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姜志艳

作品数：6 被引量：25H指数：3
供职机构：中国电子科技集团公司第二研究所更多>>
相关领域：电子电信理学电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇电气工程

主题

  • 2篇单晶
  • 1篇大直径
  • 1篇单晶生长
  • 1篇运动控制
  • 1篇智能设备
  • 1篇碳化工艺
  • 1篇自动化
  • 1篇西门子
  • 1篇线切割
  • 1篇脉冲发生器
  • 1篇金刚石
  • 1篇晶片
  • 1篇晶片加工
  • 1篇开盖
  • 1篇拉曼
  • 1篇拉曼光谱
  • 1篇固化炉
  • 1篇光谱
  • 1篇发生器
  • 1篇风冷系统

机构

  • 6篇中国电子科技...

作者

  • 6篇姜志艳
  • 2篇徐伟
  • 2篇毛开礼
  • 2篇王英民
  • 2篇岳永杰
  • 1篇周立平
  • 1篇侯晓蕊
  • 1篇王利忠

传媒

  • 2篇电子工艺技术
  • 2篇山西电子技术
  • 1篇电子工业专用...
  • 1篇数字技术与应...

年份

  • 2篇2017
  • 2篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
金刚石多线切割设备在SiC晶片加工中的应用被引量：10
2012年
介绍了金刚石多线切割设备的原理,并采用直径为250μm的金刚石线进行切割工艺实验。使用不同的工艺参数,比较了不同工艺参数对晶片TTV(整体厚度偏差)的影响,给出了实验比较结果,通过改变工艺参数可以使各切割片的TTV控制在25μm之内。
徐伟王英民毛开礼姜志艳周立平
关键词：线切割SIC
拉曼光谱在SiC单晶中的应用被引量：1
2017年
本文主要讲述拉曼光谱仪在碳化硅单晶的应用。拉曼光谱谱峰尖锐清晰,适合定性研究碳化硅单晶衬底的分子结构及组成,晶体的立体规整性,结晶与去向,晶体的表面及界面的结构。通过分析晶体的拉曼光谱,可以完善3C-SiC单晶薄膜结晶质量,进一步修正碳化硅单晶生长工艺。
姜志艳
关键词：碳化工艺
UV固化炉反光罩及风冷系统的研究
2011年
主要介绍UV固化设备制作的反光罩系统及冷却系统。通过合理设计UV反光罩系统及风冷系统来实现低温高光强的UV固化,着重分析了反光罩结构、风路设计等关键因素,提供实现高温固化的解决方案,对UV固化工艺及设备开发具有很好的参考价值。
姜志艳岳永杰
大直径半绝缘4H-SiC单晶生长及表征被引量：5
2012年
采用升华法稳定地生长出7.62 cm半绝缘4H-SiC单晶。通过优化钒掺杂工艺获得了均匀分布的电阻率1011Ω·cm。用激光拉曼光谱仪对晶片进行扫描,结果表明SiC单晶晶型为4H晶型。半绝缘4H-SiC单晶微管密度最好结果小于2 cm-2。用高分辨X射线衍射术表征了7.62 cm 4H-SiC单晶衬底片的结晶质量,(0004)衍射摇摆曲线半峰宽为40",说明晶体结晶性较好。
王英民毛开礼徐伟侯晓蕊王利忠姜志艳
关键词：半绝缘4H-SIC
开盖设备技术的开发与研制被引量：3
2010年
针对如何推广适合行业发展的开盖设备和开盖工艺,指导操作,以节约大量成本、提高产品合格率、降低劳动强度进行技术开发与研制,自主研发出开盖机一台,并根据其关键技术提出解决方案。
岳永杰姜志艳
西门子S7-1200在自动化线的运动控制及应用被引量：6
2017年
利用TIA Portal平台结合CPU S7-1200的"运动控制"功能,通过脉冲发生器(PTO/PWM)的高速脉冲接口控制步进电机和伺服电机,利用内置PROFINET接口实现多台1200之间I-Device(智能设备),可用于4轴以上高速脉冲输出,实现多轴伺服电机及步进电机的精确控制。
姜志艳
关键词：脉冲发生器运动控制智能设备
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