郑宏兴
- 作品数：4 被引量：18H指数：2
- 供职机构：天津工程师范大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学更多>>
- LPCVD-SiGe薄膜的物理及电学特性被引量：4
- 2007年
- 采用低压化学气相沉积法(LPCVD),分别在n-Si和SiO2衬底上制备Si1-xGex薄膜。Ge的组分比由俄歇电子谱(AES)测定。对n-Si和SiO2衬底上的Si1-xGex分别进行热扩散和热退火处理,以考察热扩散和退火条件对薄膜物理及电学特性的影响。薄膜的物相由X射线衍射(XRD)确定。其薄层电阻、载流子迁移率及浓度分别由四探针法和霍尔效应法测定。基于XRD图谱,根据Scherer公式,估算出平均晶粒大小。数值拟合得到霍尔迁移率与平均晶粒尺寸为近似的线性关系,从而得出LPCVD-Si1-xGex薄膜的电输运特性基本符合Seto模型的结论。
- 王光伟屈新萍茹国平郑宏兴李炳宗
- 关键词：LPCVD热扩散热退火
- ZnO薄膜的制备方法、性质和应用被引量：13
- 2008年
- 介绍了宽禁带半导体ZnO薄膜的制备工艺、主要性质和器件应用等几方面内容。ZnO薄膜的制备方法大致分为物理法和化学法。前者主要包括溅射、脉冲激光沉积和分子束外延等;后者则涵盖化学气相沉积、喷雾热解和溶胶-凝胶法等。从晶体结构、光学及电学等角度概述了ZnO薄膜的主要性质。与这些性质相联系的器件应用有太阳能电池、发光器件和紫外探测器等。对器件应用领域中存在的一些问题及其解决思路作了探讨。
- 王光伟张建民郑宏兴杨斐
- 关键词：ZNO薄膜光电特性光电器件
- 金属/半导体肖特基接触模型研究进展被引量：1
- 2011年
- 在分析理想金属/半导体肖特基接触的基础上,概述了一般情形下肖特基接触的形成机理和影响因素。金属/半导体间的界面层使得肖特基势垒高度(SBH)对功函数的依赖减弱,也导致SBH与外加偏压有关。研究证实,多种因素,如界面晶向、原子结构、化学键和结构不完整性等,都会造成SBH的空间不均匀分布。该特性在肖特基接触中普遍存在,并对基于肖特基结的器件工作有显著影响。
- 王光伟郑宏兴徐文慧杨旭
- 关键词：肖特基接触
- SiO_2衬底上PECVD-Si_(1-x)Ge_x薄膜研究(英文)
- 2007年
- 在覆盖SiO2的n-Si(100)衬底上,采用等离子体增强化学沉积法(PECVD)制备Si1-xGex薄膜材料。薄膜Ge含量x及元素的深度分布由俄歇电子谱(AES)测定。对Si1-xGex进行热退火处理,以考察退火温度和时间对薄膜特性的影响。薄膜的物相通过X射线衍射(XRD)确定。基于XRD图谱,利用Scherer公式计算平均晶粒大小。Si1-xGex薄膜载流子霍尔迁移率由霍尔效应法测定。数值拟合得到霍尔迁移率与平均晶粒尺寸为近线性关系,从而得出PECVD-Si1-xGex薄膜的电输运特性基本符合Seto模型的结论。
- 王光伟郑宏兴马兴兵张建民曹继华
- 关键词：热退火
