万建军
- 作品数：5 被引量：6H指数：2
- 供职机构：西安交通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 不同覆盖层GeSi波导的光场分析
- 1996年
- 利用计算机求解有效折射率的方法，对两种脊形波导进行分析。结果表明。
- 李国正李代宗万建军
- 关键词：光场集成光学
- GeSi/SiMach-Zehnder干涉型调制器的研制被引量：2
- 2000年
- 基于 Ge Si合金的等离子体色散效应 ,研制了一种 Mach- Zehnder干涉型调制器 ,通过对其损耗和调制特性的测试得到 :调制器对 1 .3μm光的插入损耗为 6 .5 d B,最大调制深度达 86 % ,相应的 π相移调制电压为 0 .9V,关断电流和调制区的注入电流密度分别为 40 m A和 0 .97k A/ cm2 。
- 李宝军万建军李国正刘恩科胡冬枝裴成文秦捷蒋最敏王迅
- 关键词：调制器干涉型
- Ge_xSi_(1-x)/Si脊形波导Mach-Zehnder干涉型调制器的优化分析与设计
- 1998年
- 在研制成功ＧｅＳｉ合金单模脊形波导后，进一步用这种波导研制Ｍａｃｈ－Ｚｅｈｎｄｅｒ调制器。文中对调制器设计的三个步骤进行了优化、分析并且讨论了结构不对称性和有源区载流子吸收效应的影响，为研制工作奠定了基础。
- 万建军李国正刘恩科
- 关键词：调制器干涉型
- Ge<,x>Si<,1-x>干涉型MZ调制器的研制及其与Ge<,x>Si<,1-x>/Si超晶格探测器的集成探索
- 该文扼要讨论了Ge<,x>Si<,1-x>合金材料及Ge<,x>Si<,1-x>/Si应变超晶格材料的性质,在此基础上优化分析和设计了Ge<,x>Si<,1-x>Mach-Zenhder干涉型调制器及Ge<,x>Si<,...
- 万建军
- 关键词：调制器超晶格合金材料
- Ge_xSi_(1-x)/Si应变超晶格PIN探测器的研制被引量：4
- 1998年
- 本文对ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ应变超晶格ＰＩＮ探测器进行了分析和设计（其中ｘ＝０．６），并制作出了相应的器件．对典型器件的测试结果表明，在１．３μｍ光照下，反偏电压为－５Ｖ时，光响应电流为２．６μＡ，暗电流为４００ｎＡ，探测灵敏度为０．１５３μＡ／μＷ．最大总量子效率为１４．２％．
- 万建军李国正李娜许雪林刘恩科
- 关键词：硅化锗应变超晶格
