宁洪龙
- 作品数：21 被引量：219H指数：8
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- 相关领域：金属学及工艺电子电信一般工业技术冶金工程更多>>
- 混合集成电路铜功率外壳气密性失效分析
- 玻璃封接金属管壳是集成电路封装的一种主要类型,本文研究了PM型混合电路铜功率外壳气密性失效问题,该管壳是将玻璃与可伐合金封接而成的绝缘子钎装在铜管座上制成的,产品高温老化后,气密性可由10<'-8>PaM<'3>/sec...
- 耿志挺马莒生郑锋宁洪龙
- 关键词：绝缘子气密性可伐合金混合集成电路
- 文献传递
- 引线框架材料对铜合金与锡铅焊料界面组织的影响
- 本文采用老化试验、扫描电镜(SEM)及能谱分析(EDX)等分析手段对引线框架铜合金与SnPb共晶焊料界面组织进行了分析研究,结果表明,引线框架材料对铜合金与SnPb共晶焊料界面组织有很大的影响,焊点在160℃高温老化30...
- 黄福祥马莒生朱继满宁洪龙铃木洋夫耿志挺陈国海
- 关键词：引线框架材料铜合金金属间化合物集成电路电子封装
- 文献传递
- 光化学蚀刻成型技术
- 马莒生李恒徳耿志挺黄辉卢超朱继满刘豫东黄福祥宁洪龙张广能刘杨章开琏陈国海王岩崔建国
- 该成果对微电子封装中的关键高技术之一“光化学蚀刻成型技术”进行了系统研究。是利用在材料表面形成光刻胶图形，用强氧化性蚀刻溶液，刻出高精度（＜±10μm）、复杂图形零件的技术。是涉及材料科学、表面界面物理、光、电化学等多学...
- 关键词：
- 关键词：引线框架蚀刻
- 陶瓷基板化学镀铜预处理的研究被引量：14
- 2004年
- 为提高封装基板铜导体层与陶瓷基板的结合强度,研究了在氧化铝和氮化铝的基板上进行化学镀铜,对表面进行粗化和改性,经过优化工艺条件后,氧化铝与镀层的结合强度可以达到27 MPa,氮化铝与镀层的结合强度可以达到22 MPa。
- 宁洪龙耿志挺马莒生黄福祥钱志勇陈国海
- 关键词：化学镀铜陶瓷基板表面粗糙度表面改性氧化铝陶瓷氮化铝陶瓷
- 不锈钢/氧化铝活性封接工艺研究
- 在845-859℃、6分钟的真空条件下,采用 TiAgCu焊料封接不锈钢与热等静压99﹪氧化铝.研究了TiAgCu焊料与不锈钢的反应界面,同时对影响封接结合强度与气密性的因素进行了分析,得出了控制焊接质量的处理方法.
- 宁洪龙马莒生耿志挺黄福祥韩忠德
- 关键词：不锈钢氧化铝封接工艺
- 文献传递
- 多层喷射沉积铝/钢双金属板的轧制被引量：3
- 2003年
- 用多层喷射沉积技术制备铝/钢双金属板坯,在不同热轧工艺条件下进行了轧制。不同的热轧工艺材料有不同的性能,不同的热轧工艺对双金属的铝/钢界面结合强度有着显著的影响。本文分析了工艺参数对界面结合的影响,并提出了优化的工艺参数。
- 宁洪龙马莒生黄福祥耿志挺傅定发陈振华
- 关键词：多层喷射沉积热轧工艺参数
- 铜基引线框架材料的研究与发展被引量：123
- 2002年
- 引线框架材料是半导体元器件和集成电路封装的主要材料之一，其主要功能为电路连接、散热、机械支撑等。随着ＩＣ向高密度、小型化、大功率、低成本方向发展，集成电路Ｉ／Ｏ数目增多、引脚间距减小，对引线框架材料提出了高强度、高导电、高导热等多方面性能上的要求。由于拥有良好的导电导热性能，铜合金已成为主要的引线框架材料。本文对电子封装铜合金引线框架材料的性能要求、国内外研究与发展等进行了综述。
- 马莒生黄福祥黄乐耿志挺宁洪龙韩振宇
- 关键词：引线框架材料铜合金电子封装半导体器件集成电路
- 多层喷射沉积工艺制备双金属板材
- 该论文研究了多层喷射沉积工艺制备双金属板的过程和规律,成功地制出了铝/钢、铅青铜/钢、铅青铜/铝双金属板,进行了轧制或热处理.研究结果表明沉积工艺、基体的表面状况和温度对沉积状况和策观组织结构有影响,寻找到喷射沉积工艺和...
- 宁洪龙
- 关键词：多层喷射沉积
- 引线框架材料对铜合金与锡铅焊料界面组织的影响被引量：10
- 2003年
- 采用老化试验、金相分析、扫描电镜(SEM)及能谱分析(EDX)等手段对引线框架铜合金与SnPb共晶焊料界面组织进行了分析研究.结果表明,引线框架材料对铜合金与SnPb共晶焊料界面组织有很大的影响,焊点在160℃高温老化300 h后,CuCrZr系合金和CuNiSi合金与SnPb的界面金属间化合物为Cu6Sn5,其厚度在5~10 ?m; 而C194合金与SnPb的界面金属间化合物为分布有Pb颗粒的Cu6Sn5,厚度已高达60~70 ?m,同时还发现有微小空洞存在,影响焊点的可靠性.与C194合金相比,CuCrZr系合金和CuNiSi合金具有更好的焊接可靠性.
- 黄福祥马莒生朱继满宁洪龙铃木洋夫耿志挺陈国海
- 关键词：引线框架材料铜合金金属间化合物可靠性
- 氧化铝陶瓷封接技术应用基础研究
- 宁洪龙
- 关键词：微电子技术封装工艺氧化铝陶瓷
