程行之
- 作品数：3 被引量：0H指数：0
- 供职机构：北京大学信息科学技术学院微电子研究院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 硅衬底注氮方法制备超薄SiO_2 栅介质(英文)
- 2005年
- 利用栅氧化前在硅衬底内注氮可抑制氧化速率的方法 ,制得 3 4nm厚的SiO2 栅介质 ,并将其应用于MOS电容样品的制备 .研究了N+ 注入后在Si/SiO2 中的分布及热退火对该分布的影响 ;考察了不同注氮剂量对栅氧化速率的影响 .对MOS电容样品的I V特性 ,恒流应力下的Qbd,SILC及C V特性进行了测试 ,分析了不同氧化工艺条件下栅介质的性能 .实验结果表明 :注氮后的热退火过程会使氮在Si/SiO2 界面堆积 ;硅衬底内注入的氮的剂量越大 ,对氧化速率的抑制作用越明显 ;高温栅氧化前进行低温预氧化的注氮样品较不进行该工艺步骤的注氮样品具有更低的低场漏电流和更小的SILC电流密度 ,但二者恒流应力下的Qbd值及高频C V特性相近 .
- 许晓燕程行之黄如张兴
- 关键词：超薄栅介质氮离子注入击穿特性
- 超薄SiO_2栅介质厚度提取与分析
- 2004年
- 在分析半经典模型和量子模型的基础上 ,得到包括量子效应和多晶硅耗尽效应的栅氧厚度提取模型 .栅介质厚度模拟结果和椭偏仪所测实验结果吻合良好 .
- 谭静荣许晓燕黄如程行之张兴
- 关键词：超薄栅介质量子效应
- 多晶硅注氮制备4.6nm超薄栅介质
- 2004年
- 为了改善深亚微米 CMOS器件 p+ - poly栅中硼扩散问题 ,通过选择合适的注氮能量和剂量 ,采用多晶硅栅注氮工艺 ,既降低了硼在多晶硅栅电极中的扩散系数 ,又在栅介质内引入浓度适宜的氮 ,有效地抑制了硼在栅介质内的扩散所引起的平带电压漂移 ,改善了 Si/Si O2 界面质量 ,提高了栅介质和器件的可靠性 ,制备出了性能良好的4 .6 nm超薄栅介质 .
- 谭静荣许晓燕黄如程行之张兴
- 关键词：注氮
