公共文化服务平台

共 8 条记录，以下是 1-8

全选清除导出

排序方式：

热分析在碳化硅粉体氧化动力学研究中的应用: 采用热重法研究了粒度为600＃和4000#的两种SiC粉体的氧化行为,并对其在1150℃、1200℃和1250℃下进行了等温氧化动力学计算，其氧化活化能分别为196．1KJ／mol和150．4．1KJ／mol。结果表明，...; 雷海波肖汉宁郭文明谢文; 关键词：热分析碳化硅动力学

再结晶碳化硅陶瓷抗氧化及抗热震性能研究: 再结晶碳化硅/(Recrystallized Silicon Carbide, R-SiC/)陶瓷具有独特的耐高温,耐腐蚀,抗氧化,导热快,强度高,蓄热小,寿命长及低热膨胀系数等优势而被广泛应用于航空航天,冶金,电子信息...; 雷海波; 关键词：抗氧化氧化动力学抗热震; 文献传递

先驱体浸渍-裂解法制备高密度再结晶碳化硅被引量：10: 2010年; 分别采用聚碳硅烷(polycarbosilane,PCS)/二甲苯(xylene)溶液和SiC/PCS/xylene浆料浸渍-裂解(precursor impregnation and pyrolysis,PIP)法制备高密度再结晶碳化硅(recrystallized SiC,RSiC)。测量了RSiC的体积密度和抗弯强度。用扫描电镜观察了RSiC样品的显微结构。结果表明:采用PCS/xylene溶液浸渍的裂解产物均匀分布在RSiC的孔隙中,经6次PIP循环后,RSiC的密度从2.74g/cm3提高到约2.90g/cm3,抗弯强度与初始样品相比提高了28.1%。采用SiC/PCS/xylene浆料浸渍后的产物在基体中呈梯度分布,基体表层孔隙填充致密,有利于提高RSiC的抗氧化能力。仅3次PIP循环后,RSiC的密度就可达2.90g/cm3,抗弯强度也可提高37.0%。; 郭文明肖汉宁雷海波谢文; 关键词：聚碳硅烷致密化

高温氧化对再结晶碳化硅陶瓷断裂强度的影响被引量：9: 2010年; 研究了在1500℃空气中的高温氧化对再结晶碳化硅(recrystallized silicon carbide,RSiC)陶瓷断裂强度的影响。用X射线衍射仪、扫描电镜分析了RSiC样品氧化后表面的物相组成及显微结构。结果表明:在1500℃下RSiC陶瓷的氧化质量增加遵循抛物线规律,氧化速率常数为3.77×10-5g2/(cm4·h1),其线性相关系数r2为0.998。RSiC陶瓷的室温抗弯强度随氧化时间增加呈现出先升后降的变化趋势,当氧化21h时,材料的室温抗弯强度最高,达到87MPa。氧化初期由于样品表面生成致密的非晶态SiO2,对样品表面的缺陷起到了钝化作用,导致材料室温断裂强度升高;氧化后期由于非晶态SiO2膜的析晶而产生裂纹以及循环氧化导致裂纹扩展,从而使材料的断裂强度降低。; 雷海波肖汉宁郭文明谢文; 关键词：高温氧化

用SHS法合成SOFC阴极材料La_(1-x)Sr_xMnO_3: 2006年; 采用自蔓延高温合成技术(SHS)制备固体氧化物燃料电池(SOFC)阴极材料La1-xSrxMnO3(LSM);研究成形压力、稀释剂添加量等参数对反应过程及合成产物性能的影响;采用XRD、ICP研究SHS法合成LSM的物相和晶型结构。结果表明:自蔓延高温合成产物为钙钛矿结构菱方晶系La1-xSrxMnO3,Sr含量的变化引起合成产物特征峰的位置和半峰宽变化;随着Sr含量的增加,合成的LSM粉末粒度变细,晶格常数a和c减小。; 祝宝军贡涛唐元洪雷海波谢礼肖樱; 关键词：固体氧化物燃料电池阴极材料 LA1-XSRXMNO3 自蔓延高温合成

粗SiC颗粒对再结晶碳化硅陶瓷抗热震性能的影响被引量：4: 2010年; 研究了粗碳化硅(SiC)颗粒的加入对再结晶碳化硅陶瓷(R-SiC)抗热震性能的影响;通过不同温度下热震(水淬试验)后测试不同配方陶瓷的残余强度来评价其抗热震性能,并测试了R-SiC陶瓷在30～1200℃的平均线膨胀系数,通过SEM分析了材料的显微结构及热震损伤机制。结果表明:随着粗SiC颗粒(250μm)含量的提高,R-SiC陶瓷的密度、临界热震温差均先升后降;含有50%250μm SiC颗粒陶瓷的密度最大,为2.60 g·cm^(-3),线膨胀系数最小,为4.60×10^(-6)/℃,抗热震性能最好,其临界热震温差达395℃;250μm SiC颗粒的引入使得R-SiC在热震过程中产生大量的微裂纹,能够迅速吸收存储在材料中的弹性应变能,从而提高其抗热震性能。; 雷海波肖汉宁郭文明谢文; 关键词：粗颗粒抗热震性能

全选清除导出

共1页<1>

雷海波