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苗振华: 作品数：10 被引量：7H指数：2; 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>

合作作者

1.3微米InGaAs/GaAs自组织量子点激光器材料及生长该材料的方法: 本发明提出了一种InGaAs/GaAs自组织量子点外延层结构,以及实现这一外延结构的分子束外延生长技术。通过精确控制分子束外延生长条件－用单原子层交替生长来控制量子点的组分、外延层厚度、形貌结构等,可以实现室温下1.3微...; 牛智川封松林杨富华王晓东汪辉李树英苗振华李树深; 文献传递

In_(0.2)Ga_(0.8)As-GaAs复合应力缓冲层上的1.3μm InAs/GaAs自组织量子点: 2005年; 用光荧光谱和原子力显微镜测试技术系统研究了在2 nm In0.2Ga0.8As和xML GaAs的复合应力缓冲层上生长的InAs/GaAs自组织量子点的发光特性和表面形貌.采用In0.2Ga0.8As与薄层GaAs复合的应力缓冲层,由于减少了晶格失配度致使量子点密度从约1.7×109cm-2显著增加到约3.8×109cm-2.同时,复合层也有利于提高量子点中In的组份,使量子点的高宽比增加,促进量子点发光峰红移.对于x=10 ML的样品室温下基态发光峰达到1350 nm.; 方志丹龚政苗振华牛智川沈光地; 关键词：INAS/GAAS量子点光荧光原子力显微镜

1.3微米InGaAs/GaAs自组织量子点激光器材料及生长该材料的方法: 本发明提出了一种InGaAs/GaAs自组织量子点外延层结构，以及实现这一外延结构的分子束外延生长技术。通过精确控制分子束外延生长条件一用单原子层交替生长来控制量子点的组分、外延层厚度、形貌结构等，可以实现室温下1.3微...; 牛智川封松林杨富华王晓东汪辉李树英苗振华李树深

InGaAs/GaAs自组织量子点光致发光特性研究被引量：2: 2001年; 用 PL谱测试研究了 Ga As和不同 In组份 Inx Ga1 - x As(x=0 .1,0 .2 ,0 .3)覆盖层对分子束外延生长的 In As/Ga As自组织量子点发光特性的影响 .用 Inx Ga1 - x As外延层覆盖 In As/ Ga As量子点 ,比用 Ga As做覆盖层其发光峰能量向低能端移动 ,发光峰半高宽变窄 ,量子点发光峰能量随温度的红移幅度变小 .理论计算证实这是由于覆盖层 Inx Ga1 - x As减小了 In As表面应力导致发光峰红移 ,而 In元素有效抑制了 In As/ Ga As界面组份的混杂 ,量子点的均匀性得到改善 ,PL 谱半高宽变窄 .用 In Ga As覆盖的 In0 .5 Ga0 .5 As/ Ga As自组织量子点实现了 1.3μm发光 ,室温下 PL谱半高宽为 19.2 me V。; 牛智川王晓东苗振华封松林; 关键词：分子束外延光荧光谱光致发光特性

分子束外延生长的InAs/GaAs自组织量子点发光特性被引量：1: 2005年; 研究了分子束外延生长的覆盖了1nm的InxAl1 xAs(x=0. 2, 0. 3 )和3nm的In0. 2Ga0. 8As复合应力缓冲层InAs/GaAs自组织量子点(QD)光致发光(PL)特性。加InAlAs层后PL谱红移到1. 33μm,室温下基态和第一激发态间的跃迁能级差增加到86meV。高In组份的InAlAs有利于获得较长波长和较窄的半高宽(FWHM)。对于覆盖复合应力缓冲层的QD不会使波长和FWHM发生显著变化,但可以使基态和第一激发态间的能级差进一步增大。这些结果归因于InAlAs能够有效的抑制In的偏析,减少应力,使QD保持较高的高度。同时,由于InAlAs具有较高的限制势垒,可以增加基态和第一激发态间的能级差。; 孙彦方志丹龚政苗振华牛智川; 关键词：分子束 INAS GAAS 发光特性量子点

原子氢辅助分子束外延生长台阶状表面形貌的研究: 2003年; 研究了分子束外延中引入原子氢后 ,原子氢对外延层表面形貌特征形成的诱导作用 .原子力显微镜 (AFM)测试表明 ,在 (311) A Ga As表面 ,原子氢导致了台阶状形貌的形成 ,在这种台阶状表面进一步生长了 In As量子点 ,测试结果表明其位置分布的有序化受到台阶高度和台阶周期的制约 .这为实现量子点结构的有序化控制生长提供了一定的实验参考 .; 周大勇澜清孔云川苗振华封松林牛智川; 关键词：表面形貌分子束外延原子力显微镜量子点

快速热退火对高应变InGaAs/GaAs量子阱的影响被引量：3: 2005年; 用固态分子束外延技术生长了高应变In0.45Ga0.55As/GaAs量子阱材料.研究了快速热退火对高应变InGaAs/GaAs量子阱材料光学性质的影响.本文采用假设InGaAs/GaAs量子阱中的InGa原子扩散为误差函数扩散并解任意形状量子阱的薛定谔方程的方法,对不同退火温度下InGaAs/GaAs量子阱室温光致发光峰值波长拟合,得到了In原子在高应变InGaAs/GaAs量子阱中的扩散系数以及扩散激活能(0.88eV).; 苗振华徐应强张石勇吴东海赵欢牛智川; 关键词：分子束外延快速热退火

GaAs(331)A衬底上分子束外延生长自组织InAs纳米结构形貌演化机制: 2004年; 采用分子束外延方法在GaAs(331)A高指数衬底上制备自对齐InAs量子线(QWR)或者三维(3D)岛状结构。InAs量子线(QWR)选择性生长在GaAs层的台阶边缘。通过原子力显微镜(AFM)仔细研究了InAs纳米微结构的表面形貌,发现不同的生长条件如衬底温度、生长速率和InAs层厚度等,对InAs表面形貌有很大的影响。低温更容易导致线状纳米微结构的形成,而高温更利于3D岛状结构形成。表面形貌的转变归结于表面能同应变能之间的竞争。; 苗振华龚政方志丹倪海侨牛智川; 关键词：分子束外延砷化镓砷化铟原子力显微镜

1.55μm波长发光的自组织InAs量子点生长: 2002年; 通过引入较长停顿时间 ,采用分子束外延循环生长方法在 35 0℃低温获得了一种横向聚合的InAs自组织量子点 ,在荧光光谱中观察到 1.5 5 μm波长的发光峰 .通过AFM和PL谱的联合研究 ,表明此低温循环生长方法有利于在长波长发光的量子点的形成 .; 澜清周大勇孔云川边历峰苗振华江德生牛智川封松林; 关键词：分子束外延

1.3微米发光自组织InAs/GaAs量子点的电致发光研究被引量：1: 2002年; 用优化的MBE参数生长了 1.3μm发光的InAs/GaAs量子点材料 ,并制成发光二极管 ,对不同温度和有源区长度下样品的电致发光谱进行了细致的研究。观察到两个明显的电致发光峰 ,分别对应于量子点基态和激发态的辐射复合发光。实验表明 ,由于能态填充效应的影响 ,适当增大量子点发光器件有源区长度 ,更有利于获得基态的光发射。这个结果提供了一种控制和调节InAs/GaAs量子点发光二极管和激光器的工作波长的方法。; 孔云川周大勇澜清刘金龙苗振华封松林牛智川; 关键词：INAS/GAAS 量子点电致发光发光二极管