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孔云川

作品数：5 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金高等学校骨干教师资助计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 3篇量子
  • 3篇量子点
  • 3篇分子束
  • 3篇分子束外延
  • 2篇发光
  • 1篇电致发光
  • 1篇原子力显微镜
  • 1篇生长温度
  • 1篇自组织
  • 1篇量子点材料
  • 1篇量子点激光器
  • 1篇激光
  • 1篇激光器
  • 1篇二极管
  • 1篇发光二极管
  • 1篇PL谱
  • 1篇GA
  • 1篇INAS/G...
  • 1篇INAS/G...
  • 1篇表面形貌

机构

  • 5篇中国科学院
  • 1篇北京师范大学

作者

  • 5篇孔云川
  • 4篇牛智川
  • 4篇澜清
  • 4篇周大勇
  • 3篇苗振华
  • 3篇封松林
  • 1篇王亚非
  • 1篇田强
  • 1篇江德生
  • 1篇李永平
  • 1篇边历峰
  • 1篇刘金龙

传媒

  • 2篇Journa...
  • 2篇人工晶体学报

年份

  • 2篇2003
  • 3篇2002
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
In(Ga)As/GaAs自组织量子点材料和激光器研究
该文系统研究了In(Ga)As/GaAs量子点的分子束外延生长的光学性质,以及量子点激光器的制备和性能.主要内容和结果如下:(1)用AFM,PL等手段系统研究了分子束外延生长的In(Ga)As/GaAs量子点的物理性质....
孔云川
关键词：量子点材料PL谱量子点激光器
原子氢辅助分子束外延生长台阶状表面形貌的研究
2003年
研究了分子束外延中引入原子氢后 ,原子氢对外延层表面形貌特征形成的诱导作用 .原子力显微镜 (AFM)测试表明 ,在 (311) A Ga As表面 ,原子氢导致了台阶状形貌的形成 ,在这种台阶状表面进一步生长了 In As量子点 ,测试结果表明其位置分布的有序化受到台阶高度和台阶周期的制约 .这为实现量子点结构的有序化控制生长提供了一定的实验参考 .
周大勇澜清孔云川苗振华封松林牛智川
关键词：表面形貌分子束外延原子力显微镜量子点
GaAs/Si/AlAs异质结的带阶和GaAs生长温度的影响
2003年
用分子束外延 (MBE)设备制备了 Ga As/ Al As和 Ga As/ Si/ Al As异质结 ,通过 XPS分别研究了异质结界面处 Si层厚度为 0 .5 ML 和 1ML 对异质结带阶的调节 ,得到最大调节量为 0 .2 e V;通过 C- V法研究了异质结的Ga As层在不同温度下生长对 0 .5 ML Si夹层的影响 ,得到 Si夹层的空间分布随 Ga As层生长温度的升高而扩散增强的温度效应 ,通过深能级瞬态谱 (DL TS)研究了在上述不同温度下生长的 Ga As层的晶体质量 .
李永平澜清吴正龙周大勇孔云川牛智川田强杨锡震王亚非
关键词：生长温度分子束外延
1.55μm波长发光的自组织InAs量子点生长
2002年
通过引入较长停顿时间 ,采用分子束外延循环生长方法在 35 0℃低温获得了一种横向聚合的InAs自组织量子点 ,在荧光光谱中观察到 1.5 5 μm波长的发光峰 .通过AFM和PL谱的联合研究 ,表明此低温循环生长方法有利于在长波长发光的量子点的形成 .
澜清周大勇孔云川边历峰苗振华江德生牛智川封松林
关键词：分子束外延
1.3微米发光自组织InAs/GaAs量子点的电致发光研究被引量：1
2002年
用优化的MBE参数生长了 1.3μm发光的InAs/GaAs量子点材料 ,并制成发光二极管 ,对不同温度和有源区长度下样品的电致发光谱进行了细致的研究。观察到两个明显的电致发光峰 ,分别对应于量子点基态和激发态的辐射复合发光。实验表明 ,由于能态填充效应的影响 ,适当增大量子点发光器件有源区长度 ,更有利于获得基态的光发射。这个结果提供了一种控制和调节InAs/GaAs量子点发光二极管和激光器的工作波长的方法。
孔云川周大勇澜清刘金龙苗振华封松林牛智川
关键词：INAS/GAAS量子点电致发光发光二极管
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