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陈亚波

作品数:4 被引量:17H指数:3
供职机构:华中科技大学电气与电子工程学院更多>>
发文基金:教育部“新世纪优秀人才支持计划”湖北省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程理学电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电气工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇低损耗
  • 2篇压电
  • 2篇压电陶瓷
  • 2篇陶瓷
  • 2篇PZT
  • 2篇PZT压电陶...
  • 2篇掺杂
  • 1篇信号
  • 1篇信号处理
  • 1篇数字信号
  • 1篇数字信号处理
  • 1篇数字正交
  • 1篇凝胶注模
  • 1篇凝胶注模成型
  • 1篇强场
  • 1篇强场效应
  • 1篇注模
  • 1篇注模成型
  • 1篇阻抗
  • 1篇钛酸铅

机构

  • 4篇华中科技大学

作者

  • 4篇陈亚波
  • 3篇张洋洋
  • 2篇刘耀平
  • 1篇张清风
  • 1篇郭婷
  • 1篇易飞
  • 1篇谢静菁
  • 1篇邵坤
  • 1篇刘岚
  • 1篇张光祖
  • 1篇谢甜甜
  • 1篇姜胜林
  • 1篇卢琳
  • 1篇王立平

传媒

  • 2篇压电与声光
  • 1篇功能材料
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
基于数字正交的压电材料参数测试系统研究被引量:4
2011年
将数字正交采样法引用到压电测试中,对压电参数的测试方法、正交采样的理论两方面进行了研究,完成系统结构设计并给出了相应的软硬件实现方式,最后计算出机械品质因数和机电耦合系数等压电参数,并对测试结果进行了误差分析。测试结果表明,此方法能测量谐振频率与机械品质因数等压电参数,谐振频率测量误差在1%内,且能在一定范围内准确的记录材料的阻抗变化趋势。
陈亚波张洋洋邵坤张清风张光祖
关键词:数字正交阻抗
PZT压电陶瓷的强场效应研究被引量:3
2009年
实验选取一种性能较好的二元系锆钛酸铅(PZT)压电陶瓷配方,通过测试PZT陶瓷样品在强场下的介电性能表明,随着外加电场强度的增大,样品介温曲线的斜率变小;材料的介电损耗随着外加电场的增大而增大,当外加电场从0升至400 V/mm时,介电损耗从0.16%增至0.38%,损耗仍在较小范围内,可见本材料较适合作为大功率压电材料在强场下应用。对其强场效应及损耗机理进行了初步探讨。
陈亚波张洋洋刘岚易飞刘耀平
关键词:低损耗强场效应
铈掺杂对PZT压电陶瓷性能的影响被引量:9
2008年
研究了铈掺杂对PZT(锆钛酸铅)压电陶瓷材料的相组成、微观结构、介电性能、压电性能及铁电性能的影响,并对实验结果做出物理机理的解释。实验结果表明,适量的铈掺杂有利于材料结构的致密,提高了体电阻率,解决了材料在高温高场下极化困难的问题,在铈掺杂量为0.4%(摩尔分数)时,制备出综合性能良好的PZT压电陶瓷:室温时rε=958,tgδ=0.24%,d33=239pC/N,Kp=0.45,Qm=886,适合制备大功率压电陶瓷。
陈亚波张洋洋姜胜林刘耀平郭婷
关键词:PZT相结构低损耗
Ba_(0.7)Sr_(0.3)TiO_3热释电陶瓷材料研究被引量:1
2007年
采用Pechini法制备了100 nm的Ba0.7Sr0.3TiO3纳米粉体,并用凝胶注模成型工艺制备不同Mn含量的BST陶瓷。研究表明,在Mn掺杂量为0.5%(摩尔分数),烧结温度为1 280℃时制备的样品,其热释电性能较好,在居里温度附近,30~40℃时,其平均热释电系数为450μC.m–2.K–1,对应平均探测率优值为5.6μC.m–3.K–1,1kHz频率条件下tanδ低于0.5%,εr为3 500左右(室温20℃,外加偏压200 V/mm)。
陈亚波卢琳谢甜甜王立平谢静菁
关键词:无机非金属材料BST纳米粉体凝胶注模成型MN掺杂
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