吴家刚
- 作品数：99 被引量：79H指数：4
- 供职机构：四川大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电气工程化学工程更多>>
- 铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的高压电活性研究进展被引量：7
- 2020年
- 以Pb(Zr1–xTix)O3(PZT)为代表的铅基压电陶瓷因为具有良好的压电性能和机电耦合性能已被广泛应用于科技、工业、军事以及日常生活中.但是,PZT基陶瓷中Pb的含量超过了60%(质量比),在生产、使用及废弃处理过程中都会给人类生态环境造成严重损害.因此,发展无铅压电陶瓷已成为世界压电陶瓷研究的热点之一.铌酸钾钠(K0.5Na0.5)NbO3(KNN)无铅压电陶瓷因为具有较为优异的压电性能以及较高的居里温度,被认为是最可能取代铅基压电陶瓷的材料体系之一.经过研究者们的努力工作,改性后的KNN基无铅压电陶瓷压电性能已经接近或超过了某些铅基压电陶瓷的性能.本文综合介绍了具有高压电活性的KNN基无铅压电陶瓷国内外的研究进展,重点阐述了高性能铌酸钾钠基无铅压电陶瓷制备工艺及相关理论基础的研究进展,并就今后铌酸钾钠基无铅压电陶瓷研究发展的方向及前景提出建议.
- 邢洁谭智郑婷吴家刚肖定全朱建国
- 关键词：无铅压电陶瓷铌酸钾钠
- BNT-BT粉体的低温合成及陶瓷性能研究被引量：3
- 2011年
- 研究了0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3[记为BNT-6BT]无铅压电陶瓷的预烧温度对陶瓷粉体相结构的影响,并在低温合成了BNT-6BT陶瓷粉体,利用这些粉体,采用传统固相烧结工艺,制备了BNT-6BT无铅压电陶瓷;研究了不同预烧温度对BNT-6BT压电陶瓷压电性能、介电和铁电性能的影响。结果表明BNT-6BT陶瓷粉体可以在600℃合成,与通常在900℃合成相比,大大降低了BNT-6BT陶瓷粉体的预烧温度;采用传统的陶瓷固相烧结工艺,利用在600℃合成的粉体所制备的压电陶瓷,其电学性能有所提高:密度ρ=5.87g/cm3,压电常数d33=141pC/N,平面机电耦合系数kp=0.30,机械品质因数Qm=141,居里温度TC=278℃,去极化温度Td=132℃,相对介电常数εr=1643,自发极化强度Pr=23μC/cm2和矫顽场Ec=32kV/cm。
- 吴文娟肖定全吴家刚李婧梁文峰张承王卓李紫源朱建国
- 关键词：无铅压电陶瓷固相烧结预烧温度电学性能
- Pechini法制备铌酸锂陶瓷的结晶性能研究被引量：22
- 2004年
- 以Li2CO3、Nb2O5、K2CO3为初始原料,采用Pechini法制备了铌酸锂(LiNbO3)陶瓷。用XRD、SEM等分析了LiNbO3陶瓷的结晶特性。分析结果表明Li2O对于铌酸锂陶瓷的烧结及致密度有着重要的影响,经980℃烧结得到的LiNbO3陶瓷晶粒发育良好,当烧结温度>1100℃时,Li2O有较大的损失,所得到的LiNbO3陶瓷组分与化学计量比有一定偏差。因此应采用多种技术方法来减少Li2O的损失以得到致密、结晶性良好的铌酸锂陶瓷。
- 陈强肖定全吴家刚方瑜王媛玉袁小武于光龙熊学斌朱建国
- 关键词：铌酸锂陶瓷
- 一种成分梯度铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法
- 本发明公开了一种成分梯度铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法。该压电陶瓷由多个组分层复合而成，各组分层的化学组成通式为：(1‑x)K<Sub>0.48</Sub>Na<Sub>0.52</Sub>Nb<Sub>0.955<...
- 吴家刚余运刚郑婷
- 文献传递
- 基于分子源SrTiO_3薄膜同质外延生长的Monte Carlo模拟Ⅰ:生长机制、模型与算法
- 2005年
- 提出了一种在极低的生长速率下(例如分子外延技术),以SrTi O3为代表的ABO3型氧化物薄膜的生长机理,并针对这一生长机制,给出了基于Monte Carlo方法的三维模型和模拟算法.模拟基于Solid on Solid模型,并采用周期性的边界条件;模拟中通过库仑作用势引入了基底对沉积分子的影响;Monte Carlo事件由沉积事件、扩散事件、吸附成核事件组成;分子扩散能力与扩散激活能相关.
- 张青磊朱基亮谭浚哲于光龙吴家刚朱建国肖定全
- 关键词：MONTECARLO模拟薄膜生长氧化物
- (Pb,La)TiO_3铁电薄膜的铁电畴的研究
- 2005年
- 压电力显微镜(PFM)和非线性介电扫描显微镜(SNDM)是近年来发展起来的一项专门测量压电系数的技术.本实验中,分别通过LPFM,VPFM,SNDM观察了(Pb,La)Ti O3薄膜的面内畴、面间畴和非线性介电常数的分布.分析结果表明,薄膜内部存在面内极化电畴、向上、向下的电畴以及介电常数分布具有非线性特性.PFM可以描绘薄膜电畴的三维立体图形,SNDM和PFM都可以较好地表征铁电薄膜的表面极化状态.
- 吴家刚朱基亮张青磊谭浚哲蒲朝辉黄惠东朱建国肖定全
- 关键词：磁控溅射PFM
- 沉积能量对ABO_3型薄膜生长的影响被引量：1
- 2005年
- 报道在Monte Carlo方法模拟多元氧化物薄膜生长的三维模型及模拟算法的基础上,模拟同质ABO3型薄膜外延的生长.引入粒子的沉积能量范围在0～2eV(假设沉积粒子所带能量较低,为了避免沉积粒子与基底表面作用产生再次碰撞,使能量损失,使模拟的误差过大).模拟模型采用周期型边界条件,只考虑沉积过程和扩散过程.引入了沉积能量参数,研究了薄膜生长初期岛的形貌,数量和尺寸的变化;以及对薄膜的生长模式和形貌变化的影响.模拟的结果表明在0.2ML(ML表示单层monolayer)覆盖度,0.05ML/S沉积速率,800K沉积温度下,随着粒子沉积能量的加大,在薄膜初期岛的形成中,岛的数量减少,尺寸加大.在0.6ML覆盖度,0.01ML/S沉积速率,800K沉积温度下,薄膜的生长模式更趋向于层状生长.
- 谭浚哲朱基亮张青磊吴家刚于光龙朱建国肖定全
- 关键词：MONTE扩散晶胞
- 高性能铌酸钾钠基无铅陶瓷的压电和电卡性能被引量：2
- 2020年
- 压电陶瓷作为一种能够实现机械能和电能相互转换的功能材料,在民用和军事方面都有着广泛应用.随着人们环保及健康意识的提高,高性能兼具环境协调性的无铅压电陶瓷的研究成为了一项紧迫任务.在众多无铅材料中,(K, Na)NbO3(KNN)基陶瓷因其优异的综合性能而受到关注,但是利用相界同时调控高压电和电卡性能的研究偏少.本文采用传统固相方法制备了0.944K0.48Na0.52Nb0.95Sb0.05O3-0.04Bi0.5(Na0.82K0.18)0.5ZrO3-1.6%(AgxNa1–x)SbO3-0.4%Fe2O3(x=0-1.0)无铅压电陶瓷,重点研究了AgSbO3/NaSbO3对陶瓷相结构、压电和电卡性能的影响.研究结果表明:陶瓷在研究组分范围内均为"三方-正交-四方"三相共存;随着AgSbO3含量的增加,该陶瓷的压电及铁电性能均有所波动(d33=518-563pC/N, kp=0.45-0.56, Pmax=21-23μC/cm2和Pr=14-17μC/cm2).同时,利用间接法表征了该陶瓷的电卡效应,在居里温度附近得到了较高的电卡温变值(>0.6 K).因此,在KNN基陶瓷中通过相界构建能够同时实现高压电和良好的电卡性能.
- 魏晓薇陶红赵纯林吴家刚
- 关键词：铌酸钾钠相界压电效应
- 用于钛酸铋钠基弛豫铁电体的电致应变增强方法
- 本发明涉及材料技术领域，公开了用于钛酸铋钠基弛豫铁电体的电致应变增强方法。本发明通过对传统固相法合成的位于临界位置附近的钛酸铋钠基弛豫铁电陶瓷进行交流电场的预极化操作，在遍历的钛酸铋钠基弛豫体中引诱出原生性的大尺寸的非遍...
- 吴家刚吴肖骏殷杰文澜骥吴超
- 高性能铌酸钾钠基无铅陶瓷的新型相界设计及物理机理研究
- 吴家刚
