王光伟
- 作品数：51 被引量：88H指数：5
- 供职机构：天津职业技术师范大学电子工程学院更多>>
- 发文基金：天津市高等学校科技发展基金计划项目国家自然科学基金国家级大学生创新创业训练计划更多>>
- 相关领域：电子电信动力工程及工程热物理理学自动化与计算机技术更多>>
- 未退火Co/n-poly-SiGe肖特基接触不均匀性研究
- 2011年
- 在n型单晶硅衬底上,用射频磁控溅射法沉积Si1-xGex薄膜,在850℃下对薄膜进行40min磷扩散,制备出n-poly-Si1-xGex。俄歇电子谱(AES)测试表明,Si1-xGex薄膜的Ge含量约为18%,即磷扩散后得到n-poly-Si0.82Ge0.18。随即在n-poly-Si0.82Ge0.18薄膜上溅射一层Co膜,形成Co/n-poly-Si0.82Ge0.18肖特基结。在90K～332K温度范围内,对样品进行变温I-V测试(I-V-T)。发现随测试温度的升高,表观理想因子na变小,肖特基势垒高度(SBH)变大。这是金属/半导体肖特基接触不均匀性的表现,对这种不均性进行建模,并和实验数据进行对比,两者基本符合。
- 王光伟姚素英徐文慧张建民
- 关键词：SIGE肖特基结
- 脉冲激光引发过渡金属与硅及锗硅薄膜固相反应研究
- 王光伟张建民郑宏兴倪晓昌李莉马兴兵刘芬冯立营
- 研究了脉冲激光退火对Ni、Co等过渡金属与硅及锗硅薄膜固相反应的可行性、有效性和优越性。获得了脉冲激光参数与生成物薄膜的物理及电学特性之间的依赖关系，并和常规热退火等工艺引发的固相反应做了系统比较。提取了脉冲激光退火引发...
- 关键词：
- 关键词：脉冲激光过渡金属固相反应微电子技术
- LPCVD-SiGe薄膜的物理及电学特性被引量：4
- 2007年
- 采用低压化学气相沉积法(LPCVD),分别在n-Si和SiO2衬底上制备Si1-xGex薄膜。Ge的组分比由俄歇电子谱(AES)测定。对n-Si和SiO2衬底上的Si1-xGex分别进行热扩散和热退火处理,以考察热扩散和退火条件对薄膜物理及电学特性的影响。薄膜的物相由X射线衍射(XRD)确定。其薄层电阻、载流子迁移率及浓度分别由四探针法和霍尔效应法测定。基于XRD图谱,根据Scherer公式,估算出平均晶粒大小。数值拟合得到霍尔迁移率与平均晶粒尺寸为近似的线性关系,从而得出LPCVD-Si1-xGex薄膜的电输运特性基本符合Seto模型的结论。
- 王光伟屈新萍茹国平郑宏兴李炳宗
- 关键词：LPCVD热扩散热退火
- 激光退火引发非晶硅及锗硅薄膜固相结晶研究
- 王光伟曹继华张建民裴志军张健李莉
- 该项目揭示了激光退火对硅与锗硅薄膜结晶度提高、质量及性能改善的有效性，得到了激光退火工艺参数与薄膜物理及电学特性之间的函数关系，并和热退火等工艺引发的结晶做了比较，初步提取了薄膜晶体管的器件参数，获得了一些有价值、有意义...
- 关键词：
- 关键词：激光退火热退火
- 基于联立方程模型的中国石油供需分析与预测
- 能源,尤其是石油资源是人类生存、经济发展、社会进步和现代文明不可缺少的重要物质资源,是关系国家经济命脉和国防安全的重要战略物资和发展基础,在现代化建设中具有举足轻重的地位。
本文首先分析中国能源尤其是石油行业的消费...
- 王光伟
- 关键词：石油供需联立方程石油安全
- 电场增强金属Al和Ni诱导非晶硅横向结晶被引量：4
- 2008年
- 本文分析了Al和Ni在外加电场作用下诱导非晶硅(a-Si)薄膜横向结晶的特点和机理。对影响非晶硅结晶的诸多因素,如场强、金属种类和退火条件进行了研究。简要概述了金属诱导横向结晶(MILC)相对于其它一些结晶工艺的优势及其在薄膜晶体管(TFT)中的应用。指出适当强度的电场可显著加快横向诱导结晶的速率,但场强超过一临界值后,则降低该速率,并基于电迁移效应较合理地解释了该现象。
- 王光伟张建民
- 关键词：金属诱导横向结晶扩散固相反应晶粒生长
- 一种基于云端的老人摔倒告警系统
- 2024年
- 老人摔倒可能导致严重后果。鉴于此,开发一种基于云端的老人摔倒检测和告警系统或可避免此类问题。该系统采用STM32F103C8T6单片机作为主控,用传感器MAX30100采集老人的心率和血压值,传感器MPU6050采集老人摔倒的角度及加速度,A/D转换器转化为数字量,借助I2C总线把数字量送至微控制器,用ATK-1218-BD模块实现老人定位,ESP8266-01模块将采集的数据上传至云端,通过手机APP显示。系统可以监测老人当前状态,快速辨别其身姿,获取位置信息,满足实时监测和摔倒报警的要求。测试结果表明:系统总体布局合理,方案可行,运行稳定,误差不超过1%,实现了较精准的身姿识别,达到摔倒报警及远程监测的目的。
- 王光伟沈洁董子涵吕长春李勤
- 关键词：远程监测
- 钴镍与多晶锗硅的固相反应和肖特基接触特性被引量：2
- 2004年
- 采用离子束溅射淀积非晶锗硅薄膜,通过热扩散进行磷掺杂,制备弱n型的多晶锗硅薄膜.用X射线衍射表征了在快速热退火条件下,钴和镍与多晶锗硅的固相反应.利用室温I-V法研究了钴镍与多晶锗硅的接触特性,发现能形成比较理想的肖特基接触.拟合I-V曲线得到接触参数,两样品的表观势垒高度都在0.56～0.59ev之间.实验结果表明,300～600℃退火对肖特基势垒高度没有显著影响.
- 王光伟茹国平屈新萍李炳宗
- 关键词：离子束溅射热扩散固相反应
- 便携式烧水给与发电两用太阳灶设计
- 2018年
- 为解决固定式太阳灶占地大、比较笨重、移动不方便的问题,开发了一种便携式烧水与发电两用太阳灶。该太阳灶由灶体、食品级不锈钢加热管、薄膜太阳能电池板、控制电路4部分组成,灶体体积小、重量轻,可放在汽车后备箱里。在野外,能同时实现烧水和发电的功用。与传统产品相比,具有便携、节能、环保等优点,具有潜在的市场前景。
- 王志成王光伟曹学聪刘志发陈泰
- 关键词：太阳能光伏发电
- 非晶硅和非晶硅锗薄膜的金属诱导结晶被引量：1
- 2009年
- 分析了金属Ni、Al诱导非晶Si及非晶SiGe薄膜结晶的条件、特点和机理。简要介绍了金属诱导结晶相对于其它一些结晶工艺的优势及其在薄膜晶体管中的应用。概述了影响诱导结晶速率和薄膜微结构的诸多因素,如热处理条件和外加电场等。对电场增强金属诱导横向结晶的相关问题进行了探讨,指出适当强度的电场可显著加快横向诱导结晶的速率,但更强电场则会降低该速率,基于电迁移效应对该现象进行了解释。
- 王光伟张建民倪晓昌李莉
- 关键词：金属诱导结晶金属诱导横向结晶固相反应扩散晶粒生长
