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- 作品数：9 被引量：10H指数：2
- 供职机构：贵州大学理学院新型光电子材料与技术研究所更多>>
- 发文基金：贵州省自然科学基金贵州省科技厅国际合作项目国际科技合作与交流专项项目更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程化学工程更多>>
- 环境友好半导体β-FESI2薄膜的制备方法研究
- 本文对环境半导体β-FESI2薄膜的制备方法工艺进行了回顾和总结，对β-FESI2薄膜的热处理工艺进行了综述。分析了制备和热处理过程中薄膜沉积方法和沉积条件、沉积速率、薄膜厚度、热处理方法和热处理条件等因素对β-FESI...
- 马道京张晋敏王衍朱培强陈站谢泉
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- 退火对FE(200 NM)/SI系统中硅化物的形成和显微结构的影响
- 本文采用直流磁控溅射方法，在SI(100)衬底上沉积厚约200 NM纯金属FE膜，随后在真空退火炉中不同退火条件下对样品进行热处理，形成FE-SI化合物薄膜。X-射线衍射（XRD）分析了FE-SI 化合物的形成及晶体结构...
- 王衍张晋敏马道京朱培强陈站谢泉
- 关键词：磁控溅射真空退火
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- 金属间化合物Fe3Si的制备方法被引量：2
- 2011年
- 文章综述了金属间化合物Fe3Si制备方法的研究现状,详细介绍了Fe3Si的几种常用制备方法,如分子束外延（MBE）、脉冲激光沉积（PLD）、物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）和机械合金化（MA）,最后归纳了金属间化合物Fe3Si研究面临的主要问题,展望了今后的发展趋势。
- 陈站张晋敏朱培强谢泉马道京王衍
- 环境友好半导体β-FeSi2薄膜的制备方法研究被引量：3
- 2009年
- 分析了制备和热处理过程中薄膜沉积方法和沉积条件、沉积速率、薄膜厚度、热处理方法和热处理条件等因素对β-FeSi2相的形成的影响，结果表明，影响β-FeSi2相形成的决定性因素是热处理的温度和时间，此外薄膜的沉积方法和薄膜厚度对β-FeSi2相也有重要的影响。
- 马道京张晋敏王衍朱培强陈站谢泉
- 机械合金化-热压烧结制备金属间化合物Fe_3Si
- 2012年
- 采用机械合金化(MA)和真空热压烧结(HP)法制备金属间化合物Fe3Si。X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、差热分析(DTA)和振动样品磁强计(VSM)分别用于分析化合物的物相、显微形貌、致密度和磁学性质。研究表明球磨55h可达到完全合金化,Si溶入Fe中形成饱和固溶体α-Fe(Si),晶粒尺寸约7～8nm。热压烧结后,α-Fe(Si)固溶体发生有序转变生成Fe3Si。磁性能测量表明:样品的矫顽力随烧结温度的升高而减小;随烧结时间的延长而减小;饱和磁化强度随烧结时间的延长而增大。
- 陈站张晋敏赵清壮朱培强郑旭谢泉
- 关键词：机械合金化热压烧结
- 机械合金化法制备Cr掺杂Fe-Si合金
- 2011年
- 采用高能行星式球磨机制备了Cr掺杂Fe-Si混合粉,用X射线衍射（XRD）测试研究Cr掺杂Fe-Si合金的机械合金化过程,实验结果表明,随着球磨强度的增加,Fe、Cr、Si粉末通过原子扩散实现机械合金化,最佳的球磨工艺参数为：球磨时间35h、球磨机转速360r/min、球料比40：1。
- 王朋乔谢泉罗倩陈站
- 关键词：FE-SI合金机械合金化
- 高能球磨法制备Fe_3Si合金粉末被引量：4
- 2012年
- 采用高能球磨法研究了原子配比Fe75Si25的混合粉末在不同的球磨条件下的机械合金化,用X射线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜(SEM)表征样品的物相、晶体结构、晶粒尺寸和点阵常数,分析了Fe75Si25粉末的机械合金化机理。研究表明,球磨时间、球料比和球磨机转速对机械合金化(MA)进程有重要影响。MA 55h后可达到完全合金化,Si溶入Fe中形成α-Fe(Si)饱和固溶体,晶粒尺寸减小至7～8nm。
- 陈站张晋敏赵青壮朱培强郑旭谢泉
- 关键词：高能球磨法机械合金化
- 退火对Fe（200nm）／Si系统中硅化物的形成和微结构的影响被引量：1
- 2010年
- 采用直流磁控溅射方法，在Si（100）衬底上沉积厚约200nm纯金属Fe膜，随后在真空退火炉中不同退火条件下对样品进行热处理，形成Fe—Si化合物薄膜，利用X-射线衍射（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）对Fe—Si化合物进行表征分析，研究了退火条件对厚膜系统中Fe—Si化合物薄膜的形成、晶体结构和表面形貌的影响。
- 王衍张晋敏马道京朱培强陈站谢泉
- 关键词：磁控溅射真空退火
- Fe3Si薄膜的制备和性能研究被引量：1
- 2010年
- 介绍了Fe3Si的一些基本特性及Fe3Si薄膜的几种主要制备方法,重点介绍了分子束外延法中不同类型衬底、温度对Fe3Si薄膜形成的影响,并且分析了各种制备方法中的一些重要参数对薄膜结构及性质的影响。随着Fe3Si薄膜制备工艺的不断完善,Fe3Si薄膜将会成为一种性能优秀的自旋电子器件。
- 朱培强张晋敏郑旭陈站
