谭浚哲
- 作品数：13 被引量：7H指数：1
- 供职机构：四川大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>
- 基于分子源SrTiO_3薄膜同质外延生长的Monte Carlo模拟Ⅰ:生长机制、模型与算法
- 2005年
- 提出了一种在极低的生长速率下(例如分子外延技术),以SrTi O3为代表的ABO3型氧化物薄膜的生长机理,并针对这一生长机制,给出了基于Monte Carlo方法的三维模型和模拟算法.模拟基于Solid on Solid模型,并采用周期性的边界条件;模拟中通过库仑作用势引入了基底对沉积分子的影响;Monte Carlo事件由沉积事件、扩散事件、吸附成核事件组成;分子扩散能力与扩散激活能相关.
- 张青磊朱基亮谭浚哲于光龙吴家刚朱建国肖定全
- 关键词：MONTECARLO模拟薄膜生长氧化物
- (Pb,La)TiO_3铁电薄膜的铁电畴的研究
- 2005年
- 压电力显微镜(PFM)和非线性介电扫描显微镜(SNDM)是近年来发展起来的一项专门测量压电系数的技术.本实验中,分别通过LPFM,VPFM,SNDM观察了(Pb,La)Ti O3薄膜的面内畴、面间畴和非线性介电常数的分布.分析结果表明,薄膜内部存在面内极化电畴、向上、向下的电畴以及介电常数分布具有非线性特性.PFM可以描绘薄膜电畴的三维立体图形,SNDM和PFM都可以较好地表征铁电薄膜的表面极化状态.
- 吴家刚朱基亮张青磊谭浚哲蒲朝辉黄惠东朱建国肖定全
- 关键词：磁控溅射PFM
- 沉积能量对ABO_3型薄膜生长的影响被引量：1
- 2005年
- 报道在Monte Carlo方法模拟多元氧化物薄膜生长的三维模型及模拟算法的基础上,模拟同质ABO3型薄膜外延的生长.引入粒子的沉积能量范围在0～2eV(假设沉积粒子所带能量较低,为了避免沉积粒子与基底表面作用产生再次碰撞,使能量损失,使模拟的误差过大).模拟模型采用周期型边界条件,只考虑沉积过程和扩散过程.引入了沉积能量参数,研究了薄膜生长初期岛的形貌,数量和尺寸的变化;以及对薄膜的生长模式和形貌变化的影响.模拟的结果表明在0.2ML(ML表示单层monolayer)覆盖度,0.05ML/S沉积速率,800K沉积温度下,随着粒子沉积能量的加大,在薄膜初期岛的形成中,岛的数量减少,尺寸加大.在0.6ML覆盖度,0.01ML/S沉积速率,800K沉积温度下,薄膜的生长模式更趋向于层状生长.
- 谭浚哲朱基亮张青磊吴家刚于光龙朱建国肖定全
- 关键词：MONTE扩散晶胞
- 氧化物异质外延薄膜生长的计算机模拟
- 2008年
- 利用Monte Carlo方法分别模拟了在Sr-TiO3基底上沉积MgO薄膜和在MgO基底上沉积SrTiO3薄膜。模拟中,选取与实验中薄膜生长相近的参数条件,引入了新的参数扩散势垒,得到了在晶格正失配(张应力)和负失配(压应力)下薄膜生长的形貌图以及薄膜粗糙度的变化曲线图,分析了张应力和压应力对薄膜生长形貌的影响。模拟结果与文献报道的外延薄膜生长模式的实验观察结果一致。
- 谭浚哲肖定全张青磊吴家刚朱基亮朱建国
- 关键词：MONTECARLO模拟薄膜生长
- 高度（100）取向PLT/PZT多层铁电薄膜的制备与性能研究被引量：1
- 2007年
- 利用射频磁控溅射技术，以PbOx为过渡层，在Pt（111）/Ti/SiO2/Si（100）衬底上，采用原位溅射技术制备了高度（100）取向的[（Pb0.90La0.10）Ti0.975O3/Pb（Zr0.20Ti0.80）O3]n（n=1，2）{筒记为[PLT/PZT]。）多层铁电薄膜，研究了层数对多层铁电薄膜介电性能和铁电性能的影响。研究得出，（100）取向的PbOx，过渡层导致了[PLT/PZT]。多层铁电薄膜的（100）择优取向；高度（100）择优取向的[PLT/PZT]2薄膜具有更大的剩余极（2Pr=31.45μC/cm）和更好的“蝴蝶”状C-V曲线。这些研究结果表明，所制备的（100）取向的[PLT/PZT]2多层铁电薄膜具有优良的铁电性能。
- 吴家刚朱基亮肖定全朱建国谭浚哲张青磊
- 关键词：磁控溅射电学性质
- 基于分子源SrTiO3薄膜同质外延生长的Monte Carlo模拟Ⅱ:模拟结果与讨论
- 根据本文作者提出的以SrTiO3为代表的ABO3型氧化物薄膜成长机制以及基于MonteCarlo方法的三维模型及模拟算法(详见另文),编制了模拟软件,模拟了不同沉积速率、不同的基底温度下的薄膜组成.模拟过程中两个输入参数...
- 张青磊朱基亮谭浚哲于光龙吴家刚朱建国肖定全
- 关键词：SRTIO3薄膜氧化物薄膜
- 文献传递
- 基于分子源SrTiO3薄膜同质外延生长的Monte Carlo模型Ⅰ:生长机制、模型与算法
- 提出了一种在极低的生长速率下(例如分子外延技术),以SrTiO3为代表的ABO3型氧化物薄膜的生长机理,并针对这一生长机制,给出了基于MonteCarlo方法的三维模型和模拟算法.模拟基于SolidonSolid模型,并...
- 张青磊朱基亮谭浚哲于光龙吴家刚朱建国肖定全
- 关键词：SRTIO3薄膜氧化物薄膜分子扩散
- 文献传递
- 高度(100)取向PLT/PZT多层铁电薄膜的制备与性能研究
- 利用射频磁控溅射技术,以 PbO 为过渡层, 在 Pt(111)/Ti/SiO/Si(100)衬底上,采用原位溅射技术制备了高度(100)取向的[(PbLa)TiO/Pb(Zr Ti)O](n=1,2){简记为[PLT/...
- 吴家刚朱基亮肖定全朱建国谭浚哲张青磊
- 关键词：磁控溅射电学性质
- 文献传递
- PLT/PbO铁电薄膜的制备及性能研究被引量：1
- 2007年
- 采用射频磁控溅射技术,在室温溅射、后续退火条件下,以PbO为过渡层,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备出具有完全钙钛矿结构的(Pb0.90La0.10)Ti0.975O3(PLT)铁电薄膜;比较了在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上有无PbO过渡层的PLT薄膜的微结构和铁电性能。实验结果表明,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上增加PbO过渡层提高了PLT薄膜的相纯度,并且所制备的PLT/PbO/Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)薄膜具有优良的介电和铁电性能,其剩余极化强度Pr为21.76μC/cm2,室温热释电系数p为2.75×10-8C/cm2.K。
- 吴家刚朱基亮肖定全朱建国谭浚哲张青磊
- 关键词：铁电薄膜射频磁控溅射热释电系数
- 基于分子源SrTiO_3薄膜同质外延生长的Monte Carlo模拟Ⅱ:模拟结果与讨论
- 2005年
- 根据本文作者提出的以SrTi O3为代表的ABO3型氧化物薄膜成长机制以及基于MonteCarlo方法的三维模型及模拟算法(详见另文),编制了模拟软件,模拟了不同沉积速率、不同的基底温度下的薄膜组成.模拟过程中两个输入参数选为薄膜的沉积速率和沉积温度,并根据一般研究中采用的实验条件,分别取沉积速率为0.00125ML/s和0.004ML/s(单层/秒,Mono-layer/second,以下同),基底温度为500K～800K.模拟结果表明,随着基底温度的升高,薄膜中SrO分子和Ti O2分子的数目逐渐减少,当超过某一临界温度,薄膜为完全的SrTi O3薄膜;而且随着沉积速率的升高,同质外延生长SrTi O3的最低温度也随之升高.
- 张青磊朱基亮谭浚哲于光龙吴家刚朱建国肖定全
- 关键词：MONTECARLO模拟薄膜生长氧化物
