黄亚军
- 作品数：15 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 具有深台面结构的晶圆片的光刻方法
- 本公开提供一种具有深台面结构的晶圆片的光刻方法，包括：在具有深台面结构的晶圆片表面匀涂光刻胶；对匀涂过光刻胶的晶圆片进行预烘；对预烘的晶圆片依次进行完成第一次曝光、第一次显影、第二次曝光以及第二次显影，以减弱曝光时的边缘...
- 郑婉华王天财黄亚军彭红玲曹澎徐传旺宋春旭
- 一种利用金属材料扩散互溶实现硅-硅键合的方法
- 本发明公开了一种利用金属材料扩散互溶实现硅-硅键合的方法，其原理是利用金属材料与硅扩散互溶形成金属硅化物，将硅片键合起来。其特点是工艺简单、键合强度高、气密性好、适用范围宽。其中键合方法包括：在第一硅片上制备薄膜层，在第...
- 赵永梅何志季安王晓峰黄亚军潘岭峰樊中朝王晓东杨富华
- 文献传递
- 垂直结构GaN基LED电流分布计算分析
- 本文通过理论分析与数值计算,建立起了垂直结构GaN基LED电流分布模型,研究了垂直结构GaN基LED电流分布及I-V特性。结果表明,与传统平面结构比较,垂直结构GaN基LED的电流分布均匀性得到明显改善,同时正向电压降低...
- 黄亚军王良臣刘志强伊晓燕王国宏李晋闽
- 关键词：GAN基LED
- 文献传递
- 氮化镓基发光器件的电极体系及其制作方法
- 一种氮化镓基发光器件的电极体系及其制作方法，其中氮化镓基发光器件，包括：一透明衬底；一第一半导体层，一有源层和一第二半导体层，所述第一半导体层与第二半导体层的导电类型相反；一P型接触层，位于空穴为多数载流子的第一半导体层...
- 郭金霞王良臣梁萌王莉黄亚军伊晓燕刘志强
- 文献传递
- GaN基发光二极管的制备方法
- 一种GaN基发光二极管的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在一衬底上依序生长缓冲层和n型GaN层；步骤2：采用光刻的方法，在n型GaN层上制备选择性生长掩膜；步骤3：在去掉选择性生长掩膜的n型GaN层的上面依序生长多量子阱...
- 黄亚军王莉樊中朝刘志强伊晓燕
- 文献传递
- 材料扩散互溶实现碳化硅键合的方法
- 一种材料扩散互溶实现碳化硅键合的方法，包括如下步骤：步骤1：取一第一碳化硅片；步骤2：采用电子束蒸发或磁控溅射的方法，在第一碳化硅片上制备薄膜层；步骤3：取一第二碳化硅片；步骤4：采用电子束蒸发或磁控溅射的方法，在第二碳...
- 赵永梅何志季安刘胜北黄亚军杨香段瑞飞张明亮王晓东杨富华
- 文献传递
- 高深宽比倾斜沟槽的深硅刻蚀技术
- 2023年
- 针对微电子机械系统(MEMS)行业对3D加工日益增长的需求,提出了一种结合法拉第笼和倾斜衬底支架,利用改进的BOSCH工艺进行任意角度深硅刻蚀的创新工艺方案。首先通过仿真计算对法拉第笼的特征尺寸进行了优化,进一步采用法拉第笼和用于制备倾角的衬底支架,对BOSCH工艺参数进行了调整,最终获得了倾角为30°、深度超过25μm、深宽比高达7.9∶1的倾斜沟槽。结果表明利用法拉第笼和倾斜衬底支架,采用深硅刻蚀工艺可以制备高深宽比的倾斜沟槽,而且沟槽角度可以通过加工不同倾角的支架实现。结合法拉第笼和倾斜衬底支架进行等离子体刻蚀可为其他倾斜结构的制备工艺提供参考。
- 刘庆刘雯司朝伟司朝伟杨富华黄亚军
- 关键词：高深宽比法拉第笼
- 高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法
- 一种高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法，包括：步骤1：在衬底上制备氮化镓外延片；步骤2：在氮化镓外延片上制备第一层掩膜和第二层掩膜；步骤3：采用不同图形面积光刻版进行光刻，将第二层掩膜的两侧刻蚀掉，使第二层掩膜的面积小...
- 黄亚军樊中朝刘志强伊晓燕季安王军喜
- 一种制备低反射率蓝宝石图形衬底的方法
- 本发明公开了一种制备低反射率蓝宝石图形衬底的方法，包括：在蓝宝石衬底上生长掩膜材料；对掩膜材料进行光刻，得到具有周期尺寸图形的掩膜；湿法腐蚀蓝宝石衬底得到一定深度的凹坑；干法刻蚀蓝宝石衬底，直至掩膜退缩完全；表面清洗。本...
- 黄亚军樊中朝王莉季安
- 文献传递
- 垂直结构GaN基LED的侧壁优化技术
- 2011年
- 为了提升垂直结构LED提取效率,针对器件侧壁出光的研究越发引起研究人员的关注。由于GaN的高折射率,大部分有源区发出的光线将被限制在GaN层内横向传输。对不同刻蚀倾角侧面的光提取效率进行分析模拟,模拟结果显示,LED的提取效率可以通过侧壁倾斜角度的优化得以提升。实验结果表明,特定侧壁倾角器件的提取效率相比较垂直侧壁提高了18.75%,电致发光光谱测试(EL)结果表明,实验结论与理论计算值基本吻合。本结论对垂直结构GaN基LED器件的优化设计与性能提升有重要指导意义。
- 黄亚军刘志强伊晓燕王良臣王军喜李晋闽
- 关键词：GAN刻蚀
