侯德胜
- 作品数：63 被引量：142H指数：6
- 供职机构：中国科学院光电技术研究所更多>>
- 发文基金：国家重点实验室开放基金国家自然科学基金中国科学院重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- 微光刻技术的发展被引量：29
- 2000年
- 阐述了光刻技术的发展及其分辨极限 ,对准分子激光光刻技术及其发展作了比较详细的论述。
- 冯伯儒张锦侯德胜陈芬
- 关键词：微光刻技术准分子激光光刻集成电路
- 光致抗蚀剂薄膜在光刻掩膜制作中的应用
- 该文介绍光致抗蚀剂薄膜在光刻掩模制作中的一种新的应用，即用光致抗蚀剂薄膜来制作光刻用的衰减相移掩模。介绍这种新方法的原理和制作工艺，并将制作的光致抗蚀剂衰减相移掩模用于krF准分子激光投影光刻曝光实验，得出了显著提高光刻...
- 侯德胜孙方
- 关键词：光致抗蚀剂光刻掩模衰减相移掩模分辨力
- 文献传递
- 激光干涉测长法
- 本发明公开了一种半导体激光端点干涉测长法,它克服了现有激光干涉测长法要求测量元件必须从长度的起始点沿直线连续移动到终止点,并对移动过程中干涉条纹的变化量进行计数,测量过程中若受到异物遮挡光线等干扰将导致测量结果无效的缺点...
- 侯德胜
- 文献传递
- 相移掩模和光学邻近效应校正光刻技术被引量：25
- 2001年
- 详细地论述了相移掩模提高光刻分辨力和改善焦深的原理。介绍了光学邻近效应校正方法。
- 冯伯儒张锦侯德胜周崇喜苏平
- 关键词：相移掩模光学邻近效应校正光刻技术
- 显微定位加力观测板
- 本发明公开一种全新的显微定位加力观测板，由用于显微定位及比较观察的微结构层和用于承载加力板的基底组合而成，通过微结构层的图形或标注对比观察判断被观察物大小、形状，实现定位观测。本发明用微细加工的方法制作不同形状的微结构或...
- 邓启凌杜春雷李志华潘丽侯德胜
- 文献传递
- 用光致抗蚀剂膜层制作衰减相移掩模
- 2001年
- 提出一种用光致抗蚀剂膜层制作单层结构衰减相移掩模的新方法 ,介绍这种方法的原理和制作工艺 ,并给出这种方法制作的衰减相移掩模用于准分子激光光刻实验 ,得到显著提高光刻分辨力的实验结果。
- 侯德胜冯伯儒孙方张锦
- 关键词：光致抗蚀剂衰减相移掩模分辨力光刻
- 亚分辨图形相移掩模的制作方法
- 2001年
- 介绍亚分辨图形掩模的原理、应用及具有亚分辨图形的相移掩模和传统掩模的制作方法和工艺。
- 冯伯儒张锦陈宝钦侯德胜苏平
- 采用Levenson相移掩模的KrF准分子激光投影光刻工艺研究
- 本文介绍我们把相移掩模光刻技术和准分子激光光刻技术结合起来进行的进一步提高光刻分辨力,扩展光学光刻极限的研究.包括Levenson相移掩模的制作工艺,KrF准分子激光缩小投影曝光光刻实验系统的建立,以及采用制作的相移掩模...
- 侯德胜孙方冯伯儒张锦
- 关键词：相移掩模准分子激光光刻工艺
- 文献传递
- 用于高分辨大视场微光刻的全息照相技术研究被引量：3
- 2001年
- 介绍一种全息光刻技术的基本原理 ,全息掩模复位精度的影响 ,全息光刻技术的优点及基本应用 ,并对全息光刻系统的设计考虑作了详细介绍 。
- 冯伯儒张锦侯德胜陈芬
- 半导体激光端点测长干涉仪实验系统被引量：4
- 1999年
- 半导体激光端点干涉测长法是利用半导体激光频率调制特性的一种在长度的两个端点干涉测量长度的新方法。本文介绍基于这种测长方法研制的半导体激光端点测长干涉仪实验系统的基本原理、构成、定标方法和测量结果。
- 侯德胜周明宝杜春雷杨代明邓启凌
- 关键词：激光干涉仪半导体激光器频率调制
