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孙牧

作品数:8 被引量:12H指数:2
供职机构:中国科学院物理研究所更多>>
发文基金:国家杰出青年科学基金更多>>
相关领域:理学文化科学更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 6篇理学
  • 1篇文化科学

主题

  • 3篇等离子体
  • 2篇等离子
  • 2篇改性
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硼
  • 1篇氮化硼薄膜
  • 1篇灯丝
  • 1篇灯丝电源
  • 1篇等离子体改性
  • 1篇等离子体鞘层
  • 1篇等离子体源
  • 1篇低压
  • 1篇电源
  • 1篇调制器
  • 1篇新中国
  • 1篇直流高压
  • 1篇直流高压电源
  • 1篇室温
  • 1篇碳60
  • 1篇凝聚态

机构

  • 8篇中国科学院

作者

  • 8篇孙牧
  • 2篇杨思泽
  • 2篇李兵
  • 1篇王玉鹏
  • 1篇阎鹏勋
  • 1篇陈熙琛
  • 1篇谢仿卿
  • 1篇薛其坤
  • 1篇赵岩
  • 1篇吴建国
  • 1篇李和风
  • 1篇陆华
  • 1篇陈伟
  • 1篇任育峰
  • 1篇厉建龙
  • 1篇王恩哥

传媒

  • 3篇物理
  • 1篇金属学报
  • 1篇中国科学(A...
  • 1篇中国科学院院...

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2002
  • 1篇2000
  • 1篇1999
  • 2篇1998
  • 1篇1997
  • 1篇1995
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
凝聚态物理学发展的机遇和挑战——香山科学会议第92次学术讨论会介绍
1998年
凝聚态物理学发展的机遇和挑战———香山科学会议第92次学术讨论会介绍香山科学会议第92次学术讨论会于1998年3月24—27日在北京香山举行,会议主题为“凝聚态物理学发展的机遇和挑战”.凝聚态物理是物理学中内容最丰富、应用最广泛的一门分支学科,也是当...
李和风孙牧
关键词:凝聚态物理学
表面科学研究回顾与21世纪发展展望被引量:4
1999年
表面与界面是材料物理、化学性质发生空间突变的二维区域,材料的许多重要物理、化学过程首先发生在表面,同时材料的很多破坏和失效也首先起源于表面和界面.因此,表面是材料与外部环境直接发生联系的窗口,从研究材料表面界面的各种物理化学过程入手最终可以达到改变材料性能的目的.过去10年中,材料表面科学在促进材料科学基础研究、推动新材料新技术发展中发挥了关键作用.世纪之交乃至下一世纪,表面科学将面临新的挑战和机遇,这一方面是来自工业技术革命的需要,另一方面则来自科学发展自身的动力.文章着重对近10年来表面科学取得的重要成果进行回顾。
孙牧谢仿卿王恩哥
求索八十载 辉煌物理人——中国科学院物理研究所成立80周年被引量:1
2008年
赵岩陈伟王玉鹏孙牧
关键词:新中国
等离子体源材料内表面离子注入装置
本实用新型涉及一种等离子体处理装置,特别是涉及材料内表面等离子体改性处理装置。本实用新型的目的在于实现工件材料内表面的等离子体源离子注入,使工件内、外表面都能得到均匀的改性处理。为此提供一种由直流高压电源经脉冲调制器与真...
孙牧杨思泽李兵
文献传递
等离子体源离子注入材料表面改性及其机理研究
该文研制了一套可同时用于材料内外表面注入的新型等离子体源离子注入装置.利用Langmuir探针测量方法对该系统进行了等离子体诊断和鞘层扩展动力学的实验研究.
孙牧
关键词:等离子体离子注入
物理研究所与国际一流研究机构的比较研究被引量:3
2002年
运用定性分析与定量分析的对比方法 ,以与物理研究所学科布局相近、规模体量相当的剑桥大学卡文迪什实验室和东京大学物性研究所为参照系 ,进行了比较研究。找出了与国际一流研究机构的差距 ,确定了创建国际一流研究所的分期目标 ,实施了相应的措施 。
吴建国孙牧
室温低压下脉冲等离子体生长立方氮化硼薄膜被引量:2
1995年
运用脉冲高能量密度等离子体,在室温下制成立方氮化硼薄膜.沉积薄膜的衬底材料分别选用单晶硅、氯化钠和GCr15轴承钢,用扫描电镜、透射电镜、红外吸收谱仪、扫描Auger微探针等对沉积的薄膜进行了分析与测试,结果表明,氮化硼薄膜的结构及性质强烈地依赖于实验条件.分析表明立方氮化硼晶核的形成与衬底材料关系不大,但晶核的生长则部分地依赖于衬底.
阎鹏勋杨思泽孙牧任育峰李兵陈熙琛
关键词:脉冲等离子体立方氮化硼室温
固态vander WaalsC _(60)膜晶格的Coulomb膨胀
2000年
利用扫描隧道显微镜观测到生长在GaAs(0 0 1 ) 2× 4表面上的固态vanderWaalsC6 0 膜在室温下较之C6 0 晶体具有 1 3%的晶格膨胀 .这种膨胀是由从GaAs衬底饱和的As悬挂键上转移到C6 0 分子上的电荷之间的Coulomb作用引起的 .理论计算表明 ,平均约有 1 76个电子转移到每个C6 0 分子上 .有趣的是 ,该固态C6 0 膜为 (1 1 0 )取向 ,这明显不同于生长于其他半导体或金属表面上的具有 (1 1 1 )取向的六角密排C6 0 膜 .这种反常取向的薄膜是由GaAs衬底的各向异性产生的一维限制作用导致的 .通过选择不同的衬底 ,可以控制C6 0
薛其坤厉建龙孙牧陆华T.HashizumeY.LingY.HasegawaK.OhnoZ.Q.LiY.KawazoeT.SakuraiH.KamiyamaH.Shinohara
关键词:晶体生长分子束外延晶格
共1页<1>
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