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文献类型

  • 7篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 5篇芯片
  • 4篇倒装芯片
  • 4篇透镜
  • 4篇凸透镜
  • 3篇功率
  • 3篇二极管
  • 3篇发光
  • 3篇发光二极管
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  • 2篇照射
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  • 2篇微粒子
  • 2篇离子刻蚀
  • 2篇接电
  • 2篇金丝

机构

  • 9篇华东师范大学
  • 2篇上海蓝光科技...
  • 1篇武汉迪源光电...

作者

  • 9篇靳彩霞
  • 7篇孙卓
  • 7篇黄素梅
  • 1篇姚雨
  • 1篇赵振杰
  • 1篇褚家宝
  • 1篇黄士勇
  • 1篇陈奕卫
  • 1篇陈亦卫

传媒

  • 1篇液晶与显示
  • 1篇第八届全国激...

年份

  • 2篇2009
  • 1篇2008
  • 3篇2007
  • 3篇2006
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
一种低应力LED倒装功率芯片及其制备
本发明涉及一种低应力LED倒装功率芯片,以及该倒装功率芯片的制备方法,属于半导体器件及其制造工艺技术领域。主要包括:制作有P-N电极的外延片、制作有反射层的硅衬底和填充层,其特征在于在制作有P-N电极的外延片和制作有反射...
黄素梅孙卓靳彩霞褚家宝陈奕卫
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有机发光二极管元件的制作方法
本发明涉及一种有机发光二极管OLED元件的制作方法,属于材料和器件技术领域。通过在玻璃衬底上,利用旋转涂布法,通过调节球粒与非离子表面活性剂、甲醇比例,形成大面积单层高分子材料微粒子六角阵列,利用紫外灯照射或直接加热,制...
黄素梅靳彩霞孙卓
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有机发光二极管元件的制作方法
本发明涉及一种有机发光二极管OLED元件的制作方法,属于材料和器件技术领域。通过在玻璃衬底上,利用旋转涂布法,通过调节球粒与非离子表面活性剂、甲醇比例,形成大面积单层高分子材料微粒子六角阵列,利用紫外灯照射或直接加热,制...
黄素梅靳彩霞孙卓
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LED倒装芯片的制作方法
本发明涉及一种高出光效率结构LED倒装芯片的制作方法,属于半导体发光二极光LED材料和器件工艺技术领域。通过在蓝宝石衬底上利用微粒子的自组装排列和激光照射方法制备高分子材料微米或亚微米级微凸透镜阵列层,并通过使用ICP(...
黄素梅靳彩霞孙卓
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LED倒装芯片的制作方法
本发明涉及一种高出光效率结构LED倒装芯片的制作方法,属于半导体发光二极光LED材料和器件工艺技术领域。通过在蓝宝石衬底上利用微粒子的自组装排列和激光照射方法制备高分子材料微米或亚微米级微凸透镜阵列层,并通过使用ICP(...
黄素梅靳彩霞孙卓
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LED倒装芯片的制备方法
本发明公开了一种LED倒装芯片的制备方法,首先制备出具有适合共晶焊接电极的倒装LED,同时制备出相应尺寸的硅衬底,并在硅衬底上制作出供共晶焊接的金导电层及引出导电层,并在所述金导电层及引出导电层制作出超声金丝球焊点;然后...
董志江靳彩霞周武丁晓民黄素梅
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用表面粗化ITO的欧姆接触提高GaN基LED性能(英文)被引量:12
2007年
应用ICP干法刻蚀工艺和自然光刻技术,制备了ITO表面粗化的GaN基LED芯片。聚苯乙烯纳米颗粒在干法刻蚀中作为刻蚀掩膜。通过扫描电镜(SEM)观察ITO薄膜的粗糙度,并且报道了优化的粗化工艺参数。结果表明,ITO表面粗化的GaN基LED芯片同传统的表面光滑的芯片相比在20 mA的驱动电流下,发光强度提高了70%。
姚雨靳彩霞董志江孙卓黄素梅
关键词:GAN基发光二极管铟锡氧化物表面粗化
单脉冲飞秒激光作用下晶态GeSb2Te4相变薄膜的非晶化过程
利用飞秒激光的抽运-探测技术,研究了单脉冲飞秒激光作用下GeSb2Te4相变薄膜的非晶化过程,测量了相变薄膜的时间分辨光学显微图.所研究的系统为多层薄膜结构100 nm ZnS-SiO2/35 nm GeSb2Te4/1...
黄素梅靳彩霞黄士勇陈亦卫赵振杰孙卓
关键词:非晶化光存储
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LED倒装芯片的制备方法
本发明公开了一种LED倒装芯片的制备方法,首先制备出具有适合共晶焊接电极的大尺寸LED芯片,同时制备出相应尺寸的硅衬底,并在硅衬底上制作出供共晶焊接的金导电层及引出导电层,并在所述金导电层及引出导电层制作出超声金丝球焊点...
董志江靳彩霞周武丁晓民黄素梅
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