张光祖
- 作品数：73 被引量：44H指数：4
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- B_2O_3-Li_2O掺杂对丝网印刷Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3厚膜微观结构及介电特性的影响
- 2011年
- 采用丝网印刷工艺并通过有效掺杂B2O3-Li2O制备出了一致性和可重复性良好的Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)厚膜。系统研究了B2O3-Li2O掺杂对BST厚膜的低温烧结特性、微观结构、相构成及介电性能的影响。结果表明:随着B2O3-Li2CO3含量的增加,BST厚膜的烧结温度逐渐降低,晶粒尺寸和介电常数显著变小。当B2O3-Li2CO3的掺杂量为4.5%时,BST厚膜可在900℃下低温烧结成瓷,所得样品在20℃和10 kHz频率下的介电常数及介电损耗分别为312和0.003 96,在3×103 V/mm偏场下的可调率达16.2%。
- 高参曾亦可姜胜林张光祖赵强
- 关键词：丝网印刷介电性能
- Zn_2SiO_4掺杂对氧化锌压敏电阻性能的影响被引量：9
- 2011年
- 采用普通陶瓷工艺制备了Zn2SiO4掺杂的氧化锌压敏电阻,研究了Zn2SiO4掺杂量对氧化锌压敏电阻的致密度,晶粒微观结构,小电流性能和通流能力的影响。结果表明:当Zn2SiO4掺杂量达到0.75%(摩尔分数)时,氧化锌压敏电阻晶粒致密均匀;电学性能得到改善,压敏电压梯度和非线性系数分别高达438 V/mm和85,漏电流为0.15μA,样品在耐受5 kA电流下的8/20μs脉冲电流波后,残压比和压敏电压变化率分别为2.0和4.0%。
- 黄国贤姜胜林郭立张光祖翁俊梅
- 关键词：氧化锌压敏电阻晶粒电学性能
- 一种氧化锌压敏电阻陶瓷及其制备方法
- 本发明涉及一种高能量吸收能力的氧化锌压敏电阻陶瓷及其制备方法。该陶瓷由氧化锌压敏电阻基础原料及金属粉添加剂经球磨混料、干压成形和气氛烧结制备，所述原料及摩尔比为ZnO(91.494-94.894mol％)，Bi<Sub>...
- 姜胜林王亚萍范保艳张光祖曾亦可
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- 宽温区相变型热释电陶瓷材料的制备方法
- 本发明公开了一种宽温区相变型热释电陶瓷材料的制备方法，包括：①根据化学式Pb[(Mn<Sub>0.33</Sub>Nb<Sub>0.67</Sub>)<Sub>0.5</Sub>(Mn<Sub>0.33</Sub>Sb<...
- 张洋洋姜胜林曾亦可张光祖谢甜甜卢琳
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- 一种多孔中空氧化物纳米微球及其制备方法与应用
- 本发明公开了一种多孔中空氧化物纳米微球及其制备方法与应用，属于纳米材料技术领域。制备方法包括先制备胶体氧化物纳米晶溶液，将该胶体氧化物纳米晶溶液作为静电喷雾溶液，进行静电喷雾，得到多孔中空氧化物纳米微球。本发明以胶体氧化...
- 刘欢姜胜林张光祖张建兵周里程胡志响宋志龙唐江
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- 一种热释电材料性能测量装置
- 本发明公开了一种热释电材料性能测量装置，包括外壳和样品腔；其样品腔内包含温度调节模块、样品夹具和温度传感器；样品夹具与外部电压跟随器、信号采集卡、计算机依次连接；温度传感器用于实施时获取样品温度；样品的温度依次通过温度传...
- 姜胜林马佳辉刘品张光祖曾亦可
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- 应用于压电能量收集器的PZT-PZN系陶瓷材料
- 2012年
- 压电材料作为环境振动能量收集器的核心功能材料,是制备高性能能量收集器的关键。该文从提高能量收集效率入手,研究适合于能量转换的高性能压电陶瓷材料。采用两步合成工艺制备出了0.7Pb(Zr0.51Ti0.49)0.99O3-0.3Pb(Zn1/3Nb2/3)O3(PZT-PZN)压电陶瓷,研究了La2O3掺杂对其微观结构和机电性能的影响。实验结果表明,掺杂少量的La2O3能显著提高PZT-PZN陶瓷的压电系数(d33)、机电耦合系数(k31、kp)、介电常数(εr)等。当掺杂量为4%(摩尔分数)时,在1 200℃烧结PZT-PZN,显示出良好的压电和介电性能:d33=560pC/N,k31=0.376,kp=0.642,s1E1=16.5×10-12 m2/N,εr=3 125。
- 谢真真姜胜林曾亦可张光祖王静刘汉东
- 关键词：LA掺杂机电性能
- 一种制备场致热释电陶瓷材料的方法
- 本发明公开了一种制备钛酸锶钡场致热释电陶瓷的方法，将重掺杂的BST陶瓷粉体与纯净的预合成的BST粉体按一定的质量比进行混合；然后加入粘合剂，混合均匀和造粒后压片成形；再加热使粘合剂排出；进行烧结、磨片、清洗、上电极和烧电...
- 张光祖姜胜林曾亦可刘汉东喻研何俊刚
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- 两步加压法制备高介电调谐率的Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3厚膜
- 2014年
- 在传统的丝网印刷厚膜制备工艺中增加了两步加压预处理流程,采用这种新方法制备了致密的Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)厚膜,并系统地研究了两步加压法对BST厚膜微结构和介电性能的影响。结果表明,与传统工艺相比,两步加压法可使BST厚膜获得更致密的微结构和更高的介电调谐率。在20℃和10kHz环境下,厚膜的介电常数和介电损耗分别为958和0.013 4,6kV/mm偏场下介电调谐率和优值分别为48.6%和36.3。
- 刘俊曾亦可姜胜林张光祖
- 关键词：孔洞率介电性能
- Terfenol-D对层状材料PVDF/Terfenol-D/PZT的特性影响被引量：1
- 2014年
- 采用热压法制备了中间层为聚偏氟乙烯(PVDF)/Tb-Dy-Fe合金(Terfenol-D)/锆钛酸铅(PZT),上、下层为PVDF/Terfenol-D的层状复合结构材料,研究了中间层Terfenol-D不同体积含量变化对样品介电常数、介电损耗、压电常数以及磁电耦合系数的影响规律。研究发现,在中间层的φ(Terfenol-D)=4%时,综合性能最优,其中压电系数d33为32.4pC/N,磁电耦合系数αE为1 118mV/A。
- 魏本杰张光祖韩伟
- 关键词：压电常数
