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徐跃

作品数：21 被引量：0H指数：0
供职机构：南京大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 20篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇自动化与计算...
  • 2篇电子电信

主题

  • 10篇存储器
  • 8篇闪存
  • 8篇阈值电压
  • 8篇快闪存储器
  • 7篇俘获
  • 6篇探测器
  • 6篇光电
  • 6篇编程
  • 4篇沟道
  • 4篇光电探测
  • 4篇光电探测器
  • 4篇光电子
  • 4篇非挥发性
  • 4篇编程方法
  • 3篇多值
  • 3篇浮栅
  • 3篇半导体
  • 2篇电荷
  • 2篇电荷分布
  • 2篇电路

机构

  • 21篇南京大学

作者

  • 21篇徐跃
  • 18篇闫锋
  • 8篇濮林
  • 6篇纪小丽
  • 6篇吴春波
  • 5篇纪晓丽
  • 4篇张荣
  • 4篇施毅
  • 3篇卜晓峰
  • 3篇马浩文
  • 3篇吴福伟
  • 3篇夏好广
  • 2篇李丽
  • 2篇潘红兵
  • 2篇汪磊
  • 2篇何书专
  • 2篇赵茂

年份

  • 2篇2015
  • 4篇2014
  • 2篇2013
  • 7篇2012
  • 3篇2011
  • 2篇2010
  • 1篇2009
共 21 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种提高非挥发性快闪存储器高密度存储特性的操作方法
提高非挥发性快闪存储器高密度多值存储特性的操作方法，1)首先将局部俘获型非挥发性快闪存储单元的初始状态调整到阈值电压-2V～-1V：采用双边的带-带遂穿热空穴注入(BBHH)的擦除方法进行调整到所述阈值电压；然后再进行瞬...
闫锋吴春波徐跃纪晓丽
一种非挥发性快闪存储器高密度多值存储的操作方法
非挥发性快闪存储器高密度多值存储的操作方法，对局部俘获型多值单元的存储操作采用下面的步骤：1）首先将局部俘获型存储单元擦除到阈值电压-2V～-1V的初始状态；擦除后使局部俘获型存储单元左右两边存储位的阈值电压相同；2）存...
徐跃闫锋濮林纪晓丽
文献传递
一种低压快速非挥发存储器编程方法
基于低压快速非挥发存储器及编程方法，在编程过程中，在控制栅极加正向电压以提供电子注入电场，源极和漏极接地，深N阱接地，控制P阱电压从高到低两段电压的变化来实现器件的编程；在控制栅极加正向电压Vgp以提供电子注入电场，源极...
闫锋夏好广徐跃卜晓峰吴福伟马浩文吴春波
文献传递
一种局部俘获型快闪存储器实现多值/多位存储的操作方法
局部俘获型快闪存储器的多值/多位存储单元操作方法，对4位比特多值/多位存储单元的编程和擦除：对于存储单元左右物理存储位存储相同比特情况，先将存储单元置于擦除状态，则存储单元左右存储位同时实现“11”状态存储；若存储单元左...
徐跃闫锋吴春波纪小丽濮林
文献传递
一种片上一体化微型集成磁传感器
一种片上一体化微型集成磁传感器，由霍尔器件、动态失调消除电路、迟滞比较电路、逻辑控制与振荡器电路和H桥输出电路组成，逻辑控制与振荡器电路提供由同一个时钟信号通过反相得到的两个互补时钟信号CLK1和CLK2；动态失调消除电...
潘红兵何书专赵茂李丽徐跃汪磊
一种非挥发性快闪存储器高密度多值存储的操作方法
非挥发性快闪存储器高密度多值存储的操作方法，对局部俘获型多值单元的存储操作采用下面的步骤：1）首先将局部俘获型存储单元擦除到阈值电压-2V～-1V的初始状态；擦除后使局部俘获型存储单元左右两边存储位的阈值电压相同；2）存...
徐跃闫锋濮林纪晓丽
PN结薄膜晶体管非挥发光电探测器
PN结薄膜晶体管非挥发光电探测器，探测器结构包括硅(Si)衬底(1)，衬底正上方为一层绝缘介质称为体绝缘层(2)，体绝缘层正上方为掺杂不同的半导体薄膜层形成P型源极(3)和N型漏极(4)，在源极漏极分界处源极一侧正上方从...
闫锋夏好广卜晓峰徐跃吴福伟马浩文
文献传递
一种精确的多值存储单元的编程方法
精确的多值存储单元编程方法，步骤如下：首先将处于擦除状态的单元以较低的编程脉冲电压，通过连续的多个脉冲ISPP方法编程到阈值电压最低位的编程状态；验证编程后的阈值电压是否达到第一级编程验证电压V<Sub>PV1</Sub...
徐跃闫锋濮林纪小丽
文献传递
一种非挥发性存储器低压快速窄注入编程方法
非挥发性存储器低压快速窄注入编程方法，编程步骤分为两阶段，在第一段中，衬底、源极以及栅极都是接地，漏极Vd2接较小的负偏压-1~-2V，脉冲持续时间为T1（100ns~1μs）；在第二阶段中，在栅极加上电压Vg3（4.2...
闫锋吴春波徐跃纪晓丽
文献传递
一种电感应的可变浅结作为源漏区的浮栅型快闪存储器
一种可变浅结作为源漏区的浮栅结构快闪存储器，在基底P型半导体材料上方的两侧设有重掺杂N型半导体区域分别构成源极、漏极，基底中央区域的正上方依次设有底部遂穿层、浮栅存储层和顶部阻挡层，顶部阻挡层上方设有控制栅极；其中，浮栅...
徐跃闫锋濮林纪小丽
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