • 4篇光电
  • 4篇半导体光电
  • 4篇INAS/G...
  • 4篇超晶格
  • 3篇酸性
  • 3篇刻蚀
  • 3篇表面钝化
  • 2篇电子器件
  • 2篇叠层
  • 2篇阳极
  • 2篇阳极化
  • 2篇湿法腐蚀
  • 2篇双色光
  • 2篇双色红外
  • 2篇酸性溶液

机构

  • 10篇中国航空工业...
  • 8篇西北工业大学

作者

  • 16篇张利学
  • 8篇吕衍秋
  • 6篇曹先存
  • 6篇李墨
  • 6篇朱旭波
  • 5篇姚官生
  • 4篇陈长乐
  • 3篇何英杰
  • 3篇张向锋
  • 3篇张亮
  • 2篇丁嘉欣
  • 2篇司俊杰
  • 2篇鲁正雄
  • 2篇侯治锦
  • 2篇马强
  • 2篇邱文旭
  • 2篇彭震宇
  • 1篇陈钊
  • 1篇高国棉
  • 1篇温晓莉

传媒

  • 2篇红外与激光工...
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇功能材料
  • 1篇铸造
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇航空兵器

年份

  • 2篇2021
  • 2篇2019
  • 4篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2007
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
InAs/GaSb超晶格探测器台面工艺研究（英文）被引量：3
2015年
InAs/GaSb SLs探测器台面刻蚀常用的工艺有干法刻蚀和湿法刻蚀。研究了三种等离子刻蚀气体(Cl2基,Ar基和CH4基)对超晶格的刻蚀效果,SEM结果表明,CH4基组分能够得到更加平整的表面形貌和更少的腐蚀坑;之后采用湿法腐蚀工艺,用于消除干法刻蚀带来的刻蚀损伤,分别研究了酒石酸系和磷酸系两种腐蚀溶液的去损伤效果,结果表明,磷酸系腐蚀液的去损伤效果更好,且腐蚀速率更加稳定。采用优化的台面工艺制备了InAs/GaSb SLs探测器,其I-V特性曲线表明二极管具有较低的暗电流,其77 K时动态阻抗R0A=1.98×104Ωcm2。
姚官生张利学张向锋张亮张磊
关键词：INAS/GASB超晶格干法刻蚀湿法腐蚀
InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料台面腐蚀被引量：3
2014年
研究了InAs/GaSbⅡ类超晶格的几种台面腐蚀方法.实验所用的InAs/GaSbⅡ类超晶格材料是使用分子束外延设备生长的,材料采用PIN结构,单层结构为8 ML InAs/8 ML GaSb.腐蚀方法分为干法刻蚀和湿法腐蚀两大类.干法刻蚀使用不同的刻蚀气氛,包括甲基、氯基和氩气;湿法化学腐蚀采用了磷酸系和酒石酸酸系的腐蚀液.腐蚀后的材料台阶高度是使用α台阶仪测量,表面形貌通过晶相显微镜和扫描电镜表征.经过对比研究认为,干法刻蚀中甲基气氛刻蚀后的台面平整,侧壁光滑,侧壁角度为约80度,台阶深度易控制,适合深台阶材料制作.湿法腐蚀中磷酸系腐蚀效果好,台面平整,下切小,表面无残留,适用于焦平面红外器件制作工艺.
张利学孙维国吕衍秋张向锋姚官生张小雷司俊杰
关键词：半导体材料湿法腐蚀
InAlSb红外光电二极管性能研究被引量：1
2017年
在InSb衬底上利用分子束外延生长了p-i-n结构的InAlSb/InSb材料,通过在吸收层和接触层之间生长宽禁带的InAlSb势垒层,验证了势垒层对耗尽层中暗电流的抑制作用。分别基于外延生长的InAlSb材料和InSb体材料,借助标准工艺制备出二极管,并对其电性能进行测量分析,研究发现:77K温度时,在-0.1V的外偏电压下,p+-p+-n--n+结构和p+-n--n+结构InAlSb器件的反偏电流分别为3.4×10^(-6)A·cm^(-2)和7.8×10^(-6)A·cm^(-2)。基于p+-p+-n--n+结构研制的InAlSb二极管的暗电流保持在一个很低的水平,这为提高红外探测器的工作温度提供了重要基础。
朱旭波李墨陈刚张利学曹先存吕衍秋
关键词：INSB钝化红外探测器
Mn、Co掺杂ZnO薄膜结构及发光特性研究被引量：3
2007年
利用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(100)衬底上制备了ZnO、Zn_(0.8)Mn_(0.2)O、Zn_(0．8)Co_(0.2)O薄膜。薄膜的晶体结构和表面形貌采用X射线衍射仪和原子力显微镜测试。表明薄膜具有明显的c轴择优生长取向,薄膜表面较为平整,颗粒尺寸在纳米量级,薄膜中晶粒的生长模式为“柱状”模式。此外,Mn、Co掺入后,薄膜的X射线衍射峰有小角度偏移,这与Mn^(2+)、Co^(2+)离子半径有关。PL谱显示Mn、Co掺杂ZnO薄膜的蓝、绿发光峰的位置相对纯的ZnO薄膜没有改变,还出现了紫外发光峰,其中Mn掺杂的蓝、绿光峰的强度减弱,Co掺杂的蓝光峰强度减弱,绿光峰强度增强。这是因为Mn、Co掺入改变了ZnO本征缺陷的浓度,发光峰的强度也随之而改变。
温晓莉陈长乐陈钊张利学牛利伟高国棉
关键词：PLD光致发光
一种InAlSb芯片的制备方法及InAlSb芯片
本发明涉及一种InAlSb芯片的制备方法及InAlSb芯片，属于半导体光电探测器制造技术领域。本发明的InAlSb芯片的制备方法包括以下步骤：1)在InAlSb基底上制备掩膜层，在掩膜层上光刻掩膜图形，得图形基底；2)采...
陶飞何英杰张向锋李墨彭震宇丁嘉欣姚官生张亮曹先存吕衍秋朱旭波张利学
文献传递
对流下二元合金等温凝固过程的相场模拟被引量：4
2009年
采用耦合流场的相场模型,以Ni-Cu合金为对象模拟金属在等温状态下的枝晶生长,并研究对流速度对枝晶生长及溶质分布的影响。实验结果表明,对流作用下枝晶形貌发生很大变化,上游枝晶臂最长,下游枝晶臂最短,水平方向枝晶臂介于两者之间;对流速度越高,生长peclet数及上游枝晶尖端生长速率也越大,并且枝晶的二次分支也越发达。另外,此模型的计算结果与Oseen-Ivantsov理论符合较好。
邱文旭陈长乐马强张利学
关键词：相场法SIMPLE算法
InAs/GaSb薄膜及器件特性研究
InAs/GaSb II类超晶格材料是近年兴起的新型本征吸收窄禁带半导体材料，优异的性能使其在军事等领域有非常广泛的应用。受材料生长技术和水平的限制，国内有关InAs/GaSb II类超晶格红外探测器的报道较少。另外，I...
张利学
关键词：红外探测器分子束外延超晶格材料晶体结构表面形貌
文献传递
溶质梯度系数对二元合金枝晶生长的影响被引量：1
2010年
为了准确描述金属凝固过程中的微观特性,用相场法模拟流场下二元合金的枝晶形貌.结合C.W.Lan提出的耦合流场的相场模型,在溶质场中加入溶质梯度项,研究溶质梯度系数对合金非等温凝固过程中枝晶生长及溶质截留效应的影响.结果表明:随着溶质梯度系数的增大,上游尖端半径和尖端速率都逐渐增大,固相中的溶质浓度显著提高,溶质截留效应更加明显.另外,此模型的计算结果与Oseen-Ivantsov理论符合较好.
邱文旭陈长乐马强董慧迎张利学贾锡文
关键词：相场法
一种InAlSb红外探测器表面钝化方法
本发明涉及一种InAlSb红外探测器表面钝化方法,其步骤如下：步骤一：将InAlSb探测器芯片放入有机溶剂中浸泡；步骤二、将InAlSb探测器芯片放入酸性溶液中浸泡；步骤三：将InAlSb探测器芯片放入阳极化溶液中，设定...
李墨吕衍秋朱旭波张利学王郁波
文献传递
InAs/GaSb超晶格中短波双色探测器新型钝化方法研究
2021年
由于InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料有较高的表面态密度,易在表面生成导电氧化层,在将其制备成红外器件的过程中,首先要解决钝化问题。钝化效果和覆盖膜层质量对红外器件的表面漏电和噪声有很大影响。使用阳极氟化加硫化锌的方法,对中短波双色InAs/GaSb超晶格进行钝化,使用俄歇电子能谱测试证实了阳极氟化的可靠性,使用77 K下的J-V测试结果,对比证实了氟化的钝化效果和对漏电流密度的改善效果。结果表明,阳极氟化加硫化锌的钝化方法可以有效抑制漏电。
张利学鲁星朱旭波朱旭波
关键词：INAS/GASB超晶格MBE表面钝化双色探测器
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