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郭文明

作品数:74 被引量:112H指数:6
供职机构:湖南大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金中国博士后科学基金湖南省教育厅科研基金更多>>
相关领域:化学工程一般工业技术理学电气工程更多>>

文献类型

  • 27篇期刊文章
  • 25篇专利
  • 21篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

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  • 11篇一般工业技术
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  • 1篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇建筑科学
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主题

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  • 13篇多孔
  • 11篇多孔陶瓷
  • 9篇再结晶
  • 8篇复合材料
  • 8篇复合材
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  • 7篇粉体
  • 6篇复合粉
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  • 5篇碳热还原
  • 5篇热还原
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机构

  • 74篇湖南大学
  • 8篇湖南人文科技...
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作者

  • 74篇郭文明
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  • 37篇高朋召
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  • 10篇胡继林
  • 9篇谢文
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  • 2篇谢文
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  • 2篇彭苏华
  • 2篇成茵
  • 2篇杨娜
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传媒

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  • 2篇湖南大学学报...
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  • 2篇人工晶体学报
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  • 2篇粉末冶金材料...
  • 1篇陶瓷学报
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇科学通报
  • 1篇中国陶瓷工业
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年份

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  • 4篇2016
  • 11篇2015
  • 5篇2014
  • 5篇2013
  • 5篇2012
  • 5篇2011
  • 7篇2010
  • 2篇2009
  • 4篇2008
74 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
碳热还原法合成TiC-SiC复合粉末及其生长机理被引量:5
2011年
以硅溶胶、炭黑和TiO2为原料,采用碳热还原法合成TiC-SiC复合粉末。研究反应温度和TiO2添加量对合成TiC-SiC复合粉末的物相组成和显微形貌的影响;对反应过程进行热力学分析和计算,探讨TiC-SiC复合粉末的生长机理。结果表明:TiC-SiC复合粉末适宜的合成条件为在1 600℃保温1 h;在反应过程中,TiC先于SiC形成,TiC的形成抑制了SiC颗粒的生长;当复合粉末中TiC的含量(质量分数)为10%左右时,SiC的合成过程由气-固(V-S)机理反应转变为气-固机理和气-气机理共同反应;复合粉末主要由球状颗粒、短棒状颗粒以及少量晶须组成;随着复合粉末中TiC含量的增加,SiC晶须的生长受到抑制,其形貌逐步由长纤维状向短棒状和颗粒状过渡。
胡继林肖汉宁李青郭文明高朋召
关键词:复合粉末碳热还原法
一种MoSi<Sub>2</Sub>-RSiC复合材料的制备方法
本发明公开了一种MoSi<Sub>2</Sub>-RSiC复合材料的制备方法。该方法通过将酚醛树脂浸渍裂解法与多组分合金活化熔渗工艺相结合,在1600℃~2000℃的熔渗温度下,使RSiC材料和MoSi<Sub>2</S...
高朋召肖汉宁郭文明张小亮
文献传递
一种使碳化硅微粉球形化和纯化的方法
本发明公开了一种使碳化硅微粉球形化和纯化的方法,该方法在碳化硅微粉中加入占碳化硅微粉质量30%~50%的纯水,同时加入占碳化硅微粉质量0.5%~2%的粘结剂,分散均匀,然后用喷雾干燥法造粒,得造粒粉体;将所述造粒粉体在纯...
肖汉宁刘井雄郭文明高朋召
文献传递
颗粒形貌对再结晶碳化硅多孔陶瓷性能的影响
再结晶碳化硅(RSiC)多孔陶瓷因具有强度高、热导率高、热膨胀系数小、耐腐蚀和高温性能优异等特点,在高温、强腐蚀等苛刻环境下有着广泛的应用前景.SiC粉体颗粒形貌、粒径及其分布等对RSiC材料的成型、烧结等性能具有重要影...
刘井雄肖汉宁郭文明高朋召梁健俊
关键词:碳化硅多孔陶瓷颗粒形貌球形化粒径分布
有机先驱体浸渍裂解与再结晶相结合制备致密再结晶碳化硅
为提高再结晶碳化硅(RSiC)制品的强度和抗氧化性能,开发了一种用有机先驱体浸渍裂解(PIP)与再结晶相结合的高致密RSiC的制备技术.结果表明,采用预氧化交联热处理有利于去除聚碳硅烷(PCS)中剩余的C,从而获得相对较...
郭文明肖汉宁谢文李青高朋召
关键词:再结晶碳化硅聚碳硅烷
可控形貌和尺寸的LaB6粉体制备及其表征
在La2O3-B4C体系制备LaB6粉体的基础上,以纳米尺寸的La2O3和不同微米尺寸的B4C为原料制备了可控形貌和尺寸的LaB6粉末。采用XRD、SEM、激光粒度分析等测试手段进行表征,分析研究了不同粒径B4C颗粒、温...
徐秀华肖汉宁郭文明彭苏华
热分析在碳化硅粉体氧化动力学研究中的应用
采用热重法研究了粒度为600#和4000#的两种SiC粉体的氧化行为,并对其在1150℃、1200℃和1250℃下进行了等温氧化动力学计算,其氧化活化能分别为196.1KJ/mol和150.4.1KJ/mol。结果表明,...
雷海波肖汉宁郭文明谢文
关键词:热分析碳化硅动力学
高温氧化对再结晶碳化硅陶瓷断裂强度的影响被引量:9
2010年
研究了在1500℃空气中的高温氧化对再结晶碳化硅(recrystallized silicon carbide,RSiC)陶瓷断裂强度的影响。用X射线衍射仪、扫描电镜分析了RSiC样品氧化后表面的物相组成及显微结构。结果表明:在1500℃下RSiC陶瓷的氧化质量增加遵循抛物线规律,氧化速率常数为3.77×10-5g2/(cm4·h1),其线性相关系数r2为0.998。RSiC陶瓷的室温抗弯强度随氧化时间增加呈现出先升后降的变化趋势,当氧化21h时,材料的室温抗弯强度最高,达到87MPa。氧化初期由于样品表面生成致密的非晶态SiO2,对样品表面的缺陷起到了钝化作用,导致材料室温断裂强度升高;氧化后期由于非晶态SiO2膜的析晶而产生裂纹以及循环氧化导致裂纹扩展,从而使材料的断裂强度降低。
雷海波肖汉宁郭文明谢文
关键词:高温氧化
再结晶碳化硅及其复合材料的研究进展与应用
再结晶碳化硅(RSiC)是不含烧结助剂、经蒸发-凝聚传质机制得到的高纯碳化硅陶瓷,一直以来是高温领域的一种重要结构材料,然而伴随其烧结机制产生的低致密度、多孔性等问题制约了其更广泛的应用.本文围绕RSiC多孔且孔隙相互连...
肖汉宁郭文明高朋召
关键词:复合材料多孔结构浸渍法熔渗法
文献传递
一种氧化铝隔膜及其制备方法和应用
本发明提供了一种氧化铝隔膜,包括多孔Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>‑ZrO<Sub>2</Sub>基体;所述多孔Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>‑ZrO<Sub>2</Sub...
覃航郭文明高朋召肖汉宁
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