季伶俐
- 作品数：8 被引量：54H指数：5
- 供职机构：同济大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术化学工程更多>>
- 氧化钛/氧化石墨烯复合结构及其光催化性能被引量：29
- 2010年
- 采用氧化石墨和硫酸钛作为初始反应物,在低温下(<100℃)制备得到了纳米级的氧化钛-氧化石墨烯插层复合材料,即TiO2-Graphene Oxide intercalated composite,可记为TiO2-Graphene Oxide.这种材料是以经碱溶液剥离后单层和多层的氧化石墨混合物(即氧化石墨烯)作为负载,由Ti(SO4)2水解生成的[TiO]2+基团通过静电吸引扩散进入到氧化石墨烯层间,在低温条件下成核生长,形成了TiO2-Graphene Oxide插层复合材料.同时,还研究了这一复合材料的紫外光催化性能,结果表明,在采用TiO2-Graphene Oxide插层复合材料对甲基橙溶液进行紫外光催化降解时,其降解效率达到η=1.16mg.min-1.g-1(此为复合材料15min内对甲基橙的降解效率),明显优于同等条件下P25粉的降解率η=0.51mg.min-1.g-1.还对TiO2-Graphene Oxide插层复合材料的可重复使用性能和稳定性能进行了研究.最后,通过对TiO2-Graphene Oxide插层复合材料进行XRD,XPS,TGA,ESEM和HRTEM测试,表征了产物的晶相、界面状况、热性能及其显微结构,并分析了这一复合结构对改善光催化性能的主要影响因素和作用机理.
- 张琼贺蕴秋陈小刚胡栋虎李林江季伶俐尹婷
- 关键词：二氧化钛氧化石墨烯插层复合材料光催化性能
- 氧化钛-氧化石墨插层结构及其光催化性能(英文)被引量：6
- 2010年
- 采用氧化石墨(GO)和硫酸钛作为初始反应物,在低温下(80℃)制备了纳米级的氧化钛-氧化石墨插层(TiO2-GO)复合材料,研究了这一复合材料的紫外光催化性能.结果表明,在采用TiO2-GO插层复合材料对甲基橙溶液进行紫外光催化降解时,其降解效率η=1.17mg·min-1·g-1,明显优于德固赛P25氧化钛粉.通过对TiO2-GO插层复合材料进行X射线衍射(XRD)、傅里叶红外(FT-IR)光谱、X射线光电子能谱(XPS)和场发射扫描电子显微镜(FESEM)等测试,表征了产物的晶相结构、界面状况及其显微结构.结果表明:插层结构中的TiO2晶粒为锐钛矿和金红石的混合相,且锐钛矿相含量大于金红石相含量;氧化石墨层间的含氧基团如C襒O,基本被还原.对TiO2-GO插层复合材料的形成机理以及该材料具有优越光催化性能的原因进行了探讨.
- 张琼贺蕴秋陈小刚胡栋虎李林江尹婷季伶俐
- 关键词：二氧化钛氧化石墨复合材料光催化性能
- Zn-Sn-O系统透明导电薄膜的制备及其性能被引量：8
- 2012年
- 本文采用溶胶-凝胶（Sol-Gel）过程和旋涂技术,通过高温烧结,得到了Zn-Sn-O系统的薄膜。结合干凝胶的差示扫描热分析（TG-DSC）和薄膜的X射线衍射分析（XRD）,研究了干凝胶在烧结过程中发生的反应。通过控制溶胶的组成和薄膜烧结温度,得到了较纯净的Zn2SnO4晶相薄膜和ZnSnO3晶相薄膜。ZnSnO3晶体薄膜的电阻率显著低于Zn2SnO4晶体薄膜;N2气氛热处理后,ZnSnO3薄膜的电阻率升高而Zn2SnO4薄膜的电阻率大幅降低;当[Zn]/[Zn＋Sn]=50.3at%时,薄膜的晶相仍为ZnSnO3,其电阻率较[Zn]/[Zn＋Sn]=50.0at%的薄膜降低,约为8.0×102Ω.cm-1。通过上述两种晶相薄膜的X射线光电子能谱分析（XPS）,探讨了这两种晶体不同的导电机理：Zn2SnO4晶体通过其中的氧空位导电,而ZnSnO3晶体则以间隙阳离子导电。紫外-可见光透过率（UV-Vis）分析表明：Zn2SnO4和ZnSnO3晶体薄膜在400~900nm的可见光波段的透过率可达80%以上。
- 季伶俐贺蕴秋孙芳芳
- 关键词：溶胶-凝胶法导电性透明性
- ZnSnO_3透明导电薄膜:溶胶-凝胶法制备及性能被引量：5
- 2012年
- 采用溶胶-凝胶（Sol-Gel）过程和旋涂法制备了Zn-Sn-O系统薄膜。通过对干凝胶的热重-差示扫描同步热分析（TG-DSC）,研究了干凝胶在烧结过程中的反应历程。采用X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）、场发射扫描电镜（FE-SEM）以及紫外-可见透过率（UV-Vis）等表征了烧结后薄膜的晶相、晶格缺陷、微观形貌以及紫外-可见光透过率。本文还研究了烧结温度、N2气氛热处理以及组成变化对薄膜电阻率的影响,结果表明：偏锡酸锌ZnSnO3晶体薄膜具有较低的电阻率;当nZn/（nZn＋nSn）=50.3at%时,薄膜的电阻率达极小值,约为8.0×102Ω.cm。偏锡酸锌ZnSnO3晶体的导电机理研究表明：晶格中间隙阳离子含量的增加有利于薄膜电阻率的降低,而氧空位的形成则使其电阻率升高。薄膜的紫外-可见光透过率（UV-Vis）表明：偏锡酸锌ZnSnO3晶体薄膜在400~900 nm的可见光波段透过率可达80%以上。
- 季伶俐贺蕴秋李乐
- 关键词：溶胶-凝胶法透明性导电材料
- Zn-Sn-O系统透明导电薄膜的制备及其性能的研究
- 本文采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)过程和旋涂技术,通过高温烧结,得到了Zn-Sn-0系统的氧化物薄膜。论文结合干凝胶的差示扫描热分析(TG-DSC)和薄膜的X射线衍射(XRD),研究了干凝胶在烧结过程中发生的反应以及经...
- 季伶俐贺蕴秋孙芳芳尹婷李一鸣李乐
- 关键词：溶胶-凝胶法导电性透明性
- 文献传递
- 不同晶型WO·_30.33H_2O的结构及性能被引量：5
- 2011年
- 以Na2WO4.2H2O为主要原料,采用液相法(80℃)和离子交换-水热法(150℃)分别制备了六方WO3.0.33H2O和以正交相为主的混合晶型WO3.0.33H2O。通过对2种晶型WO3.0.33H2O材料进行X射线衍射(XRD)、场发射电子扫描显微镜(FE-SEM)、红外光谱(FTIR)、X射线光电子能谱(XPS)和循环伏安测试,表征了产物的晶相和结构等。正交WO.30.33H2O结构中由于相邻钨氧八面体层的相互位移而形成空隙,六方WO3.0.33H2O结构中没有位移则形成孔道;正交WO3.0.33H2O具有比六方WO3.0.33H2O更短键长的W=O和更负的导带位置。紫外-可见透射光谱研究表明,六方WO.30.33H2O具有更明显的电致变色效应,可能是因为结构中的孔道使H+易扩散使六方WO.30.33H2O更易发生氧化还原反应。光催化性能研究表明,正交WO3.0.33H2O具有更负的导带位置,价带电子跃迁后易于向电子受体转移,抑制了电子和空穴的复合,使得混合晶型WO3.0.33H2O的紫外光光催化能力相对六方WO.30.33H2O更强。
- 胡栋虎贺蕴秋李林江尹婷季伶俐李一鸣
- 关键词：电致变色光催化
- Zn-Sn-O系统透明导电薄膜的制备及其性能的研究
- 本文采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)过程和旋涂技术,通过高温烧结,得到了Zn-Sn-O系统的氧化物薄膜.论文结合干凝胶的差示扫描热分析(TG-DSC)和薄膜的X射线衍射(XRD),研究了干凝胶在烧结过程中发生的反应以及经...
- 季伶俐贺蕴秋孙芳芳尹婷李一鸣李乐
- 关键词：溶胶-凝胶法导电性透明性
- 氧化石墨结构对电容性能的影响被引量：2
- 2011年
- 研究了层状结构氧化石墨的片状尺度、结晶态及不同表面官能团含量对其电化学电容性能的影响。以光谱纯和化学纯石墨为原料,采用改进的Hummer法制备氧化石墨(GO),并将部分氧化石墨球磨。用FT-IR和XPS,对氧化石墨表面官能团进行了分析;XRD、FE-SEM和氮气吸附等温线,对氧化石墨结构和形貌进行了分析。利用恒电流充放电、循环伏安和交流阻抗等电化学测试方法研究了氧化石墨结构与电化学电容性能的关系。结果表明,光谱纯氧化石墨制备的电容器比电容较小,为18.8F/g;化学纯石墨制备的氧化石墨球磨后比电容最高,可达到119.7F/g。
- 李林江胡栋虎季伶俐尹婷李一鸣贺蕴秋
- 关键词：氧化石墨超级电容器表面官能团
