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许国阳

作品数：4 被引量：5H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 3篇激光
  • 3篇激光器
  • 2篇单片
  • 2篇电吸收
  • 2篇电吸收调制
  • 2篇电吸收调制器
  • 2篇调制
  • 2篇调制器
  • 2篇DFB激光器
  • 1篇单片集成
  • 1篇单片集成电路
  • 1篇电路
  • 1篇电吸收调制D...
  • 1篇多量子阱
  • 1篇多量子阱材料
  • 1篇通信
  • 1篇量子阱材料
  • 1篇磷化铟
  • 1篇集成电路
  • 1篇脊型波导

机构

  • 4篇中国科学院

作者

  • 4篇许国阳
  • 3篇朱洪亮
  • 3篇王圩
  • 2篇张静媛
  • 2篇汪孝杰
  • 2篇张佰君
  • 2篇陈娓兮
  • 2篇周帆
  • 2篇刘国利
  • 1篇田慧良
  • 1篇白云霞
  • 1篇叶小玲
  • 1篇颜学进
  • 1篇段俐宏

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇中国激光

年份

  • 2篇2001
  • 1篇2000
  • 1篇1999
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
选择区域生长高质量InGaAsP多量子阱材料被引量：1
2001年
采用 L P- MOVPE在 Si O2 掩膜的 In P衬底上实现了高质量的 In Ga As P多量子阱 (MQW)的选择区域生长(SAG) .通过改变生长温度和生长压力 ,MQW的适用范围由 C波段扩展至 L 波段 ,即 MQW的光致发光波长从15 46 nm延展至 16 2 1nm.光致发光 (PL)测试表明 :在宽达 75 nm的波长范围内 ,MQW的质量与非选择生长的MQW质量相当 ,并成功制作出电吸收调制 DFB激光器 (EML) .
刘国利王圩张佰君许国阳陈娓兮叶小玲张静媛汪孝杰朱洪亮
关键词：INGAASP多量子阱材料半导体材料
选区外延制作单片集成单脊条形电吸收调制DFB激光器被引量：3
2001年
报道了采用选区外延生长技术制作的可实用的单脊条形电吸收调制DFB激光器。激光器的阈值为 2 6mA ,最大光功率可达 9mW ,消光比可达 16dB。减小端面的光反馈后 ,从自发发射谱上观察不到波长随调制电压的变化 ,调制器部分的电容为 1 5pF ,初步筛选结果显示阈值、隔离电阻、消光比基本没有变化 ,可应用在 2 5Gb/s的长途干线光纤传输系统上。
刘国利王圩许国阳陈娓兮张佰君周帆张静媛汪孝杰朱洪亮
关键词：DFB激光器电吸收调制器脊型波导单片集成电路
DFB激光器和电吸收调制器单片集成研究
DFB激光器和调制器是光纤通信中的关键部件.由于直接调制半导体激光器会产生很 大的频率啁啾,在高速远距离光纤通信中,外调制器是必然选择.单片集成DFB激光器和电 吸收调制器具有输出功率大,结构紧凑体积小,器件稳定性,可靠...
许国阳
关键词：DFB激光器光纤通信电吸收调制器
半绝缘InP的优化生长条件以及掩埋的1.55μm激光器被引量：1
2000年
研究了低压ＭＯＣＶＤ下生长压力和Ｆｅ 源／Ｉｎ 源摩尔流量比对半绝缘ＩｎＰ电阻率的影响．得到了用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ 生长掺Ｆｅ 半绝缘ＩｎＰ的优化生长条件．在优化生长条件下得到的Ｆｅ－ＩｎＰ的电阻率为２．０×１０８Ω·ｃｍ ，击穿电场４×１０４Ｖ／ｃｍ ．用半绝缘Ｆｅ－ＩｎＰ掩埋１．５５μｍ 多量子阱激光器，激光器的高频调制特性明显优于反向ｐｎ 结掩埋的激光器，３ｄＢ 调制带宽达４．８ＧＨｚ．
许国阳颜学进朱洪亮段俐宏周帆田慧良白云霞王圩
关键词：激光器磷化铟
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