冯辉
- 作品数:12 被引量:27H指数:4
- 供职机构:西安电子科技大学更多>>
- 发文基金:国防科技技术预先研究基金国家自然科学基金电子信息产业发展基金更多>>
- 相关领域:电子电信自动化与计算机技术航空宇航科学技术一般工业技术更多>>
- LDMOS线性微波功率放大器设计被引量:4
- 2007年
- LDMOS以其大功率、高线性度和高效率等优点得到广泛的应用.采用2-tone负载牵引法得到了LDMOS晶体管MRF18030的输入和输出阻抗.在对晶体管绝对稳定性分析的基础上,运用共轭匹配法设计出匹配网络,并将匹配网络转化为MOMENTUM元件运用在电路设计中,大大提高了设计的准确性.采用载波复幂级数法对PA的AM-AM和AM-PM非线性特性进行了准确计算,弥补了传统泰勒级数只能分析AM-AM的不足.得到了用来消除PA非线性的反载波复幂级数.根据所得反载波复幂级数,利用二极管非线性特性设计出一种新的结构简单、易于实现的预失真器,给出其准确的电路模型表达式,得到了幅值、角度等参数的精确值.ADS仿真结果表明,IMD3改善了27dB.最终,成功设计出大功率、高效率、高线性的LDMOS微波功率放大器.
- 韩红波郝跃冯辉冯辉
- 关键词:LDMOSADS负载牵引法共轭匹配
- X波段单级氮化镓固态放大器被引量:2
- 2009年
- 利用自主研制的SiC衬底的栅宽为2.5 mm的AlGaN/GaN HEMT器件,设计完成了单级X波段氮化镓固态放大器模块.模块由AlGaN/GaN HEMT器件、偏置电路和微带匹配电路构成.采用金属腔体和测试夹具,保证在连续波下具有良好的接地和散热性能.利用双偏置电路馈电,并且采用独特的电容电阻网络和栅极串联电阻消除了低频和射频振荡.利用微带短截线完成了器件的输入输出匹配.在8 GHz频率及连续波情况下(直流偏置电压为Vds=27 V,Vgs=-4.0 V),放大器线性增益为5.6 dB,最大效率为30.5%,输出功率最大可达40.25 dBm(10.5 W),此时增益压缩为2 dB.在带宽为500 MHz内,输出功率变化为1 dB.
- 陈炽郝跃冯辉马晓华张进城胡仕刚
- 关键词:ALGAN/GANHEMT饱和输出功率增益压缩功率附加效率
- 用于雷达的LDMOS微波功率放大器设计被引量:6
- 2007年
- 硅LDMOS晶体管以其大输出功率和高效率等优点作为微波功率放大器广泛应用于雷达发射机中。在大信号S参数无法获得而厂家提供的1710 MHz^2110 MHz范围内的源阻抗和负载阻抗参数又不能用时,利用一公司的ADS软件,采用负载牵引法得到了输入和输出阻抗。在对晶体管绝对稳定性分析的基础上,运用共轭匹配,成功设计出P-1大于30W、功率增益在1580MHz^1650 MHz频率范围内、增益保持在30dB以上和PAE大于30%的2级LDMOS微波功率放大器。同时,得到了最终的版图并且运用MOMENTUM对它进行了2.5D仿真,得到了理想的结果。
- 韩红波郝跃冯辉任媛媛
- 关键词:LDMOSADS负载牵引法共轭匹配
- 功率合成电路在氮化镓放大器中的应用被引量:5
- 2010年
- 针对氮化镓大功率放大器,由于传统1/4λ枝节线的电桥互耦造成放大器的直流自激和低频自激,在传统1/4λ传输枝节的Wilkinson电桥的基础上,结合氮化镓器件尺寸,设计出以3/4λ传输枝节的Wilkinson电桥为功率分配器/合成器。其输出端口尺寸为27.2mm。在8GHz~9GHz内,插入损耗<1dB,输出端口隔离度>14dB,端口回波损耗>9dB。利用实验室自制的SiC材料衬底的2.5mm栅宽GaN HEMT器件为放大单元,设计完成了两路合成放大器,在8GHz连续波条件下,放大器饱和输出功率为41.46dBm,合成效率为82.3%。通过分析发现,放大器合成效率的下降主要是由每路放大单元特性不一致和功率合成网络损耗所造成的。
- 陈炽郝跃冯辉马腾胡仕刚
- 关键词:插入损耗隔离度ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管
- 基于漏区边界曲率分析的射频RESURF LDMOS耐压与导通电阻优化被引量:1
- 2006年
- 分析了漏区边界曲率半径与射频RESURFLDMOS击穿电压的关系,指出漏区边界的弯曲对RESURF技术的效果具有强化作用.理论分析与模拟结果表明,满足RESURF条件时,提高漂移区掺杂浓度或掺杂深度的同时相应减小漏区边界的曲率半径,可以在维持击穿电压不变的前提下,明显降低导通电阻.
- 池雅庆郝跃冯辉方粮
- 关键词:LDMOSRESURF击穿电压导通电阻
- 基于RS-485的电机保护系统的研究
- 电机在日常生活和工业生产中都有广泛的应用,居高不下的电机故障率也造成了重大的经济损失,各种电机保护装置也应运而生。
本文对电机故障的特征和保护方法做出了简要分析,在此基础上设计了以单片机C8051F040为核心的电...
- 冯辉
- 关键词:电机保护单片机串口通信故障特征
- 基于深度半监督学习的缺陷与异常事件检测方法研究
- 异常事件的发生对人们的生产和生活都会产生极大的影响,为了降低异常事件的影响,需要对异常事件进行实时检测。现实生活中的异常事件主要分为两类:(1)静态异常,例如工业生产中出现的产品外观缺陷;(2)动态异常,例如监控视频中行...
- 冯辉
- 关键词:异常检测半监督学习
- 10MHz带阻型压电石英晶体滤波器研制被引量:3
- 2009年
- 采用三节3晶体的格型电路,设计和研制出了用于边带型通讯机中进行狭窄频带抑制的一种中高频带阻型晶体滤波器新产品。其关键技术指标为10 MHz中高频滤波晶体半成品的设计,插损IL≤5 dB,3 dB带阻宽度BW3 dB≤±3 kHz,带阻衰减(限波)≥45 dB。另外,该文还给出了两节2晶体和三节3晶体的滤波器电路图及滤波器产品的实测传输曲线。
- 靳宝安冯辉王春程
- 关键词:全通网络特征阻抗带阻滤波器
- MOMENTUM法设计微波功率放大器被引量:2
- 2009年
- 文章在对Momentum方法进行研究的基础上,利用ADS软件进行2-tone负载牵引法得到了晶体管输入和输出阻抗。在晶体管稳定性分析的条件下,运用共轭匹配法设计匹配网络,并将匹配网络转化为Momentum元件再用于电路设计中,大大提高了设计的准确性。成功设计出了LDMOS微波功率放大器。对比采用Momentum元件和理想原理图设计两种情况下功率放大器的小信号S参数和大信号下的输出结果,证明了设计过程的准确性。
- 韩红波郝跃冯辉任媛媛
- 关键词:LDMOS微波功率放大器ADS
- 超短波跳频电台硬件平台设计与实现
- 随着通信和电子技术的不断发展,军事通信的现代化已经成为必然。超短波跳频电台在抗干扰、保密性方面具有良好的性能,已经成为军事通信系统中重要的设备。本文中采用了软件无线电思想,提出了以ARM+DSP+FPGA为核心的基带处理...
- 冯辉
- 关键词:超短波跳频电台军事通信系统抗干扰同步串行接口数据通信
- 文献传递