您的位置： 专家智库 > >

樊星

作品数：6 被引量：20H指数：3
供职机构：北京工业大学更多>>
发文基金：国家科技支撑计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 4篇GAN
  • 3篇电特性
  • 3篇光电
  • 3篇光电特性
  • 2篇二极管
  • 2篇发光
  • 2篇发光二极管
  • 2篇LED
  • 1篇电对
  • 1篇电压
  • 1篇定时截尾
  • 1篇定时截尾试验
  • 1篇英文
  • 1篇正向电压
  • 1篇热分析
  • 1篇热阻
  • 1篇注入电流
  • 1篇威布尔分布
  • 1篇绿光
  • 1篇截尾

机构

  • 6篇北京工业大学

作者

  • 6篇樊星
  • 6篇郭伟玲
  • 5篇白俊雪
  • 5篇俞鑫
  • 4篇韩禹
  • 1篇程顺波
  • 1篇吴国庆
  • 1篇孙捷
  • 1篇刘建鹏
  • 1篇刘建朋
  • 1篇雷珺
  • 1篇孙晓
  • 1篇徐儒
  • 1篇崔德胜

传媒

  • 4篇发光学报
  • 1篇物理学报
  • 1篇光子学报

年份

  • 1篇2015
  • 3篇2014
  • 2篇2013
共 6 条 记 录，以下是 1-6
全选 清除 导出
排序方式：
静电对GaN基高压LED特性的影响被引量：2
2014年
对GaN基绿光高压LED分别施加-500、-1 000、-2 000、-3 000、-4 000、-5 000和-6 000V的反向人体模式静电打击,每次静电打击后,测量样品的I-V特性曲线及光通量等参量,研究静电打击对GaN基高压LED器件性能的影响.结果表明:当样品经过-500,-1 000、-2 000、-3 000和-4 000V的静电打击后,由于LED器件内部产生了缺陷,发生了软击穿并且反向漏电流明显增加,但光通量的变化不明显;当经过-5 000V和-6 000V的静电打击后,由于发生了热模式击穿,温度迅速升高,在结区形成熔融通道,使LED的光通量明显减小,甚至衰减到未打击时的一半;在经受-6 000V的静电打击后,正向电压的减小和反向漏电流的增加更加明显,漏电现象更加明显,严重影响了器件的性能,最终使LED样品失效.
韩禹郭伟玲樊星俞鑫白俊雪
关键词：GAN静电放电光电特性
一种基于伪失效寿命的LED可靠性快速评价方法被引量：9
2013年
提出一种快速评价LED可靠性的有效方法。通过测试LED样品的伪失效寿命,结合Minitab软件进行数据分析,确定全部样品的伪失效寿命服从二参数的威布尔分布。通过计算威布尔分布尺度参数,比较不同样品的尺度参数来评价产品的可靠性。该方法对LED的可靠性评价和寿命预测有一定的参考价值。
郭伟玲樊星崔德胜吴国庆俞鑫
关键词：发光二极管定时截尾试验威布尔分布
注入电流对绿光高压LED光电特性的影响被引量：3
2014年
设计并制备了12 V的GaN基绿光高压发光二极管(LED),并对其进行了变电流测试.研究了绿光高压LED的正向电压、峰值波长、光功率以及光效等重要参数随注入电流的变化关系,电流变化范围为3～50mA,测试温度为25℃.实验结果表明:电流对绿光高压LED的光电特性有很大影响.在驱动电流为20 mA时,对应电压为14 V.随着注入电流的增大,峰值波长蓝移了2 nm.随着电流的增大,光功率近似于线性增加.在注入电流从3mA增大到20 mA的过程中,光效降低了约61％;在注入电流从20 mA增大到50 mA的过程中,光效降低了约39％.这说明高压LED在大电流驱动时,光效降低的幅度比较缓慢.上述结果对GaN基绿光高压LED的改进优化具有一定的参考价值.
白俊雪郭伟玲俞鑫樊星刘建鹏韩禹
关键词：注入电流正向电压峰值波长
GaN基高压发光二极管理想因子与单元个数关系研究被引量：1
2015年
理想因子能够反映电流、载流子泄漏以及缺陷导致的非辐射复合等现象.针对目前报道的Ga N基发光二极管的理想因子的问题,通过对高压发光二极管I-V曲线的拟合计算出了理想因子n的数值,分别讨论了12V,19 V,51 V和80 V Ga N基高压发光二极管的理想因子与其结构中串联晶粒个数的关系,分析了理想因子大小与光谱半高宽(FWHM)的变化关系.另外,还对电流拥挤效应对理想因子的影响进行了分析.结果表明:高压发光二极管理想因子n随串联晶粒个数的增加几乎为线性规律增加,高压发光二极管理想因子n是由其串联单元理想因子之和构成的.这对Ga N基高压发光二极管理想因子的研究具有参考价值.
白俊雪郭伟玲孙捷樊星韩禹孙晓徐儒雷珺
关键词：GAN基发光二极管
具有电流阻挡层的不同GaN基LED的光电特性(英文)被引量：2
2013年
研究对比了InGaN/GaN多量子阱发光二极管中p电极下的不同SiO2电流阻挡层的光电特性。6种样品被分为3组:普通表面、表面粗化、表面粗化+边墙腐蚀。每组都有两种结构,一种具有电流阻挡层,另一种没有电流阻挡层。每组中,具有电流阻挡层的LED在20 mA下的正向电压分别为3.156,3.282,3.284 V,略高于不含电流阻挡层的样品(Vf=3.105,3.205,3.210 V).但是,具有电流阻挡层的LED的光效和光功率要优于无电流阻挡层的器件,在20 mA下的光功率分别提高了10.20%、12.19%和11.49%。这些性能的提升都要归功于电流阻挡层良好的电流扩展效应,同时电流阻挡层还可以减小p电极下的寄生光吸收。
郭伟玲俞鑫刘建朋樊星白俊雪
关键词：LED光功率光效
51V GaN基高压LED的热分析被引量：5
2014年
设计并制备了51 V高压LED。对器件进行了大电流冲击试验并对器件的损毁原因进行了分析。运用有限元分析软件ANSYS对LED关键结构部位进行参数化建模及热分布模拟,得到其稳态的温度场分布;然后经过与红外热像仪成像图对比,得出电极烧毁的原因在于芯粒连接处的电极过薄过窄而导致的电阻过大,为后续设计更可靠的高压LED提供了参考。对芯片分别进行蓝光及色温5 000 K的白光封装,并分别测量了热阻,涂覆荧光粉的白光灯珠的热阻要比没有涂覆荧光粉的蓝光灯珠高约4℃/W。同时,51 V高压LED的热阻比1 W大功率LED要高,说明高压LED的散热性能比常规LED要差,这可能与高压LED具有深沟槽及众多的互联电极结构有关。
俞鑫郭伟玲樊星白俊雪程顺波韩禹
关键词：热分析ANSYS热阻
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0