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吴春波

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：南京大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇自动化与计算...

主题

  • 6篇存储器
  • 5篇俘获
  • 4篇闪存
  • 4篇阈值电压
  • 4篇快闪存储器
  • 3篇多值
  • 2篇电荷
  • 2篇电荷分布
  • 2篇物理存储
  • 2篇沟道
  • 2篇非挥发性
  • 2篇比特
  • 2篇编程
  • 2篇编程方法
  • 2篇编程过程
  • 1篇氮化
  • 1篇多晶
  • 1篇偏压
  • 1篇热电子
  • 1篇离子注入

机构

  • 7篇南京大学

作者

  • 7篇吴春波
  • 6篇徐跃
  • 6篇闫锋
  • 3篇纪晓丽
  • 2篇纪小丽
  • 2篇濮林
  • 1篇卜晓峰
  • 1篇马浩文
  • 1篇吴福伟
  • 1篇夏好广

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 4篇2012
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
一种提高非挥发性快闪存储器高密度存储特性的操作方法
提高非挥发性快闪存储器高密度多值存储特性的操作方法，1)首先将局部俘获型非挥发性快闪存储单元的初始状态调整到阈值电压-2V～-1V：采用双边的带-带遂穿热空穴注入(BBHH)的擦除方法进行调整到所述阈值电压；然后再进行瞬...
闫锋吴春波徐跃纪晓丽
一种非挥发性存储器低压快速窄注入编程方法
非挥发性存储器低压快速窄注入编程方法，编程步骤分为两阶段，在第一段中，衬底、源极以及栅极都是接地，漏极Vd2接较小的负偏压-1~-2V，脉冲持续时间为T1（100ns~1μs）；在第二阶段中，在栅极加上电压Vg3（4.2...
闫锋吴春波徐跃纪晓丽
文献传递
一种局部俘获型快闪存储器实现多值/多位存储的操作方法
局部俘获型快闪存储器的多值/多位存储单元操作方法，对4位比特多值/多位存储单元的编程和擦除：对于存储单元左右物理存储位存储相同比特情况，先将存储单元置于擦除状态，则存储单元左右存储位同时实现“11”状态存储；若存储单元左...
徐跃闫锋吴春波纪小丽濮林
文献传递
纳米SONOS存储器件多值多位存储技术研究
如今非挥发性快闪存储器在人们生活工作的各个领域都发挥着巨大的作用,其中局部俘获型多晶硅-氧化硅-氮化硅-氧化硅-硅(SONOS)存储器因为可以通过多值／多位技术实现高密度存储,而受到人们的广泛的重视和深入的研究。但是随着...
吴春波
文献传递
一种局部俘获型快闪存储器实现多值/多位存储的操作方法
局部俘获型快闪存储器的多值/多位存储单元操作方法，对4位比特多值/多位存储单元的编程和擦除：对于存储单元左右物理存储位存储相同比特情况，先将存储单元置于擦除状态，则存储单元左右存储位同时实现“11”状态存储；若存储单元左...
徐跃闫锋吴春波纪小丽濮林
一种低压快速非挥发存储器编程方法
基于低压快速非挥发存储器及编程方法，在编程过程中，在控制栅极加正向电压以提供电子注入电场，源极和漏极接地，深N阱接地，控制P阱电压从高到低两段电压的变化来实现器件的编程；在控制栅极加正向电压Vgp以提供电子注入电场，源极...
闫锋夏好广徐跃卜晓峰吴福伟马浩文吴春波
文献传递
一种提高非挥发性快闪存储器高密度存储特性的操作方法
一种提高非挥发性快闪存储器高密度多值存储特性的操作方法，1)首先将局部俘获型非挥发性快闪存储单元的初始状态调整到阈值电压-2V～-1V：采用双边的带-带遂穿热空穴注入(BBHH)的擦除方法进行调整到所述阈值电压；然后再进...
闫锋吴春波徐跃纪晓丽
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