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裴成文

作品数：4 被引量：8H指数：2
供职机构：复旦大学物理学系应用表面物理国家重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇硅
  • 2篇锗
  • 1篇电导
  • 1篇电导法
  • 1篇调制
  • 1篇调制器
  • 1篇多孔硅
  • 1篇多孔硅微腔
  • 1篇微腔
  • 1篇激射
  • 1篇光学
  • 1篇光学特性
  • 1篇发光
  • 1篇发光机理
  • 1篇干涉型
  • 1篇薄层
  • 1篇SI
  • 1篇GESI/S...
  • 1篇MACH-Z...
  • 1篇弛豫

机构

  • 4篇复旦大学
  • 1篇西安交通大学

作者

  • 4篇蒋最敏
  • 4篇秦捷
  • 4篇裴成文
  • 3篇胡冬枝
  • 1篇熊祖洪
  • 1篇张翔九
  • 1篇李国正
  • 1篇王迅
  • 1篇刘恩科
  • 1篇侯晓远
  • 1篇林峰
  • 1篇丁训民
  • 1篇刘晓晗
  • 1篇张胜坤
  • 1篇万建军
  • 1篇廖良生
  • 1篇李宝军
  • 1篇黄大鸣
  • 1篇袁帅

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇光电子．激光
  • 1篇科学通报

年份

  • 1篇2000
  • 2篇1999
  • 1篇1998
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
GeSi/SiMach-Zehnder干涉型调制器的研制被引量：2
2000年
基于 Ge Si合金的等离子体色散效应 ,研制了一种 Mach- Zehnder干涉型调制器 ,通过对其损耗和调制特性的测试得到 :调制器对 1 .3μm光的插入损耗为 6 .5 d B,最大调制深度达 86 % ,相应的 π相移调制电压为 0 .9V,关断电流和调制区的注入电流密度分别为 40 m A和 0 .97k A/ cm2 。
李宝军万建军李国正刘恩科胡冬枝裴成文秦捷蒋最敏王迅
关键词：调制器干涉型
多孔硅微腔的窄峰发射被引量：4
1998年
自从Canham发现多孔硅能高效率发射可见光以来,多孔硅的形成机理、发光机理、器件以及光电子集成研究都取得了很大进展.但到目前为止,多孔硅中是否存在激射现象还不很肯定.我们知道,微腔是实现激射的必要组成部分,它具有辐射功率的空间分布可调、发射峰的宽度可变、自发辐射得到加强或抑制以及激射阈值较低甚至有可能实现激射无阈值等特点.Pavesi等人曾利用交替变化腐蚀电流密度的方法制备了多孔硅微腔.基于用分子束外延生长多层膜具有好的可控性和界面特性。
熊祖洪廖良生袁帅丁训民蒋最敏胡东枝秦捷裴成文侯晓远
关键词：多孔硅微腔激射发光机理光学特性
Si(100)衬底上部分弛豫外延薄层Ge膜的应变研究被引量：2
1999年
利用表面活化剂Ｓｂ在Ｓｉ（１００）衬底上分子束外延生长了不同厚度的Ｇｅ膜，同步辐射Ｘ射线衍射测量表明Ｇｅ膜为部分应变膜，其应变随厚度增大而减小．相应的喇曼光谱中的Ｇｅ－Ｇｅ振动峰位随应变不同而变化，与应变的关系和文献上认为的线性关系在较大应变处有很大的偏离，本文对此进行了分析和讨论．
裴成文秦捷刘晓晗胡冬枝张翔九黄大鸣蒋最敏
关键词：硅锗
电导法测量Si_(1-x)Ge_x/Si量子阱的能带偏移
1999年
本文分析了一个单量子阱的随频率变化的Ｇ－Ｖ特性，提出用电导法测量量子阱的能带偏移．通过对一个Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ单量子阱的实验Ｇ－Ｖ曲线的分析。
张胜坤蒋最敏秦捷林峰胡冬枝裴成文陆方
关键词：电导法硅锗
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