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姚雨

作品数：2 被引量：13H指数：1
供职机构：华东师范大学理工学院纳光电集成与先进装备教育部工程研究中心更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇铟锡氧化物
  • 2篇二极管
  • 2篇发光
  • 2篇发光二极管
  • 2篇表面粗化
  • 1篇欧姆接触
  • 1篇气相沉积
  • 1篇芯片
  • 1篇刻蚀
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇干法刻蚀
  • 1篇GAN基LE...
  • 1篇GAN基发光...
  • 1篇ITO

机构

  • 2篇华东师范大学
  • 1篇武汉迪源光电...

作者

  • 2篇姚雨
  • 1篇孙卓
  • 1篇黄素梅
  • 1篇靳彩霞

传媒

  • 1篇液晶与显示

年份

  • 2篇2007
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
氮化镓基LED芯片的制备研究
GaN是一种宽禁带半导体材料，在室温下其直接带隙宽度为3.39eV，具有热导率高、耐高温、耐酸碱、高硬度等特性，是第三代半导体的代表。这些特性使GaN基材料广泛地被用于蓝、绿、紫外发光二极管和激光器，以及高温大功率器件。...
姚雨
关键词：发光二极管化学气相沉积铟锡氧化物干法刻蚀表面粗化
文献传递
用表面粗化ITO的欧姆接触提高GaN基LED性能(英文)被引量：12
2007年
应用ICP干法刻蚀工艺和自然光刻技术,制备了ITO表面粗化的GaN基LED芯片。聚苯乙烯纳米颗粒在干法刻蚀中作为刻蚀掩膜。通过扫描电镜(SEM)观察ITO薄膜的粗糙度,并且报道了优化的粗化工艺参数。结果表明,ITO表面粗化的GaN基LED芯片同传统的表面光滑的芯片相比在20 mA的驱动电流下,发光强度提高了70%。
姚雨靳彩霞董志江孙卓黄素梅
关键词：GAN基发光二极管铟锡氧化物表面粗化
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