宋海智
- 作品数：7 被引量：51H指数：3
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 多孔硅蓝光发射与发光机制被引量：16
- 1996年
- 在制备出光致发光能量为２．７ｅＶ的发射蓝光多孔硅的基础上对它进行了较系统的研究：测量了它的光致发光时间分辨光谱，用傅里叶交换红外光谱分析了其表面吸附原子的局域振动模，研究了Ｙ射线辐照对其发光的影响，并与发红、黄光的多孔硅作了对比，通过空气中长期存放、激光和紫外线照射的方法，研究了光致发光峰能量为２．７ｅＶ的多孔硅发光稳定性．我们及其它文献中报道的多孔硅蓝光发射的实验结果与量子限制模型矛盾，但能用量子限制／发光中心模型解释．我们认为多孔硅的２．７ｅＶ发光是多孔硅中包裹纳米硅的ＳｉＯ＿ｘ层中某种特征发光中心引起的．
- 林军张丽珠陈志坚宋海智姚德成段家忯傅济时张伯蕊秦国刚
- 关键词：多孔硅蓝光发射发光机制
- 同时形成用于浅结器件的TiN_xO_y/TiSi_2的热稳定性
- 1993年
- 用900℃15秒快速热退火使硅上钛膜在高纯NH_3中同时形成TiN_xO_y/TiSi_2双层结构.研究了TiN_xO_y作为Al的扩散势垒的有效性.结果表明,Al/TiN_xO_y/TiSi_2/Si接触系统直至550℃在N_2中烧结30分钟仍然具有良好的热稳定性.
- 陈存礼宋海智华文玉
- 关键词：热稳定性
- 零偏退火与反偏退火对含氢的Au／n－Si肖特基势垒的控制
- 1994年
- 〈１１１〉晶向的掺磷的ｎ型硅外延片经等离子进氢后连同未经等离子氢处理的对比片一起淀积金，制得Ａｕ／ｎ－Ｓｉ肖特基势垒。实验结果表明：氢能使Ａｕ／ｎ－Ｓｉ的肖特基势垒高度下降０．１３ｅＶ；含氢的肖特基势垒的高度可以被零偏退火与反偏退火所控制，即零偏退火使含氢的肖特基势垒的高度降低，而反偏退火使含氢的肖特基势垒的高度升高；而且零偏退火与反偏退火对肖特基势垒高的这种控制作用至少在三个循环过程中是可逆的。在反偏退火以后，含氢的肖特基势垒的高度升高的数值不仅与退火时所应用的偏置电压有关，而且与退火温度也有关。
- 元民华乔永平宋海智金泗轩秦国刚
- 关键词：肖特基势垒氢
- 偏置退火对含氢Ti/n-GaAs Schottky势垒的控制作用
- 1993年
- 氢能使 Ti/n-GaAs Schottky势垒下降 0.18eV之多.零偏退火使含氢的Ti/n-GaAs Schottky势垒降低,而随后的反偏退火则使含氢的 Schottky势垒增加.2h以上,100℃反偏退火后其Schottky势垒高与反偏退火的偏压之间有一一对应的关系,偏压愈大,势垒越高。
- 金泗轩元民华王兰萍王海萍宋海智秦国刚
- 关键词：氢砷化镓
- 大气中长期存放与长时间热氧化后多孔硅光致发光峰能量的会聚
- 1995年
- 改变阳极氧化的工艺条件,制备出光致发光峰能量位于1.4—2.0eV范围内的大量多孔硅样品,其中45块样品在大气中存放一年,102块样品在200℃下热氧化(累计达200小时).在上述两种情况下,光致发光峰能量在氧化后都会聚到1.70—1.75eV能量范围.假设在充分氧化的多孔硅中包裹纳米硅的氧化层中,存在发光能量处于～1.70—1.75eV的发光中心,上述实验结果可以用量子限制/发光中心模型解释.
- 张伯蕊张丽珠宋海智姚光庆段家忯泰国刚
- 关键词：光致发光多孔硅热氧化
- 硅基发光材料研究进展被引量：28
- 1997年
- 硅基发光材料是光电子集成的基础材料。发光多孔硅是硅基发光材料的一个新进展，已实现了硅基光电子集成，随着多孔硅研究的深化和纳米科学的发展，硅基发光材料正向纳米方向开拓。与此同时，在新的理论认识与技术条件下，硅材料改性，杂质发光，缺陷工程和硅基异质外延也呈现出新的发展趋势。硅基发光材料的发光波段已覆盖了从红外，可见到紫外的宽阔范围，正在为全色显示和光电子集成奠定材料和技术基础。
- 鲍希茂宋海智
- 关键词：发光材料光电子学多孔硅低维材料
- Si^+注入热生长SiO_2的光致发光激发谱与光电子能谱被引量：11
- 1997年
- Si+注入的热生长SiO2，未退火及1000℃以下退火样品的光致发光谱为峰值在470nm的蓝光带，其光致发光激发谱主要为一个位于250nm的窄峰，且谱形不依赖于退火条件，光电子能谱显示样品注入层为比较均匀的SiOx；1000℃以上退火样品的发光谱为峰值在730nm的红光带，其激发谱有一个230nm的窄峰，同时在500nm附近还有一个随退火处理不断红移和增强的宽带，光电子能谱表明退火使样品注入层分离为SiO2和纳米硅晶粒两相．本文对两种发光带的复合过程、光吸收过程及其与微结构的关系进行了讨论．
- 宋海智鲍希茂
- 关键词：二氧化硅PLEXPS
